ZHCSTF1 November 2023 AFE432A3W , AFE532A3W
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 内部基准 | ||||||
| 初始精度 | 1.1979 | 1.212 | 1.224 | V | ||
| 基准输出温度系数(1) (2) | 73 | ppm/ °C | ||||
| EEPROM | ||||||
| 寿命(1) | –40°C ≤ TA ≤ +85°C | 20000 | 周期 | |||
| TA = 125°C | 1000 | |||||
| 数据保留(1) | 50 | 年 | ||||
| EEPROM 编程写入周期时间(1) | 200 | ms | ||||
| 器件启动时间(1) | 从电源有效 (VDD ≥ 3V) 到输出有效状态（EEPROM 中编程的输出状态）所用的时间，CAP 引脚上具有 0.5µF 电容器 | 5 | ms | |||
| 数字输入 | ||||||
| 数字馈通 | 电压输出模式，中标度 DAC 输出静态，超快速模式，SCL 切换 | 20 | nV-s | |||
| 引脚电容 | 每引脚 | 10 | pF | |||
| 断电模式 | ||||||
| IDD | 流入 VDD 的电流 | DAC 处于睡眠模式，内部基准关断 | 28 | µA | ||
| IDD | 流入 VDD 的电流(1) | DAC 处于睡眠模式，内部基准已启用，通过内部基准的额外电流 | 10 | µA | ||
| DAC 通道已启用，内部基准已启用，在电压输出模式下每个 DAC 通道通过内部基准的额外电流 | 12.5 | |||||
| 高阻抗输出 | ||||||
| ILEAK | 流入 VOUT 和 VFB 的电流 | DAC 处于高阻态输出模式，3V ≤ VDD ≤ 5.5V | 10 | nA | ||
| VDD = 0V，VOUT ≤ 1.5V，VDD 和 AGND 之间的去耦电容 = 0.1μF | 200 | |||||
| VDD = 0V，1.5V < VOUT ≤ 5.5V，VDD 和 AGND 之间的去耦电容 = 0.1μF | 500 | |||||
| VDD 和 AGND 之间的电阻为 100kΩ，VOUT ≤ 1.25V，OUT 引脚上具有 10kΩ 串联电阻 | ±2 | µA | ||||