ZHCSTX4A November   2023  – June 2024 AM625SIP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 器件比较
    1. 4.1 相关米6体育平台手机版_好二三四
  6. 终端配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性和信号说明
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 运行性能点
    5. 6.5 热阻特性
      1. 6.5.1 AMK 封装的热阻特性
    6. 6.6 时序和开关特性
      1. 6.6.1 电源要求
        1. 6.6.1.1 电源排序
  8. 应用、实现和布局
    1. 7.1 外设和接口的相关设计信息
      1. 7.1.1 集成 LPDDR4 SDRAM 信息
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件命名规则
      1. 8.1.1 标准封装编号法
      2. 8.1.2 器件命名约定
    2. 8.2 工具与软件
    3. 8.3 文档支持
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • AMK|425
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

引脚属性和信号说明

本节介绍了相对于 ALW 封装 AM6254 器件具有不同电源或信号功能的 AM625SIP 器件引脚。采用 ALW 封装且通常连接到外部 SDRAM 的 AM6254 DDRSS0 信号直接连接到 AM625SIP 器件中的集成式 LPDDR4 SDRAM,并且与这些信号关联的引脚被重新分配到不同的电源或信号功能。表 5-1 包含重新分配给新电源或信号功能的焊球编号列表,以及它们的新焊球名称和信号描述。

表 5-1 在 AMK 封装上重新分配的 DDRSS0 引脚
焊球
编号
焊球名称 信号描述
M9 VDDS_DDR DDR PHY IO 电源
F2 VDDS_MEM_1P1 SDRAM IO 电源
(为 SDRAM VDD2 和 VDDQ 电源轨供电)
G2
H1
H2
N1
N2
P2
R2
U1
U2
V2
W2
M4 VDDS_MEM_1P8 SDRAM 内核电源
(为 SDRAM VDD1 电源轨供电)
N3
R3 DDR_ZQ SDRAM 校准基准(1)
(连接到 SDRAM ZQ 校准基准)
E1 VSS 接地
(连接到 SDRAM VSS 和 VSSQ 接地)
E2
E3
F1
F3
F4
G5
H5
H6
J1
J2
J3
J4
K1
K2
K3
K4
L1
L2
L5
L6
M1
M5
N6
P1
P4
P5
R1
R5
R6
T1
T4
U3
V1
V5
V6
W1
W5
Y1
必须在该引脚和 VDDS_MEM_1P1 之间连接一个外部 240Ω ±1% 电阻。该电阻的最大功耗为 8.33mW。