ZHCSSD2 july 2023 AFE539F1-Q1
PRODUCTION DATA
使用 表 7-1,以 VDD (5V) 作为增益为 1× 的基准,实现 (VDD/3) = 1.67V 的输入范围。在 48V 总线电压和 1.67V ADC 输入范围下,所需的外部衰减为 28.74。因此,衰减电阻可以选择为 RA = 100kΩ 和 RB = 3.6kΩ。为了将功率耗散限制在 50W,有效负载电阻 (RL-eff) 计算为 (VBUS2/P) = 46.08Ω。这意味着需要 (RL/RL-eff) = 10.85% 的最小占空比。在 7 位标度中,10.85% 对应于 13.89d。使用 方程式 4,可计算出所需的函数系数 K 为 443.6d (0x01BC)。
PWM 输出引脚是一个开漏输出。必须使用外部电阻,将 PWM 输出引脚上拉至所需的 IO 电压。PWM 频率在 PWM-FREQUENCY SRAM 位置进行设置 (SRAM: 0x23)。表 7-2 定义了每个可用频率的代码。此示例使用 3.052kHz 的 PWM 频率。在 MAX-OUTPUT 和 MIN-OUTPUT SRAM 位置设置最大和最小 PWM 占空比限值。PWM 占空比输出通过一个 7 位代码进行配置。最大代码为 127d。127d 会将 PWM 占空比设置为 100%。表 7-3 提供了有关 AFE539F1-Q1 中 PWM 占空比计算的更多详细信息。
按照以下指导原则在 AFE539F1-Q1 上设置寄存器:
寄存器字段名称 | 地址[字段] | 地址位置 |
---|---|---|
MAX-OUTPUT | 0x20[6:0] | SRAM |
MIN-OUTPUT | 0x21[6:0] | SRAM |
FUNCTION-COEFFICIENT | 0x22[15:0] | SRAM |
PWM-FREQUENCY | 0x23[4:0] | SRAM |
REF-GAIN-CONFIG | 0x15[12:10][4:0] | 寄存器 |
COMMON-CONFIG | 0x1F[15:0] | 寄存器 |
STATE-MACHINE-CONFIG0 | 0x27[2:0] | 寄存器 |
以下是该应用示例的伪代码:
//SYNTAX: WRITE <REGISTER NAME(Hex Code)>, <MSB DATA>, <LSB DATA>
//Stop the state machine
WRITE STATE-MACHINE-CONFIG0(0x27), 0x00, 0x01
//Stop the PWM generator
WRITE COMMON-PWM-TRIG(0x21), 0x00, 0x00
//Set the PWM frequncy to 3.052 kHz
WRITE PWM-FREQUENCY(SRAM 0x23), 0x00, 0x07
//Set the maximim and minimum PWM duty cycles
WRITE MAX-OUTPUT(SRAM 0x20), 0x00, 0x7F
WRITE MIN-OUTPUT(SRAM 0x21), 0x00, 0x00
//Set the function coefficient (K)
WRITE FUNCTION-COEFFICIENT(SRAM 0x22), 0x01, 0xBC
//Set the ADC reference to VDD (this is the device default)
WRITE REF-GAIN-CONFIG(0x15), 0x04, 0x01
//Power on ADC
WRITE COMMON-CONFIG(0x1F), 0x03, 0xFF
//Start the state machine
WRITE STATE-MACHINE-CONFIG0(0x27), 0x00, 0x03
//Save settings to NVM
WRITE COMMON-TRIGGER(0x20), 0x00, 0x02
//Pull the VREF/MODE pin high to enter standalone mode