ZHCSXC4A September   2024  – November 2024 AM2612

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 封装比较
    1. 4.1 相关米6体育平台手机版_好二三四
  6. 端子配置和功能
    1. 5.1 引脚图
      1. 5.1.1 AM261x ZCZ 引脚图
      2. 5.1.2 AM261x ZFG 引脚图
      3. 5.1.3 AM261x ZEJ 引脚图
      4. 5.1.4 AM261x ZNC 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
      1.      15
      2.      16
    3. 5.3 信号说明
      1.      18
      2. 5.3.1  ADC
        1.       20
        2.       21
        3.       22
      3. 5.3.2  ADC_CAL
        1.       24
      4. 5.3.3  ADC VREF
        1.       26
      5. 5.3.4  CPSW
        1.       28
        2.       29
        3.       30
        4.       31
        5.       32
        6.       33
        7.       34
      6. 5.3.5  CPTS
        1.       36
      7. 5.3.6  DAC
        1.       38
      8. 5.3.7  EPWM
        1.       40
        2.       41
        3.       42
        4.       43
        5.       44
        6.       45
        7.       46
        8.       47
        9.       48
        10.       49
      9. 5.3.8  EQEP
        1.       51
        2.       52
      10. 5.3.9  FSI
        1.       54
        2.       55
      11. 5.3.10 GPIO
        1.       57
      12. 5.3.11 GPMC0
        1.       59
      13. 5.3.12 I2C
        1.       61
        2.       62
        3.       63
      14. 5.3.13 LIN
        1.       65
        2.       66
        3.       67
      15. 5.3.14 MCAN
        1.       69
        2.       70
      16. 5.3.15 SPI (MCSPI)
        1.       72
        2.       73
        3.       74
        4.       75
      17. 5.3.16 MMC
        1.       77
      18. 5.3.17 电源
        1.       79
      19. 5.3.18 PRU-ICSS
        1.       81
        2.       82
        3.       83
        4.       84
        5.       85
      20. 5.3.19 OSPI
        1.       87
        2.       88
      21. 5.3.20 SDFM
        1.       90
        2.       91
      22. 5.3.21 系统和其他
        1. 5.3.21.1 启动模式配置
          1.        94
        2. 5.3.21.2 时钟
          1.        96
          2.        97
          3.        98
        3. 5.3.21.3 仿真和调试
          1.        100
          2.        101
        4. 5.3.21.4 系统
          1.        103
        5. 5.3.21.5 USB0
          1.        105
        6. 5.3.21.6 VMON
          1.        107
        7.       108
          1.        109
      23. 5.3.22 UART
        1.       111
        2.       112
        3.       113
        4.       114
        5.       115
        6.       116
      24. 5.3.23 XBAR
        1.       118
        2.       119
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 建议运行条件
    3. 6.3 电气特性
      1. 6.3.1 数字和模拟 IO 电气特性
    4. 6.4 热阻特性
      1. 6.4.1 封装热特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 处理器子系统
      1. 7.2.1 Arm Cortex-R5F 子系统
  9. 应用、实施和布局
    1. 8.1 器件连接和布局基本准则
      1. 8.1.1 外部振荡器
      2. 8.1.2 JTAG、仿真和跟踪
      3. 8.1.3 硬件参考设计和指南
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
      1. 9.1.1 器件命名约定
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ZFG|304
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

绝对最大额定值

在工作结温范围内测得(除非另有说明)(1)(2)
参数 最小值 最大值 单位
VDD SOC VDD 内核电源 -0.5 1.5 V
VDDAR1 SRAM 阵列电源 1 -0.5 1.5 V
VDDAR2 SRAM 阵列电源 2 -0.5 1.5 V
VDDAR3 SRAM 阵列电源 3 -0.5 1.5 V
VDDS18 来自偏置 LDO 的 1.8V IO 辅助电源通过电路板布线 -0.5 2.1 V
VDDS33 3.3V IO 电源 -0.5 4.0 V
VDDA18_OSC_PLL 用于 PLL 的 1.8V 模拟电源。从 1.8V 模拟 LDO 输出通过电路板布线 -0.5 2.1 V
VDDA33 模拟 3.3V 电源 -0.5 4.0 V
VDDA18 1.8V 模拟电源。从 1.8V 模拟 LDO 输出通过电路板布线 -0.5 2.1 V
IO 引脚稳态电压 3.3V LVCMOS IO 缓冲器 -0.3 VDDS33(3) + 0.3 V
3.3V I2C 开漏 IO 缓冲器 -0.3 VDDS33(3) + 0.3 V
XTAL 焊盘 -0.5 2.1 V
瞬态
过冲和
下冲
所有其他 IO 端子 -0.3 VDDS33(3) + 0.2 × VDDS33(3),持续高达 20% 的信号周期 V
XTAL 焊盘
VDDA18_OSC_PLL 的 20%,持续高达 20% 的信号周期
0.2 × VDDA18_OSC_PLL V
闩锁性能
II 类 (150°C) 
锁存 I-test 性能(每个 IO 引脚上的电流脉冲注入) ±100 mA
闩锁过压性能(每个 IO 引脚上的电压注入) 1.5 × VDDS33 V
输出电流 数字输出(每引脚),IOUT -20 20 mA
贮存温度(4) Tstg -55 155 °C
超出“绝对最大额定值”运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出“建议运行条件”但在“绝对最大额定值”范围内使用,器件可能不会完全正常运行,这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。
除非另有说明,否则所有电压值均以 VSS 为基准。
VDDS33 是 IC 相应电源引脚上的电压。
长期高温贮存或在最大温度条件下超期使用可能会导致器件总体使用寿命缩短。有关更多信息,请参阅“半导体和 IC 封装热指标”应用报告