6 引脚配置和功能

BQ25618E BQ25619E BQ25618E YFF 封装30 引脚 WCSP顶视图

图 6-1 BQ25618E YFF 封装30 引脚 WCSP顶视图

BQ25618E BQ25619E BQ25619E RTW 封装24 引脚 WQFN顶视图

图 6-2 BQ25619E RTW 封装24 引脚 WQFN顶视图

表 6-1 引脚功能

引脚			类型⁽¹⁾	说明
名称	BQ25618E 编号	BQ25619E 编号	类型⁽¹⁾	说明
BAT	C1、D1、E1、F1	13、14	P	指向电池包正极端子的电池连接。内部电流检测电阻器连接在 SYS 和 BAT 之间。将 10µF 电容器连接到紧靠 BAT 引脚的位置。
BATSNS	F3	10	AIO	用于充电电压调节的电池电压检测引脚。为了更大限度地减小充电期间的寄生引线电阻，BATSNS 引脚应连接到尽可能靠近电池包正极端子的位置。
BTST	C3	21	P	PWM 高侧驱动器正电源。在内部，BTST 连接到自举二极管的阴极。在 SW 和 BTST 之间连接一个 0.047μF 自举电容器。
CE	E3	9	DI	充电使能引脚。当该引脚被驱动为低电平时，电池充电启用。
GND	A1、B1	17、18	P	接地
INT	F4	7	DO	开漏中断输出。通过 10kΩ 电阻器将 INT 连接到逻辑轨。INT 引脚向主机发送一个低电平有效的 256μs 脉冲，以报告充电器器件状态和故障。
NC	B5、D5	8	—	未连接。保持该引脚悬空。
PMID	A3、B3	23	DO	连接至反向阻断 MOSFET (RBFET) 的漏极和 HSFET 的漏极。考虑总输入电容，在 VBUS 和 GND 之间放置 1μF 电容，其余电容置于 PMID 和 GND 之间（典型值为 2x4.7μF + 1nF）。
PG	不适用	3	DO	开漏低电平有效电源正常指示器。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。如果输入电压介于 UVLO 和 ACOV 之间，高于睡眠模式阈值且电流限制高于 30mA，则低电平表示输入源正常。PG 仅适用于 BQ25619E，不适用于 BQ25618E。
PSEL	C5	2	DI	电源选择输入。高电平表示输入电流限制为 500mA。低电平表示输入电流限制为 2.4A。器件进入主机模式后，主机可以将不同的输入电流限制编程到 IINDPM 寄存器。
QON	D4	12	DI	BATFET 使能/复位控制输入。当 BATFET 处于运输模式时，逻辑低电平持续 t_SHIPMODE 时间将导通 BATFET 以退出运输模式。当 BATFET 不处于运输模式时，逻辑低电平持续 t_{QON_RST} 时间（最短 8s）将通过使 BATFET 关断 t_{BATFET_RST} 时间（最短 250ms）来复位 SYS（系统电源），然后重新启用 BATFET 以提供完全系统电源复位。主机通过 I²C 位 BATFET_RST_WVBUS 在 VBUS 拔出或未拔出的情况下选择 BATFET 复位功能。该引脚通过 200kΩ 电阻器上拉至 V_BAT，以便在运输模式下保持默认的逻辑高电平。它有一个 6.5V 的内部钳位电压。
REGN	C4	22	P	PWM 低侧驱动器正电源输出。在内部，REGN 连接到自举二极管的阳极。在 REGN 到模拟 GND 之间连接一个 4.7μF（额定电压为 10V）的陶瓷电容器。电容器应靠近 IC 放置。
SCL	F5	5	DI	I²C 接口时钟。通过 10kΩ 电阻器将 SCL 连接到逻辑轨。
SDA	E4	6	DIO	I²C 接口数据。通过 10kΩ 电阻器将 SDA 连接到逻辑轨。
STAT	E5	4	DO	开漏中断输出。通过 10kΩ 电阻器将 STAT 引脚连接到逻辑轨。STAT 引脚指示充电器状态。正在进行充电：低电平充电完成或充电器处于睡眠模式：高电平充电暂停（故障响应）：以 1Hz 的频率闪烁
SW	A2、B2	19、20	P	连接到输出电感器的开关节点。在内部，SW 连接至 N 沟道 HSFET 的源极和 N 沟道 LSFET 的漏极。在 SW 和 BTST 之间连接一个 0.047μF 自举电容器。
SYS	C2、D2、E2、F2	15、16	P	转换器输出连接点。内部电流检测电阻器连接在 SYS 和 BAT 之间。将 10µF（最小值）连接到紧靠 SYS 引脚的位置。
TS	D3	11	AI	电池温度鉴定电压输入。连接一个负温度系数热敏电阻 (NTC)。使用从 REGN 到 TS 再到 GND 的电阻分压器对温度窗口进行编程。当 TS 引脚电压超出范围时，充电暂停。不使用 TS 引脚时，在 REGN 和 TS 之间连接一个 10kΩ 电阻器，并且在 TS 和 GND 之间连接一个 10kΩ 电阻器，或者将 TS_IGNORE 设置为高电平以忽略 TS 引脚。建议使用 103AT-2 热敏电阻。
VAC	A5	1	AI	输入电压检测。该引脚必须连接至 VBUS。
VBUS	A4、B4	24	P	充电器输入电压。内部 N 沟道反向阻断 MOSFET (RBFET) 连接在 VBUS 和 PMID 之间，同时 VBUS 位于源极。在 VBUS 和 GND 之间放置一个 1μF 陶瓷电容器，使之尽可能靠近 IC。
散热焊盘	不适用	—	P	器件的接地基准，也是用于传导器件热量的散热焊盘。此连接有两个用途。第一个用途是为器件提供电气接地连接。第二个用途是提供一条从器件芯片到 PCB 的低热阻抗路径。该散热焊盘应该在外部连接至接地层。

(1) AI = 模拟输入，AO = 模拟输出，AIO = 模拟输入/输出，DI = 数字输入，DO = 数字输出，DIO = 数字输入/输出，P = 电源