ZHCSTV2 August   2024 AMC3306M25-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 时序图
    12. 5.12 绝缘特性曲线
    13. 5.13 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 模拟输入
      2. 6.3.2 调制器
      3. 6.3.3 隔离通道信号传输
      4. 6.3.4 数字输出
        1. 6.3.4.1 满标量程输入情况下的输出行为
        2. 6.3.4.2 高侧电源故障情况下的输出行为
      5. 6.3.5 隔离式直流/直流转换器
      6. 6.3.6 诊断输出
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 数字滤波器用途
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 车载充电器 (OBC) 应用
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 分流电阻器阻值调整
          2. 7.2.1.2.2 输入滤波器设计
          3. 7.2.1.2.3 位流滤波
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 最佳设计实践
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DWE|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3 电源相关建议

AMC3306M25-Q1 由标称值为 3.3V 或 5V 的低侧电源 (VDD) 供电。将一个 1nF 低 ESR 去耦电容器（图 7-4 中的 C8）尽可能靠近 VDD 引脚放置。在 1nF 电容器之后接上一个 1µF 电容器 (C9)，以对此电源路径进行滤波。

通过靠近器件且位于 DCDC_IN 和 DCDC_GND 引脚之间的 100nF 低 ESR 电容器 (C4) 对直流/直流转换器的低侧去耦。使用 1µF 电容器 (C2) 对高侧去耦。此外，将 1nF 低 ESR 电容器 (C3) 尽可能靠近器件放置，并将该电容器连接到 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引脚。

对于高侧 LDO，使用 1nF 低 ESR 电容器 (C6)，尽可能靠近 AMC3306M25-Q1 放置，然后使用 100nF 去耦电容器 (C5)。

高侧接地基准 (HGND) 由连接到器件负输入端 (INN) 的分流电阻器端子提供。为获得更高 DC 精度，请使用单独的引线进行此连接，而不是直接在器件输入端将 HGND 短接至 INN。高侧直流/直流接地端子 (DCDC_HGND) 直接在器件引脚处短接到 HGND。

AMC3306M25-Q1 对 AMC3306M25-Q1 去耦图 7-4 对 AMC3306M25-Q1 去耦

在应用中出现的适用直流偏置条件下，确保电容器能够提供足够的有效 电容。在实际条件下，通常仅使用 MLCC 电容器标称电容的一小部分，因此在选择这些电容器时，应考虑到这个因素。此问题在低厚度电容器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置关系曲线，这大大简化了元件的选型。

可从 www.ti.com 下载衰减 AMC3301 系列辐射发射 EMI 的优秀实践 应用手册。

表 7-2 列出了推荐用于 AMC3306M25-Q1 的元件。此列表并不是详尽无遗。可能存在具有同等能力（或更好）的其他元件，但这些列出的元件已在 AMC3306M25-Q1 的开发过程中得到验证。

表 7-2 推荐的外部元件
说明 器件型号 制造商 大小（EIA，L x W）
VDD
C8 1nF ± 10%，X7R，50V 12065C102KAT2A(1) AVX 1206，3.2mm × 1.6mm
C0603C102K5RACTU Kemet 0603，1.6mm × 0.8mm
C9 1µF ± 10%，X7R，25V 12063C105KAT2A(1) AVX 1206，3.2mm × 1.6mm
CGA3E1X7R1E105K080AC TDK 0603，1.6mm × 0.8mm
直流/直流转换器
C4 100nF ± 10%，X7R，50V C0603C104K5RACAUTO Kemet 0603，1.6mm × 0.8mm
C3 1nF ± 10%，X7R，50V C0603C102K5RACTU Kemet 0603，1.6mm × 0.8mm
C2 1µF ± 10%，X7R，25V CGA3E1X7R1E105K080AC TDK 0603，1.6mm × 0.8mm
HLDO
C1 100nF ± 10%，X7R，50V C0603C104K5RACAUTO Kemet 0603，1.6mm × 0.8mm
C5 100nF ± 5%，NP0，50V C3216NP01H104J160AA(1) TDK 1206，3.2mm × 1.6mm
100nF ± 10%，X7R，50V C0603C104K5RACAUTO Kemet 0603，1.6mm × 0.8mm
C6 1nF ± 10%，X7R，50V 12065C102KAT2A(1) AVX 1206，3.2mm × 1.6mm
C0603C102K5RACTU Kemet 0603，1.6mm × 0.8mm
铁氧体磁珠
FB1、FB2、FB3 铁氧体磁珠(2) 74269244182 Wurth Elektronik 0402，1.0mm × 0.5mm
BLM15HD182SH1 Murata 0402，1.0mm × 0.5mm
BKH1005LM182-T Taiyo Yuden 0402，1.0mm × 0.5mm
(1) 用于参数验证的元件。
(2) 没有用于参数验证的铁氧体磁珠。
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