ZHCSNU9G April 2021 – May 2024 AM2431 , AM2432 , AM2434
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
读取和写入数据有效窗口将因工艺、电压、温度和工作频率的变化而发生变化。可以实现数据训练方法,以动态配置最优读取和写入时序。实现数据训练可以在特定工艺、电压和频率工作条件下的温度范围内实现正常运行,同时实现更高的工作频率。
由于数据传输和接收时序参数会根据运行条件进行动态调整,因此未针对数据训练用例定义这些参数。
表 6-94 定义了具有数据训练的 OSPI0 所需的 DLL 延迟。表 6-95、图 6-76、表 6-96 和图 6-77 展示了具有数据训练的 OSPI0 的时序要求和开关特性。
模式 | OSPI_PHY_CONFIGURATION_REG 位字段 | 延迟值 |
---|---|---|
发送 | ||
所有模式 | PHY_CONFIG_TX_DLL_DELAY_FLD | (1) |
接收 | ||
所有模式 | PHY_CONFIG_RX_DLL_DELAY_FLD | (2) |
编号 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|
O15 | tsu(D-LBCLK) | 建立时间,在有效 OSPI0_DQS 边沿之前 OSPI0_D[7:0] 有效 | 具有 DQS 的 DDR | (1) | ns | |
O16 | th(LBCLK-D) | 保持时间,在有效 OSPI0_DQS 边沿之后 OSPI0_D[7:0] 有效 | 具有 DQS 的 DDR | (1) | ns |
编号 | 参数 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
O1 | tc(CLK) | 周期时间,OSPI0_CLK | 1.8V,DDR | 6.02 | 7.52 | ns |
3.3V,DDR | 7.52 | 7.52 | ns | |||
O2 | tw(CLKL) | 脉冲持续时间,OSPI0_CLK 低电平 | DDR | ((0.475P(1)) - 0.3) | ns | |
O3 | tw(CLKH) | 脉冲持续时间,OSPI0_CLK 高电平 | DDR | ((0.475P(1)) - 0.3) | ns | |
O4 | td(CSn-CLK) | 延迟时间,OSPI0_CSn[3:0] 有效边沿到 OSPI0_CLK 上升沿 | DDR | ((0.475P(1)) + (0.975M(2)R(4)) + (0.04TD(5)) - 1) | ((0.525P(1)) + (1.025M(2)R(4)) + (0.11TD(5)) + 1) | ns |
O5 | td(CLK-CSn) | 延迟时间,OSPI0_CLK 上升沿到 OSPI0_CSn[3:0] 无效边沿 | DDR | ((0.475P(1)) + (0.975N(3)R(4)) - (0.04TD(5)) - 1) | ((0.525P(1)) + (1.025N(3)R(4)) - (0.11TD(5)) + 1) | ns |
O6 | td(CLK-D) | 延迟时间,OSPI0_CLK 有效边沿到 OSPI0_D[7:0] 转换 | DDR | (6) | (6) | ns |