A. 时间戳标记:
- T0 - 3.3V 电压开始斜升至 VOPR MIN。(0ms)
- T1 - 1.8V 电压开始斜升至 VOPR MIN。(2ms)
- T2 - 低电压内核电源开始斜升至 VOPR MIN。(3ms)
- T3 - 低电压 RAM 阵列电压开始斜升至 VOPR MIN。(4ms)
- T4 - OSC1 保持稳定,PORz/MCU_PORz 置为无效以从复位状态释放处理器。(13ms)
B. 任何 MCU 或 Main 双电压 IO 电源(VDDSHVn_MCU 或 VDDSHVn)由 3.3V 电压供电以支持 3.3V 数字接口。由于 PDN 设计使用具有不同开通和斜升延时时间的不同电源,因此少数电源在 T0 和 T1 之间的启动时间可能会有所不同。
C. 任何 MCU 或 Main 双电压 IO 电源(VDDSHVn_MCU 或 VDDSHVn)由 1.8V 电压供电以支持 1.8V 数字接口。使用 eMMC 存储器时,由于 PDN 设计将电源与 VDD_MMC0 分组在一起,因此 Main 1.8V 电源的斜升电压可能与 T3 相一致。
D. VDDSHV5 支持 SD 存储卡的 MMC1 信号。如果需要实现合规的高速 SD 卡运行,则需要独立的双电压 (3.3V/1.8V) 电源和电源轨。斜升至 3.3V 的开始时间与所示的其他 3.3V 域相同。如果不需要 SD 卡或可以接受具有固定 3.3V 工作电压的标准数据速率,则可以将域与数字 IO 3.3V 电源轨分组在一起。如果 SD 卡能够在固定 1.8V 的电压下运行,则可以将域与数字 IO 1.8V 电源轨分组在一起。
E. VDDA_3P3_USB 是用于 USB 2.0 差分接口信号传输的 3.3V 模拟域。建议使用低噪声模拟电源来提供最佳信号完整性,以确保 USB 数据眼罩合规性。斜升至 3.3V 的开始时间与所示的其他 3.3V 域相同。如果不需要 USB 接口或可以容忍数据位错误,则可以直接或通过电源滤波器将域与 3.3V 数字 IO 电源轨分组在一起。
F. VDDA_1P8_<clk/pll/ana> 是 1.8V 模拟域,支持需要使用低噪声电源以实现最佳性能的时钟振荡器、PLL 和模拟电路。不建议将数字 VDDSHVn_MCU 和 VDDSHVn IO 域组合在一起,因为高频开关噪声会对时钟、PLL 和 DLL 信号的抖动性能产生负面影响。应避免组合模拟 VDDA_1p8_<phy> 域,但如果分组在一起,则需要进行直列式铁氧体磁珠电源滤波。
G. VDDA_1P8_<phy> 是 1.8V 模拟域,支持多个串行 PHY 接口。建议使用低噪声模拟电源来提最佳信号完整性、接口性能和规格符合性。如果不需要这些接口中的任何一个,可以容忍数据位错误或不合规运行,则可以直接或通过直列式电源滤波器将域与数字 IO 1.8V 电源轨分组在一起。
H. VDDA_0P8_<dll/pll> 是 0.8V 模拟域,支持需要使用低噪声电源以实现最佳性能的 PLL 和 DLL 电路。不建议将这些域与任何其他 0.8V 域组合在一起,因为高频开关噪声会对 PLL 和 DLL 信号的抖动性能产生负面影响。
I. VDD_MCU 是一个具有宽工作电压范围的数字电压域,因此可将其与 VDDAR_MCU 域或与 VDD_CORE 分组在一起;对于“组合式 MCU 和 Main 域上电时序”,VDD_MCU 可与 VDD_CORE 分组在一起,而 VDDAR_MCU 可与 VDDAR_CPU 和 VDDAR_CORE 分组在一起。如果 VDD_MCU 与 VDD_CORE 分组在一起,则 VDD_MCU 必须从 T2 处 VDD_CORE 为 0.8V 的公共电压资源斜升。如果 VDD_MCU 未与 VDD_CORE 分组在一起,则 VDD_MCU 必须在 T2 之前斜升。在任一种情况下,VDDAR 电源都必须在 T3 处斜升。
J. 在所示的最短建立时间和保持时间内,在上电序列期间将 MCU_PORz 和 PORz 置为高电平有效,从而将 MCU_BOOTMODEn(参考 MCU_VDDSHV0)和 BOOTMODEn(参考 VDDSHV2)设置锁存到寄存器中。
K. 从晶体振荡器电路通电(T1 处的 VDDA_OSC1)直至达到稳定时钟频率所需的最短时间取决于晶体振荡器、电容器参数和 PCB 寄生值。此处显示的是由 (T4 – T1) 时间戳定义的 10ms 保守时间。根据客户的时钟电路(即晶体振荡器或时钟发生器)和 PCB 设计,这一时间可以减少。
图 6-3 组合式 MCU 域和 Main 域,初级上电序列