ZHCSNR9 November 2021 BQ25173
PRODUCTION DATA
引脚 | I/O(1) | 说明 | |
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名称 | 编号 | ||
IN | 1 | P | 输入电源。连接到外部直流电源。在靠近 IC 的位置使用至少 1μF 的电容器将 IN 旁路至 GND。 |
ISET | 2 | I | 对器件快速充电电流 ICHG 进行编程。ISET 与 GND 之间的外部电阻定义了快速充电电流值。预期范围为 30kΩ (10mA) 至 375Ω (800mA)。ICHG = KISET / RISET。 |
CE | 3 | I | 低电平有效充电使能引脚。当 CE 引脚为低电平时,充电启用。当 CE 引脚为高电平时,IC 保持在关断模式并且充电被禁用。如果此引脚悬空,则默认情况下,内部下拉电阻 (RPD_CE) 将使能 IC。 |
GND | 4 | - | 接地引脚。 |
STAT | 5 | O | 开漏充电器状态指示输出。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。低电平表示 VOUT 已达到可编程稳压电压 VREG 的 98%。高电平表示正在充电。 |
PG | 6 | O | 开漏充电器电源正常状态输出。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。当 VIN > VIN_LOWV 且 VOUT + VSLEEPZ < VIN < VIN_OV 时,PG 变为低电平。 |
FB | 7 | I | 对超级电容器稳压电压 VREG 进行编程。在 VOUT 至 GND 之间使用不超过 1MΩ 的反馈分压器来设置稳压电压。电阻分压器网络的底部可以连接到 PG,以便在移除输入时降低功耗(对于 VREG ≤ 5V)。 |
OUT | 8 | P | 超级电容器连接。系统负载可以与超级电容器并联。在靠近 IC 的位置使用至少 1μF 的电容器将 OUT 旁路至 GND。 |
散热焊盘 | — | P | IC 下方的外露焊盘用于散热。将散热焊盘焊接到电路板上并使用通孔连接到实心 GND 平面。 |