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ZHCSJ79D December 2018 – September 2024 AWR1843

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

ABL|161

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.1 绝对最大额定值

参数⁽¹⁾⁽²⁾		最小值	最大值	单位
VDDIN	1.2V 数字电源	-0.5	1.4	V
VIN_SRAM	用于内部 SRAM 的 1.2V 电源轨	-0.5	1.4	V
VNWA	用于 SRAM 阵列反馈偏置的 1.2V 电源轨	-0.5	1.4	V
VIOIN	I/O 电源（3.3V 或 1.8V）：所有 CMOS I/O 都将在此电源上运行。	-0.5	3.8	V
VIOIN_18	用于 CMOS IO 的 1.8V 电源	-0.5	2	V
VIN_18CLK	用于时钟模块的 1.8V 电源	-0.5	2	V
VIOIN_18DIFF	用于 LVDS 端口的 1.8V 电源	-0.5	2	V
VIN_13RF1	1.3V 模拟和射频电源，VIN_13RF1 和 VIN_13RF2 可以在电路板上短接。	-0.5	1.45	V
VIN_13RF2	1.3V 模拟和射频电源，VIN_13RF1 和 VIN_13RF2 可以在电路板上短接。	-0.5	1.45	V
VIN_13RF1	1V 内部 LDO 旁路模式。器件支持外部电源管理模块可在 VIN_13RF1 和 VIN_13RF2 电源轨上提供 1V 电压的模式。在该配置中，器件的内部 LDO 将保持旁路状态。	-0.5	1.4	V
VIN_13RF2		-0.5	1.4	V
VIN_18BB	1.8V 模拟基带电源	-0.5	2	V
VIN_18VCO 电源	1.8V 射频 VCO 电源	-0.5	2	V
RX1-4	射频输入端上的外部施加电源		10	dBm
TX1-3	射频输出端上的外部施加电源⁽³⁾		10	dBm
输入和输出电压范围	双电压 LVCMOS 输入，3.3V 或 1.8V（稳态）	-0.3V	VIOIN + 0.3	V
输入和输出电压范围	双电压 LVCMOS 输入，在 3.3V/1.8V （瞬态过冲/下冲）条件下运行，或外部振荡器输入	VIOIN + 20%，高达信号周期的 20%		V
CLKP、CLKM	基准晶体的输入端口	-0.5	2	V
钳位电流	输入或输出电压高于或低于各自电源轨 0.3V。限制流经 I/O 内部二极管保护单元的钳位电流。	-20	20	mA
T_J	工作结温范围	-40	125	°C
T_STG	焊接到 PC 板上后的贮存温度范围	-55	150	°C

(1) 应力超出绝对最大额定值 下面列出的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为应力等级，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

(2) 除非另有说明，所有电压值均相对于 V_SS。

(3) 此值用于 TX 上外部施加的信号电平。此外，可以在 TX 输出端上应用高达伽马 = 1 的反射系数。