ZHCSQP3B September 2023 – September 2023 AMC131M03
PRODUCTION DATA
AMC131M03 由标称值为 3.3V(或 5V)±10% 的低侧电源 (DVDD) 供电。在尽可能靠近 DVDD 引脚的位置放置一个 1nF 的低 ESR 去耦电容器(图 9-8 中的 C15),然后放置一个 1µF 电容器 (C16) 以对该电源路径进行滤波。
低侧电源 (DVDD) 是运行 AMC131M03 所需的唯一外部电源。所有内部电压电源和次级(高侧)电源均由集成直流/直流转换器和高侧 LDO 生成,例如输出引脚 DCDC_OUT 和 HLDO_OUT 上的电源电压。
直流/直流转换器的初级侧通过靠近器件且位于 DCDC_CAP 和 DGND 引脚之间的低 ESR 100nF 电容器 (C17) 去耦。除了尽可能靠近器件放置并连接在 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引脚之间的低 ESR、1nF 电容器 (C1) 之外,使用 1µF 电容器 (C6) 对高侧去耦。
为改善 EMI 性能,分别在 DCDC_OUT 和 HLDO_IN 引脚之间 (F1) 与 DCDC_HGND 和 HGND 引脚之间 (F2) 放置一个铁氧体磁珠。
对于高侧 LDO,使用 1nF 的低 ESR 电容器 (C11),尽可能靠近 AMC131M03 放置,然后在 HLDO_OUT 和 HGND 引脚之间连接一个 100nF 去耦电容器 (C13)。
高侧接地基准 (HGND) 由连接到器件负输入端 (AIN0N) 的分流电阻器端子提供。为获得更高直流精度,请使用单独的引线进行此连接,而不是直接在器件输入端将 HGND 短接至 AIN0N。
在应用中出现的适用直流偏置条件下,电容器必须能够提供足够的有效电容。在实际条件下,通常仅使用 MLCC 标称电容的一小部分,因此在选择这些电容器时,必须考虑到这个因素。此问题在低厚度电容器中尤为严重,在该类电容器中,电容器越薄,电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置关系曲线,这大大简化了元件选型过程。
表 9-3 列出了适用于 AMC131M03 的元件。此列表并不是详尽无遗。可能存在同样合适(或更好)的其他元件,但这些列出的元件已在 AMC131M03 的开发过程中得到验证。
COMP | 说明 | 器件型号 | 制造商 | 大小(EIA,L x W) |
---|---|---|---|---|
DVDD | ||||
C15 | 1nF ± 10%,X7R,50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206,3.2mm x 1.6mm |
C16 | 1µF ± 10%,X7R,25V | 12063C105KAT2A | AVX | 1206,3.2mm x 1.6mm |
直流/直流转换器 | ||||
C17 | 100nF ± 10%,X7R,50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet(基美) | 0603,1.6mm x 0.8mm |
C1 | 1nF ± 10%,X7R,50V | C0603C102K5RACTU | Kemet(基美) | 0603,1.6mm x 0.8mm |
C6 | 1µF ± 10%,X7R,25V | CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603,1.6mm x 0.8mm |
F1、F2 | 铁氧体磁珠 | 74269244182 | Wurth Elektronik(伍尔特电子) | 0402,1.0mm x 0.5mm |
HLDO | ||||
C24 | 100nF ± 10%,X7R,50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet(基美) | 0603,1.6mm x 0.8mm |
C10 | 1nF ± 10%,X7R,50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206,3.2mm x 1.6mm |
C13 | 100nF ± 5%,NP0,50V | C3216NP01H104J160AA | TDK | 1206,3.2mm x 1.6mm |
C11 | 1nF ± 10%,X7R,50V | 12065C102KAT2A | AVX | 1206,3.2mm x 1.6mm |