ZHCSNU9G April 2021 – May 2024 AM2431 , AM2432 , AM2434
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
表 6-100 定义了 OSPI0 PHY DDR 模式所需的 DLL 延迟。表 6-105、图 6-81、表 6-106 和图 6-82 展示了 OSPI0 PHY DDR 模式的时序要求和开关特性。
模式 | OSPI_PHY_CONFIGURATION_REG 位字段 | 延迟值 |
---|---|---|
发送 | ||
1.8V | PHY_CONFIG_TX_DLL_DELAY_FLD | 0x3E |
3.3V | PHY_CONFIG_TX_DLL_DELAY_FLD | 0x3B |
接收 | ||
1.8V,DQS | PHY_CONFIG_RX_DLL_DELAY_FLD | 0x15 |
3.3V,DQS | PHY_CONFIG_RX_DLL_DELAY_FLD | 0x3A |
所有其他模式 | PHY_CONFIG_RX_DLL_DELAY_FLD | 0x0 |
编号 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|
O15 | tsu(D-LBCLK) | 建立时间,在有效 OSPI0_DQS 边沿之前 OSPI0_D[7:0] 有效 | 1.8V,具有外部电路板环回的 DDR | 0.53 | ns | |
1.8V,具有 DQS 的 DDR | -0.46 | ns | ||||
3.3V,具有外部电路板环回的 DDR | 1.23 | ns | ||||
3.3V,具有 DQS 的 DDR | -0.66 | ns | ||||
O16 | th(LBCLK-D) | 保持时间,在有效 OSPI0_DQS 边沿之后 OSPI0_D[7:0] 有效 | 1.8V,具有外部电路板环回的 DDR | 1.24(1) | ns | |
1.8V,具有 DQS 的 DDR | 3.59 | ns | ||||
3.3V,具有外部电路板环回的 DDR | 1.44(1) | ns | ||||
3.3V,具有 DQS 的 DDR | 7.92 | ns |
编号 | 参数 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
O1 | tc(CLK) | 周期时间,OSPI0_CLK | 19 | ns | ||
O2 | tw(CLKL) | 脉冲持续时间,OSPI0_CLK 低电平 | ((0.475P(1)) - 0.3) | ns | ||
O3 | tw(CLKH) | 脉冲持续时间,OSPI0_CLK 高电平 | ((0.475P(1)) - 0.3) | ns | ||
O4 | td(CSn-CLK) | 延迟时间,OSPI0_CSn[3:0] 有效边沿到 OSPI0_CLK 上升沿 | ((0.475P(1)) - (0.975M(2)R(4))) | ((0.525P(1)) - (1.025M(2)R(4)) + 7) | ns | |
O5 | td(CLK-CSn) | 延迟时间,OSPI0_CLK 上升沿到 OSPI0_CSn[3:0] 无效边沿 | ((0.475P(1)) + (0.975N(3)R(4)) - 7) | ((0.525P(1)) + (1.025N(3)R(4))) | ns | |
O6 | td(CLK-D) | 延迟时间,OSPI0_CLK 有效边沿到 OSPI0_D[7:0] 转换 | 1.8V | -7.71 | -1.56 | ns |
3.3V | -7.71 | -1.56 | ns |