在运行过程中，为了防止器件因过热而损坏，会监控裸片的结温 T_J。当 T_J 达到 T_{SHUT_RISING} 时，器件停止充电操作，并且 VSYS 关闭。如果在向器件（电池或适配器）供电之前 T_J > T_{SHUT_RISING}，无论 TSMR 引脚如何，输入 FET 和 BATFET 都不会导通。此后，当温度降至低于 T_{SHUT_FALLING} 时，如果存在 VIN 或处于仅电池模式，器件将自动上电。

在充电过程中，为了防止器件过热，器件会监控裸片的结温，并在 T_J 达到热调节阈值 (T_REG) 时根据 THERM_REG 设置所设置的位减小充电电流。如果充电电流降至 0，则电池会提供为 SYS 输出供电所需的电流。可通过 I²C 禁用热调节。

确保系统功率损耗在器件的限制范围内。可以使用以下公式计算器件的功率损耗：

P_DISS = P_SYS + P_BAT

其中：

P_SYS = (V_IN – V_SYS) * I_IN

P_BAT = (V_SYS – V_BAT) * I_BAT

可使用以下公式，根据预期的电路板性能估算裸片结温 T_J：

T_J = T_A + θ_JA * P_DISS

θ_JA 在很大程度上取决于电路板布局布线。更多有关新旧热指标的信息，请参阅 IC 封装热指标应用报告。在典型条件下，处于这种状态的时间非常短。