ZHCSRW0B February 2023 – December 2024 AM68 , AM68A
PRODUCTION DATA
图 6-28 展示了建议的晶体电路。用于实现振荡器电路的所有分立式元件应尽可能靠近 OSC1_XI 和 OSC1_XO 引脚放置。
晶体必须处于基本工作模式并且并联谐振。表 6-23 总结了所需的电气约束。
参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Fxtal | 晶体并联谐振频率 | 19.2 | 27 | MHz | |||
Fxtal | 晶体频率稳定性和容差 | 未使用以太网 RGMII 和 RMII | ±100 | ppm | |||
RGMII 和 RMII 使用衍生的时钟 | ±50 | ||||||
CL1+PCBXI | CL1 + CPCBXI 电容 | 12 | 24 | pF | |||
CL2+PCBXO | CL2 + CPCBXO 电容 | 12 | 24 | pF | |||
CL | 晶体负载电容 | 6 | 12 | pF | |||
Cshunt | 晶体电路并联电容 | 19.2MHz ≤ Fxtal ≤ 20MHz | ESRxtal ≤ 30Ω | 7 | pF | ||
30Ω ≤ ESRxtal ≤ 80Ω | 5 | pF | |||||
80Ω ≤ ESRxtal ≤ 100Ω | 3 | pF | |||||
20MHz ≤ Fxtal ≤ 24.576MHz | ESRxtal ≤ 30Ω | 7 | pF | ||||
30Ω ≤ ESRxtal ≤ 60Ω | 5 | pF | |||||
60Ω ≤ ESRxtal ≤ 80Ω | 3 | pF | |||||
不支持:80Ω ≤ ESRxtal | – | ||||||
24.576MHz ≤ Fxtal ≤ 25MHz | ESRxtal ≤ 30Ω | 7 | pF | ||||
30Ω ≤ ESRxtal ≤ 50Ω | 5 | pF | |||||
50Ω ≤ ESRxtal ≤ 80Ω | 3 | pF | |||||
不支持:80Ω ≤ ESRxtal | – | ||||||
25MHz ≤ Fxtal ≤ 27MHz | ESRxtal ≤ 30Ω | 7 | pF | ||||
30Ω ≤ ESRxtal ≤ 50Ω | 5 | pF | |||||
不支持:50Ω ≤ ESRxtal | – | ||||||
ESRxtal | 晶体有效串联电阻 | 100 | Ω |
选择晶体时,系统设计必须根据最坏情况和系统预期寿命来考虑温度和老化特性。
表 6-24 详细说明了振荡器的开关特性和输入时钟的要求。
参数 | 封装 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
CXI | XI 电容 | ALY | 1.989 | pF | |||
CXO | XO 电容 | ALY | 1.971 | pF | |||
CXIXO | XI 至 XO 互电容 | ALY | 0.01 | pF | |||
ts | 启动时间 | 9.5(1) | ms | ||||
参数 | 封装 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
CXI | XI 电容 | ALY | 1.989 | pF | |||
AND | 2.548 | pF | |||||
CXO | XO 电容 | ALY | 1.971 | pF | |||
AND | 2.878 | pF | |||||
CXIXO | XI 至 XO 互电容 | ALY | 0.01 | pF | |||
AND | 0.01 | pF | |||||
ts | 启动时间 | 9.5(1) | ms |