ZHCSTN3C October 2023 – May 2024 AM263P4 , AM263P4-Q1
PRODUCTION DATA
参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|
VDD | 1.2V SOC 内核电源 | -0.5 | 1.5 | V |
VDDAR1 | 1.2V SRAM 阵列电源 1 | -0.5 | 1.5 | V |
VDDAR2 | 1.2V SRAM 阵列电源 2 | -0.5 | 1.5 | V |
VDDAR3 | 1.2V SRAM 阵列电源 3 | -0.5 | 1.5 | V |
VDDS18 | 来自偏置 LDO 的 1.8V IO 辅助电源通过电路板布线 | -0.5 | 2.1 | V |
VDDS33 | 3.3V IO 电源 | -0.5 | 4.0 | V |
VDDA18_OSC_PLL | 用于 PLL 的 1.8V 模拟电源。从 1.8V 模拟 LDO 输出通过电路板布线 | -0.5 | 2.1 | V |
VDDA33 | 模拟 3.3V 电源 | -0.5 | 4.0 | V |
VDDA18 | 1.8V 模拟电源。从 1.8V 模拟 LDO 输出通过电路板布线 | -0.5 | 2.1 | V |
IO 引脚稳态电压 | 3.3V LVCMOS IO 缓冲器 | -0.3 | VDDS33(3) + 0.3 | V |
3.3V I2C 开漏 IO 缓冲器 | -0.3 | VDDS33(3) + 0.3 | V | |
XTAL 焊盘 | -0.5 | 2.1 | V | |
瞬态 过冲和 下冲 |
所有其他 IO 端子 | -0.3 | VDDS33(3) + 0.2 × VDDS33(3),持续高达 20% 的信号周期 | V |
XTAL 焊盘 VDDA18_OSC_PLL 的 20%,持续高达 20% 的信号周期 |
0.2 × VDDA18_OSC_PLL | V | ||
闩锁性能 II 类 (150°C) |
锁存 I-test 性能(每个 IO 引脚上的电流脉冲注入) | ±100 | mA | |
闩锁过压性能(每个 IO 引脚上的电压注入) | 1.5 × VDDS33 | V | ||
输出电流 | 数字输出(每引脚),IOUT | -20 | 20 | mA |
贮存温度(4) | Tstg | -55 | 155 | °C |