AMC131M01 由标称值为 3.3V（或 5V）±10% 的低侧电源 (DVDD) 供电。在尽可能靠近 DVDD 引脚的位置放置一个 1nF 的低 ESR 去耦电容器（图 9-8 中的 C15），然后放置一个 1µF 电容器 (C16) 以对该电源路径进行滤波。

低侧电源 (DVDD) 是运行 AMC131M01 所需的唯一外部电源。所有内部电压电源和次级（高侧）电源均由集成直流/直流转换器和高侧 LDO 生成，例如输出引脚 DCDC_OUT 和 HLDO_OUT 上的电源电压。

直流/直流转换器的初级侧通过靠近器件且位于 DCDC_CAP 和 DGND 引脚之间的低 ESR 100nF 电容器 (C17) 去耦。除了尽可能靠近器件放置并连接在 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引脚之间的低 ESR、1nF 电容器 (C1) 之外，使用 1µF 电容器 (C6) 对高侧去耦。

为改善 EMI 性能，分别在 DCDC_OUT 和 HLDO_IN 引脚之间 (F1) 与 DCDC_HGND 和 HGND 引脚之间 (F2) 放置一个铁氧体磁珠。

对于高侧 LDO，使用 1nF 的低 ESR 电容器 (C11)，尽可能靠近 AMC131M01 放置，然后在 HLDO_OUT 和 HGND 引脚之间连接一个 100nF 去耦电容器 (C13)。

高侧接地基准 (HGND) 由连接到器件负输入端 (AIN0N) 的分流电阻器端子提供。为获得更高直流精度，请使用单独的引线进行此连接，而不是直接在器件输入端将 HGND 短接至 AIN0N。

图 9-8 电源去耦 AMC131M01

在应用中出现的适用直流偏置条件下，电容器必须能够提供足够的有效电容。在实际条件下，通常仅使用 MLCC 标称电容的一小部分，因此在选择这些电容器时，必须考虑到这个因素。此问题在低厚度电容器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置关系曲线，这大大简化了元件选型过程。

表 9-3 列出了适用于 AMC131M01 的元件。此列表并不是详尽无遗。可能存在同样合适（或更好）的其他元件，但这些列出的元件已在 AMC131M01 的开发过程中得到验证。