ZHCSHS3D May 2017 – September 2024 AWR1642
PRODUCTION DATA
参数(1)(2) | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|
VDDIN | 1.2V 数字电源 | -0.5 | 1.4 | V |
VIN_SRAM | 用于内部 SRAM 的 1.2V 电源轨 | -0.5 | 1.4 | V |
VNWA | 用于 SRAM 阵列反馈偏置的 1.2V 电源轨 | -0.5 | 1.4 | V |
VIOIN | I/O 电源(3.3V 或 1.8V):所有 CMOS I/O 都将在此电源上运行。 | -0.5 | 3.8 | V |
VIOIN_18 | 用于 CMOS IO 的 1.8V 电源 | -0.5 | 2 | V |
VIN_18CLK | 用于时钟模块的 1.8V 电源 | -0.5 | 2 | V |
VIOIN_18DIFF | 用于 LVDS 端口的 1.8V 电源 | -0.5 | 2 | V |
VIN_13RF1 | 1.3V 模拟和射频电源,VIN_13RF1 和 VIN_13RF2 可以在电路板上短接。 | -0.5 | 1.45 | V |
VIN_13RF2 | ||||
VIN_13RF1 | 1V 内部 LDO 旁路模式。器件支持外部电源管理模块可在 VIN_13RF1 和 VIN_13RF2 电源轨上提供 1V 电压的模式。在该配置中,器件的内部 LDO 将保持旁路状态。 | -0.5 | 1.4 | V |
VIN_13RF2 | ||||
VIN_18BB | 1.8V 模拟基带电源 | -0.5 | 2 | V |
VIN_18VCO 电源 | 1.8V 射频 VCO 电源 | -0.5 | 2 | V |
RX1-4 | 射频输入端上的外部施加电源 | 10 | dBm | |
TX1-3 | 射频输出端上的外部施加电源(3) | 10 | dBm | |
输入和输出电压范围 | 双电压 LVCMOS 输入,3.3V 或 1.8V(稳态) | -0.3V | VIOIN + 0.3 | V |
双电压 LVCMOS 输入,在 3.3V/1.8V (瞬态过冲/下冲)条件下运行,或外部振荡器输入 | VIOIN + 20%,高达 信号周期的 20% | |||
CLKP、CLKM | 基准晶体的输入端口 | -0.5 | 2 | V |
钳位电流 | 输入或输出电压高于或低于各自电源轨 0.3V。限制流经 I/O 内部二极管保护单元的钳位电流。 | -20 | 20 | mA |
TJ | 工作结温范围 | -40 | 125 | °C |
TSTG | 焊接到 PC 板上后的贮存温度范围 | -55 | 150 | °C |