ZHCSNU9G April 2021 – May 2024 AM2431 , AM2432 , AM2434
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
错误定位模块 (ELM) 与 GPMC 一起使用。读取 NAND 闪存页面时动态生成并存储在 GPMC 寄存器中的伴随多项式被传递到 ELM。然后,主机处理器可以通过翻转 ELM 错误位置输出指向的位来纠正数据块。
从 NAND 闪存读取数据时,需要进行一定程度的纠错。对于没有内部校正功能的 NAND 模块(有时称为裸 NAND),校正过程由存储器控制器执行。ELM 还可用于支持并行 NOR 闪存或 NAND 闪存。
通用存储器控制器 (GPMC) 检测从外部 NAND 闪存读取的数据,并使用这些数据逐块计算类似于校验和的信息(称为“伴随多项式”)。每个伴随多项式给出一个完整块的读取操作状态,其中包括 512 字节的数据、奇偶校验位和一个可选的备用区域数据字段,最大块大小为 1023 字节。计算基于 Bose-Chaudhuri-Hocquenghem (BCH) 算法。ELM 从这些伴随多项式中提取错误地址。
有关更多信息,请参阅器件 TRM 的外设 一章中的错误定位模块 (ELM) 一节。