ZHCSSD2 july   2023 AFE539F1-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性：ADC 输入
    6. 6.6  电气特性：通用
    7. 6.7  时序要求：I2C 标准模式
    8. 6.8  时序要求：I2C 快速模式
    9. 6.9  时序要求：I2C 超快速模式
    10. 6.10 时序要求：SPI 写入操作
    11. 6.11 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 0)
    12. 6.12 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 1)
    13. 6.13 时序要求：PWM 输出
    14. 6.14 时序图
    15. 6.15 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 智能模拟前端 (AFE) 架构
      2. 7.3.2 编程接口
      3. 7.3.3 非易失性存储器 (NVM)
        1. 7.3.3.1 NVM 循环冗余校验 (CRC)
          1. 7.3.3.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
          2. 7.3.3.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      4. 7.3.4 上电复位 (POR)
      5. 7.3.5 外部复位
      6. 7.3.6 寄存器映射锁定
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 模数转换器 (ADC) 模式
        1. 7.4.1.1 电压基准选择
          1. 7.4.1.1.1 电源作为基准
          2. 7.4.1.1.2 内部基准
          3. 7.4.1.1.3 外部基准
      2. 7.4.2 脉宽调制 (PWM) 模式
      3. 7.4.3 恒定功率耗散控制
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 编程模式
      2. 7.5.2 I2C 编程模式
        1. 7.5.2.1 F/S 模式协议
        2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
          1. 7.5.2.2.1 地址字节
          2. 7.5.2.2.2 命令字节
        3. 7.5.2.3 I2C 读取序列
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
      2. 7.6.2  REF-GAIN-CONFIG 寄存器（地址 = 15h）[复位 = 0401h]
      3. 7.6.3  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 13FFh]
      4. 7.6.4  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 0000h]
      5. 7.6.5  COMMON-PWM-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 0001h]
      6. 7.6.6  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 00h、DEVICE-ID、VERSION-ID]
      7. 7.6.7  INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]
      8. 7.6.8  STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0003h]
      9. 7.6.9  SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 0000h]
      10. 7.6.10 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 0000h]
      11. 7.6.11 MAX-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 20h）[RESET = 007Fh]
      12. 7.6.12 MIN-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 21h）[复位 = 0000h]
      13. 7.6.13 FUNCTION-COEFFICIENT 寄存器（SRAM 地址 = 22h）[复位 = 01F4h]
      14. 7.6.14 PWM-FREQUENCY 寄存器（SRAM 地址 = 23h）[复位 = 000Bh]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
7.4.1.1.3 外部基准

AFE539F1-Q1 提供外部基准输入。通过适当配置 REF-GAIN field in the REF-GAIN-CONFIG 寄存器中的 REF-GAIN 字段，选择外部基准选项。外部基准电压可介于 1.8 V 和 VDD 之间。

注： 在瞬态和稳态条件下，外部基准都必须小于 VDD。因此，外部基准必须在 VDD 之后斜升，在 VDD 之前斜降。
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