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ZHCSTX4A November 2023 – June 2024 AM625SIP

PRODUCTION DATA

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

6.3 建议运行条件

注： 建议运行条件 表中定义的值来自集成 LPDDR4 SDRAM 数据表。有关与集成 LPDDR4 SDRAM 相关的其他建议运行条件详细信息，请参阅 Integrated Silicon Solution (ISSI®) IS43/46LQ16256B 数据表

在工作结温范围内测得（除非另有说明）

电源名称	说明		最小值⁽¹⁾	标称值	最大值⁽¹⁾	单位
VDDS_MEM_1P1⁽²⁾	SDRAM IO 电源		1.06	1.10	1.17	V
VDDS_MEM_1P8	SDRAM 内核电源		1.70	1.80	1.95	V
T_J	工作结温范围	工业	-40		95	°C

(1) 在器件正常运行期间，器件焊球上的电压在任何时间段绝不能降至 MIN 电压以下或升至 MAX 电压以上。

(2) VDDS_MEM_1P1 必须与 VDDS_DDR 使用相同的电源。