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ZHCSRI5D February 2008 – June 2024 AMC1203

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

PSA|8
- MPDS329
DUB|8
- MPDS247D
DW|16
- MSOI003I

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

DUB|8
- QFND302E
DW|16
- QFND313D

订购信息

5.9 电气特性

最小和最大规格的适用条件为 T_A = –40°C 至 105°C、AVDD = 4.5V 至 5.5V、DVDD = 4.5V 至 5.5V、INP = –280mV 至 280mV、INN = 0V 且 sinc³ 滤波器的 OSR = 256（除非另有说明）；典型规格的条件为 T_A = 25°C、AVDD = 5V 且 DVDD = 5.0V

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
模拟输入
C_I	AGND 的输入电容			3		pF
C_ID	差分输入电容			6		pF
R_ID	差分输入电阻			28		kΩ
I_IL	输入漏电流	INN = INP = AGND	-5		5	nA
CMTI	共模瞬态抗扰度		15			kV/μs
CMRR	共模抑制比	INP = INN，直流， V_{CM min} ≤ V_IN ≤ V_{CM max}		92		dB
CMRR	共模抑制比	INP = INN，交流高达 10kHz， V_{CM min} ≤ V_IN ≤ V_{CM max}		105		dB
直流精度
DNL	微分非线性	分辨率：16 位	-0.99		0.99	LSB
INL	积分非线性⁽²⁾	分辨率：16 位，AMC1203	-9	±3	9	LSB
INL	积分非线性⁽²⁾	分辨率：16 位，AMC1203B	-6	±2	6	LSB
E_O	失调误差⁽¹⁾⁽⁶⁾	INP = INN = AGND	-1	±0.1	1	mV
TCE_O	失调电压误差温漂⁽³⁾		-5		5	µV/°C
E_G	增益误差	T_A = 25°C，AMC1203	-2%	±0.2%	2%
E_G	增益误差	T_A = 25°C，AMC1203B	-1%	±0.2%	1%
TCE_G	增益误差温漂⁽⁴⁾			±20		ppm/°C
PSRR	电源抑制比	INP = INN = AGND， 4.5V ≤ AVDD ≤ 5.5V， 10kHz，100mV 纹波		80		dB
交流精度
SNR	信噪比	f_IN = 1kHz	80.5	85		dB
SINAD	信噪比 + 失真	f_IN = 1kHz	80	85		dB
THD	总谐波失真⁽⁵⁾	f_IN = 1kHz，AMC1203		-92	-84.5	dB
THD	总谐波失真⁽⁵⁾	f_IN = 1kHz，AMC1203B		-95	-88	dB
SFDR	无杂散动态范围	f_IN = 1kHz，AMC1203	86	92		dB
SFDR	无杂散动态范围	f_IN = 1kHz，AMC1203B	89	95		dB
CMOS 逻辑电平（采用施密特触发时）
V_OH	高电平输出电压	I_OH = -4mA	DVDD – 0.4			V
V_OH	高电平输出电压	I_OH = -8mA	DVDD – 0.8			V
V_OL	低电平输出电压	I_OL = 4mA			0.4	V
V_OL	低电平输出电压	I_OL = 8mA			0.8	V
电源
I_AVDD	高侧电源电流			6	8	mA
I_DVDD	低侧电源电流			10	12	mA

(1) 此参数以输入为基准。

(2) 根据定义，积分非线性是指距离穿过理想 ADC 传递函数端点的直线之间的最大偏差，
以 LSB 的数量表示，或以指定线性满标量程 FSR 的百分比表示。

(3) 使用框方法计算失调电压误差温漂，如以下公式所述：
TCE_O = (E_O,MAX – E_O,MIN)/TempRange，其中 E_O,MAX 和 E_O,MIN 是指在温度范围（–40℃ 至 105℃）内测得的最大和最小 E_O 值。

(4) 使用框方法计算增益误差温漂，如以下公式所述：
TCE_G (ppm) = ((E_G,MAX - E_G,MIN)/TempRange) x 10⁴，其中 E_G,MAX 和 E_G,MIN 是指在温度范围（–40℃ 至 105℃）内测得的最大和最小 E_G 值（表示为 %）。

(5) THD 是前五个高次谐波幅度的均方根和与基波幅度之比。

(6) 确保包括温漂在内的最大值均在整个额定温度范围内。