ZHCSLX8B October 2020 – July 2024 BQ25618E , BQ25619E
PRODUCTION DATA
在设计输入电容时应确保能够提供足够的额定纹波电流以吸收输入开关纹波电流。当占空比为 0.5 时,最坏情况下的 RMS 纹波电流是充电电流的一半。如果转换器不以 50% 的占空比运行,则最坏情况电容器 RMS 电流 ICIN 发生在占空比最接近 50% 的位置,并可使用方程式 5 估算得出。
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容器是输入去耦电容器的首选,应尽可能靠近高侧 MOSFET 的漏极和低侧 MOSFET 的源极放置。电容器的额定电压必须高于正常输入电压电平。对于 12V 输入电压,首选额定电压为 25V 或更高的电容器。对于 1.5A 的典型充电电流,建议使用最小 10μF 的电容。