为了更大限度减少开关损耗，应该尽可能缩短开关节点的上升和下降时间。为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，请务必确保元件布局合理，以尽可能减小高频电流路径环路（参阅图 11-1）。请仔细按照以下特定顺序来实现正确的布局。

1. 将输入电容器尽可能靠近 PMID 引脚和 GND 引脚连接放置，并使用尽可能短的覆铜线迹连接或 GND 层。添加 1nF 小尺寸（例如 0402 或 0201）去耦电容器，以改进高频噪声滤波器和 EMI。
2. 将电感器输入引脚放置在尽可能靠近 SW 引脚的位置。最大限度地减小此布线的覆铜面积，以减少电场和磁场辐射，但应确保该布线足够宽，能够承载充电电流。不要为此连接并联使用多个层。更大限度地降低从此区域到任何其他布线或平面的寄生电容。
3. 将输出电容器靠近电感器和器件放置。需要通过短铜引线连接或 GND 平面将接地接头连接至 IC 接地端。
4. 模拟接地与电源接地分开布线。分别连接模拟接地和电源接地。使用散热焊盘作为单一接地连接点，将模拟接地和电源接地连接在一起。或使用 0Ω 电阻器将模拟接地连接到电源接地。
5. 使用单一接地连接将充电器电源接地连接到充电器模拟接地。器件正下方。使用接地覆铜但避免使用电源引脚，以减少电感和电容噪声耦合。
6. 将去耦电容器靠近 IC 引脚放置，并尽量缩短引线连接。
7. 至关重要的是，器件封装背面裸露的散热焊盘应焊接至 PCB 接地。确保 IC 正下方有足够的热过孔，且连接到其他层上的接地平面。
8. 确保过孔的数量和尺寸能够为给定电流路径提供足够的铜。

有关建议的元件放置以及布线和过孔位置，请参阅 BQ25618 BMS024 评估模块 EVM 用户指南 和 BQ25619 BMS025 评估模块 EVM 用户指南。对于 VQFN 信息，请参阅“Quad Flatpack No-Lead 逻辑封装”应用报告 和“QFN 和 SON PCB 连接”应用报告。