在典型应用中，AMC0386-Q1 的高侧电源 (VDD1) 由隔离式直流/直流转换器从低侧电源 (VDD2) 生成。一种低成本的方案基于推挽式驱动器 SN6501-Q1 和支持所需隔离电压额定值的变压器。

AMC0386-Q1 无需任何特定的上电时序。高侧电源 (VDD1) 通过与低 ESR、1µF 电容器 (C2) 并联的低 ESR、100nF 电容器 (C1) 进行去耦。低侧电源 (VDD2) 同样通过与低 ESR、1µF 电容器 (C4) 并联的低 ESR、100nF 电容器 (C3) 进行去耦。将所有四个电容器（C1、C2、C3 和 C4）尽可能靠近器件放置。图 7-1 展示了 AMC0386-Q1 的去耦图。

图 7-1 AMC0386-Q1 去耦

在应用中出现的适用直流偏置条件下，电容器提供了足够的有效电容。在实际条件下，通常仅使用多层陶瓷电容器 (MLCC) 标称电容的一小部分。在选择这些电容器时，应考虑到这个因素。此问题在低厚度电容器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置关系曲线，这大大简化了元件的选型。