米6体育平台手机版

ZHCSTV2 August 2024 AMC3306M25-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

DWE|16

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcstv2_oa

5.9 电气特性

各种最小和最大规格的适用条件为：T_A = –40°C 至 +125°C，VDD = 3.0V 至 5.5V，INP = –250mV 至 +250mV，INN = 0V 且 sinc³ 滤波器的 OSR = 256（除非另有说明）；典型值的适用条件为：T_A = 25°C，CLKIN = 20MHz，VDD = 3.3V

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
模拟输入
R_IN	单端输入电阻	INN = HGND		19		kΩ
R_IND	差分输入电阻			22		kΩ
I_IB	输入偏置电流	INP = INN = HGND； I_IB = (I_IBP + I_IBN) / 2	-41	-30	-24	μA
I_IO	输入失调电流⁽¹⁾	I_IO = I_IBP – I_IBN；INP = INN = HGND		±10		nA
C_IN	单端输入电容	INN = HGND，f_IN = 310kHz		2		pF
C_IND	差分输入电容	f_IN = 310kHz		1		pF
精度
E_O	失调电压误差⁽¹⁾	INN = INP = HGND，T_A = 25°C	-50	±10	50	µV
TCE_O	失调电压误差热漂移⁽⁴⁾	INN = INP = HGND	-1		1	µV/°C
E_G	增益误差	T_A = 25°C	-0.2%	±0.005%	0.2%	%
TCE_G	增益误差漂移⁽⁵⁾		-35		35	ppm/°C
DNL	微分非线性	分辨率：16 位	-0.99		0.99	LSB
INL	积分非线性	分辨率：16 位	-4	±1	4	LSB
SNR	信噪比	f_IN = 1kHz	81	83		dB
SINAD	信纳比	f_IN = 1kHz	79	82.5		dB
THD	总谐波失真⁽³⁾	5MHz ≤ f_CLKIN ≤ 21MHz，f_IN = 1kHz		-96	-88	dB
SFDR	无杂散动态范围	f_IN = 1kHz	88	97		dB
CMRR	共模抑制比	f_IN = 0Hz，V_{CM min} ≤ V_IN ≤ V_{CM max}		-95		dB
CMRR	共模抑制比	f_IN = 10kHz，V_{CM min} ≤ V_IN ≤ V_{CM max}，V_INP = V_INN = 500mV_PP		-84		dB
PSRR	电源抑制比	VDD 从 3.0V 到 5.5V，直流		-120		dB
PSRR	电源抑制比	INP = INN = HGND，VDD 为 3.0V 至 5.5V，10kHz，100mV 纹波		-120		dB
数字 I/O
I_IN	输入漏电流	GND ≤ V_IN ≤ VDD	0		7	μA
C_IN	输入电容			4		pF
V_IH	高电平输入电压		0.7 × VDD		VDD + 0.3	V
V_IL	低电平输入电压		-0.3		0.3 × VDD	V
C_LOAD	输出负载电容			15	30	pF
V_OH	高电平输出电压	I_OH = -20µA	VDD – 0.1			V
V_OH	高电平输出电压	I_OH = -4mA	VDD – 0.4			V
V_OL	低电平输出电压	I_OL = 20µA			0.1	V
V_OL	低电平输出电压	I_OL = 4mA			0.4	V
CMTI	共模瞬态抗扰度		75	135		kV/μs
电源
IDD	低侧电源电流	HLDO 上无外部负载		26	40	mA
IDD	低侧电源电流	HLDO 上 1mA 无外部负载		28	42	mA
VDD_UV	VDD 模拟欠压检测阈值	VDD 上升			2.9	V
VDD_UV	VDD 模拟欠压检测阈值	VDD 下降			2.8	V
VDD_POR	VDD 数字复位阈值	VDD 上升			2.5	V
VDD_POR	VDD 数字复位阈值	VDD 下降			2.4	V
V_{DCDC_OUT}	直流/直流输出电压	DCDC_OUT 至 HGND	3.1	3.5	4.65	V
V_DCDCUV	直流/直流输出欠压检测阈值电压	V_{DCDC_OUT} 下降	2.1	2.25		V
V_{HLDO_OUT}	高侧 LDO 输出电压	HLDO_OUT 至 HGND，高达 1mA 的外部负载⁽²⁾	3	3.2	3.4	V
V_HLDOUV	高侧 LDO 输出欠压检测阈值电压	V_{HLDO_OUT} 下降	2.4	2.6		V
I_H	辅助电路的高侧电源电流	负载从 HLDO_OUT 连接到 HGND；非开关； –40℃ ≤ T_A ≤ 85℃⁽²⁾			1	mA
t_START	器件启动时间	VDD 步进至 3.0V 使位流有效		0.9	1.4	ms

(1) 典型值包括标称运行条件下的一个 Σ 统计变化。

(2) 高侧 LDO 仅在 T_A 不超过 85℃ 时支持满外部负载 (I_H)。有关更多详细信息，请参阅隔离式直流/直流转换器 部分。

(3) THD 是前五个高次谐波幅度的均方根和与基波幅度之比。

(4) 使用框方法计算失调电压误差温漂，如以下公式所述：
TCE_O = (E_O,MAX – E_O,MIN)/TempRange，其中 E_O,MAX 和 E_O,MIN 是指在温度范围（–40℃ 至 125℃）内测得的最大和最小 E_O 值。

(5) 使用框方法计算增益误差温漂，如以下公式所述：
TCE_G (ppm) = ((E_G,MAX - E_G,MIN)/TempRange) x 10⁴，其中 E_G,MAX 和 E_G,MIN 是指在温度范围（–40℃ 至 125℃）内测得的最大和最小 E_G 值（表示为 %）。