良好的电源去耦对于实现最优性能至关重要。如图 10-11 所示，必须使用至少 0.1µF 的电容器对 VDD 进行去耦。当器件进行转换时，0.1μF 旁路电容器可提供电源所需的瞬时突发额外电流。通过低阻抗连接将旁路电容放置在尽可能靠近器件电源引脚的位置。应使用多层陶瓷片式电容器 (MLCC) 提供低等效串联电阻 (ESR) 和电感 (ESL) 特性，从而实现电源去耦。对于非常敏感的系统或处于恶劣噪声环境中的系统，请勿使用过孔将电容器连接到器件引脚，以实现更好的抗噪性能。并联使用多个过孔可降低总电感并且有利于与接地平面相连。

图 10-11 ADS1115L 电源去耦