图 7-2 给出了布局建议，其中去耦电容器的放置尤为关键（尽可能靠近 AMC0386-Q1 电源引脚）。此部分还说明了器件所需的其他元件的放置方式。

TI 建议在 SNSP 引脚周围放置一个防护环，并将屏蔽环连接到 AGND。防护环可防止漏电流在 HVIN 和 SNSP 之间形成并联电流路径。防护环部分布置在器件下方，从而减小了高压侧和低压侧之间的间隙距离。在引脚 7 和 8 周围放置一个禁止区域（这两个引脚都没有内部连接），以恢复超过 8mm 的完整间隙距离。

为了尽可能地增加高压侧与低压侧之间的爬电距离，TI 建议在引脚 15 周围放置另一个禁止区域，如图 7-2 所示。