AMC23C10 提供了一个开漏输出和一个推挽输出。当 V_INP 大于 V_INN 时，开漏输出主动拉至低电平，而当 V_INP 小于 V_INN 电平时，该输出返回高阻抗状态（高阻态）。当 V_INP 大于 V_INN 时，推挽输出主动驱动为高电平，而当 V_INP 小于 V_INN 电平时，该输出主动驱动为低电平。该比较器具有以 V_INN 为中心的内置迟滞 (V_HYS)，具体请参阅GUID-4900AD6E-3F5D-49D3-858D-B0E62B2E640C.html#GUID-3252EDC0-9EA0-4050-A6E3-24F09731A857。

开漏输出通过二极管连接到 VDD2 电源（请参阅GUID-8FFA5117-AA67-4583-922B-45F1F6CF6B8A.html#TITLE-SBAS945SBAS7861006），这意味着在较大的电流开始流向 OUT1 引脚前，不能将该输出拉高到超过 VDD2 电源 500mV。特别是，如果 VDD2 为 GND2 电平，该开漏输出会被钳位至一个高于地的二极管电压。这种行为由GUID-D5C85844-69B0-4C32-8DC4-B54BC6FF13B6.html#FIG_ABM_4GL_TRB 至GUID-D5C85844-69B0-4C32-8DC4-B54BC6FF13B6.html#FIG_PRL_ZNL_TRB 中的灰色阴影表示。

在系统级别上，开漏信号线的 CMTI 性能取决于上拉电阻的值。在具有高压摆率（高 dV/dt）的共模瞬态事件期间，由于印刷电路板 (PCB) 高侧和低侧之间的寄生电容耦合，开漏信号线可能被拉至低电平。寄生耦合对信号电平的影响是上拉强度的函数，上拉电阻值越小，CMTI 性能越好。AMC23C10 的特点是上拉电阻值较弱，为 10 kΩ ，以确保在具有 4.7kΩ 或更低的上拉电阻的典型应用中满足指定的 CMTI 性能。