为了更大限度减少开关损耗，应该尽可能缩短开关节点的上升和下降时间。为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，请务必确保元件布局合理，以尽可能减小高频电流路径环路（参阅 图 12-1）。请仔细按照以下特定顺序来实现正确的布局。

• 将输入电容器尽可能靠近 PMID 引脚放置，并使用最短的粗覆铜布线将输入电容器连接到 PMID 引脚和 GND 平面。
• 至关重要的是，器件背面裸露的散热焊盘应焊接至 PCB 接地。确保 IC 正下方有足够的热过孔，且连接到其他层上的接地平面。将 GND 引脚连接到顶层上的散热焊盘。
• 将输出电容器靠近电感器输出端子和充电器器件放置。接地连接需要通过短覆铜布线或 GND 平面连接至 IC 接地
• 将电感器输入端子尽可能靠近 SW 引脚放置，并限制 SW 节点覆铜面积，以降低电场和磁场辐射。不要为此连接并联使用多个层。更大限度地降低从此区域到任何其他布线或平面的寄生电容。
• 如果可能，模拟接地应与电源接地分开布线。使用散热焊盘作为充电器器件下方的单一接地连接点，将模拟接地和电源接地连接在一起。如果没有多个接地平面，则可以将所有接地连接到单个接地平面。
• 去耦电容器应放置在器件引脚附近，并尽可能缩短布线连接。
• 对于高输入电压和高充电电流应用，应该在 GND 上规划足够的覆铜面积，以便耗散功率损耗所产生的热量。
• 确保过孔的数量和尺寸能够为给定电流路径提供足够的铜

图 12-1 高频电流路径