ZHCSRB2A June 2023 – August 2023 AMC3311-Q1
PRODUCTION DATA
8.4 电源相关建议
AMC3311-Q1 由标称值为 3.3V（或 5V）的低侧电源 (VDD) 供电。使用一个尽可能靠近 VDD 引脚放置的 1nF 低 ESR 去耦电容器（图 8-5 中的 C8），然后放置一个 1µF 电容器 (C9) 以对该电源路径进行滤波。
直流/直流转换器的低侧通过靠近器件且位于 DCDC_IN 和 DCDC_GND 引脚之间的低 ESR 100nF 电容器 (C4) 去耦。除了尽可能靠近器件放置并连接到 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引脚的低 ESR、1nF 电容器 (C3) 之外，使用 1µF 电容器 (C2) 对高侧去耦。
对于高侧 LDO，使用 1nF 的低 ESR 电容器 (C6)，尽可能靠近 AMC3311-Q1 放置，然后使用 100nF 去耦电容器 (C5)。
如图 8-5 所示，在 IN 和 HGND 信号线上放置铁氧体磁珠，以获得出色的 EMI 性能。有关降低辐射发射的更多信息和元件选型指南，请参阅衰减 AMC3301 系列辐射发射 EMI 的最佳实践应用手册（可从 www.ti.com 下载）
图 8-5 解耦 AMC3311-Q1在应用中出现的适用直流偏置条件下，电容器必须能够提供足够的有效电容。在实际条件下，通常仅使用多层陶瓷电容器 (MLCC) 电容器标称电容的一小部分，因此在选择这些电容器时，必须考虑到这个因素。此问题在低厚度电容器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置关系曲线，这大大简化了元件选型过程。
表 8-3 列出了适用于 AMC3311-Q1 的元件。此列表并不是详尽无遗。可能存在同样合适（或更好）的其他元件，但这些列出的元件已在 AMC3311-Q1 的开发过程中得到验证。
| 说明 | 器件型号 | 制造商 | 大小（EIA，L x W） | |
|---|---|---|---|---|
| VDD | ||||
| C8 | 1nF ± 10%，X7R，50V | 12065C102KAT2A(1) | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm | ||
| C9 | 1µF ± 10%，X7R，25V | 12063C105KAT2A(1) | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603，1.6mm x 0.8mm | ||
| 直流/直流转换器 | ||||
| C4 | 100nF ± 10%，X7R，50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C3 | 1nF ± 10%，X7R，50V | C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C2 | 1µF ± 10%，X7R，25V | CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| HLDO | ||||
| C1 | 100nF ± 10%，X7R，50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C5 | 100nF ± 5%，NP0，50V | C3216NP01H104J160AA(1) | TDK | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| 100nF ± 10%，X7R，50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm | |
| C6 | 1nF ± 10%，X7R，50V | 12065C102KAT2A(1) | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm | ||
| 铁氧体磁珠 | ||||
| FB1、FB2 | 铁氧体磁珠(2) | 74269244182 | Wurth Elektronik | 0402，1.0mm x 0.5mm |
| BLM15HD182SH1 | Murata | 0402，1.0mm x 0.5mm | ||
| BKH1005LM182-T | Taiyo Yuden | 0402，1.0mm x 0.5mm | ||