ZHCSLX8B October   2020  – July 2024 BQ25618E , BQ25619E

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 上电复位 (POR)
      2. 8.3.2 无输入源时通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3 通过输入源实现上电
        1. 8.3.3.1 为 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 输入源类型检测（IINDPM 阈值）
          1. 8.3.3.3.1 PSEL 引脚设置输入电流限值
        4. 8.3.3.4 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        5. 8.3.3.5 在降压模式下为转换器上电
        6. 8.3.3.6 高阻态模式（存在适配器）
      4. 8.3.4 电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄电压直流 (NVDC) 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 补电模式
      5. 8.3.5 电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6 运输模式和 QON 引脚
        1. 8.3.6.1 BATFET 禁用（进入运输模式）
        2. 8.3.6.2 BATFET 启用（退出运输模式）
        3. 8.3.6.3 BATFET 完全系统复位
      7. 8.3.7 状态输出（STAT、INT 、PG ）
        1. 8.3.7.1 电源正常指示灯（PG_STAT 位；仅限 BQ25619E）
        2. 8.3.7.2 充电状态指示灯 (STAT)
        3. 8.3.7.3 主机中断 (INT)
      8. 8.3.8 保护功能
        1. 8.3.8.1 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.8.1.1 输入过压保护 (ACOV)
          2. 8.3.8.1.2 系统过压保护 (SYSOVP)
        2. 8.3.8.2 热调节和热关断
          1. 8.3.8.2.1 降压模式下的过热保护
        3. 8.3.8.3 电池保护
          1. 8.3.8.3.1 电池过压保护 (BATOVP)
          2. 8.3.8.3.2 电池过度放电保护
          3. 8.3.8.3.3 系统过流保护
      9. 8.3.9 串行接口
        1. 8.3.9.1 数据有效性
        2. 8.3.9.2 启动条件和停止条件
        3. 8.3.9.3 字节格式
        4. 8.3.9.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.3.9.5 从器件地址和数据方向位
        6. 8.3.9.6 单独读取和写入
        7. 8.3.9.7 多重读取和多重写入
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
    5. 8.5 寄存器映射
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器和电阻器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

VVBUS_UVLOZ < VVBUS < VVBUS_OV 且 VVBUS > VBAT + VSLEEP，TJ = -40°C 至 +125°C，典型值在 TJ = 25°C 下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
静态电流
IQ_BAT  静态电池电流（BATSNS、BAT、SYS、SW） VBAT = 4.5V，VBUS 悬空，SCL，SDA = 0V 或 1.8V，TJ < 85°C，BATFET 启用  9.5 15 µA
ISHIP_BAT  运输模式电池电流（BATSNS、BAT、SYS、SW） VBAT = 4.5V，VBUS 悬空，SCL，SDA = 0V 或 1.8V，TJ < 85°C，BATFET 禁用 7 9.5 µA
IVBUS 转换器开关时降压模式下的输入电流 (VBUS) VBUS = 5V，充电禁用，转换器开关，ISYS = 0A 2.3 mA
IHIZ_VBUS  高阻态模式下的静态输入电流 VAC/VBUS = 5V，高阻态模式，无电池 37 50 µA
VAC/VBUS = 12V，高阻态模式，无电池 68 90 µA
VBUS/VBAT 电源
VVBUS_OP VBUS 工作范围 4 13.5 V
VVBUS_UVLOZ VBUS 上升用于有源 I2C，无电池 VBUS 上升 3.3 3.7 V
VVBUS_UVLO VBUS 下降以关闭 I2C，无电池 VBUS 下降 3 3.3 V
VVBUS_PRESENT 通过 VBUS 来启用 REGN VBUS 上升 3.65 3.9 V
VVBUS_PRESENTZ 通过 VBUS 来禁用 REGN VBUS 下降 3.15 3.4 V
VSLEEP 进入睡眠模式阈值 VBUS 下降，VBUS - VBAT，VBAT = 4V 15 60 110 mV
VSLEEPZ 退出睡眠模式阈值 VBUS 上升，VBUS - VBAT，VBAT = 4V 115 220 340 mV
VACOV  用于关断开关的 VAC 过压上升阈值 VAC 上升，OVP[1:0]=00 5.45 5.85 6.07 V
VAC 上升，OVP[1:0]=01 6.1 6.4 6.75 V
VAC 上升，OVP[1:0]=10 10.45 11 11.55 V
VAC 上升，OVP[1:0]=11（默认值） 13.5 14.2 14.85 V
用于恢复开关的 VAC 过压下降阈值 VAC 下降，OVP[1:0]=00 5.2 5.6 5.8 V
VAC 下降，OVP[1:0]=01 5.8 6.2 6.45 V
VAC 下降，OVP[1:0]=10 10 10.7 11.1 V
VAC 下降，OVP[1:0]=11（默认值） 13 13.9 14.5 V
VBAT_UVLOZ 用于有源 I2C 的 BAT 电压，无 VBUS VBAT 上升 2.5 V
VBAT_DPLZ 用于导通 BATFET 的 BAT 耗尽上升阈值 VBAT 上升 2.35 2.8 V
VBAT_DPL 用于关断 BATFET 的 BAT 耗尽下降阈值 VBAT 下降 2.18 2.62 V
VPOORSRC 适配器不良检测阈值 VBUS 下降 3.75 3.9 4.0 V
电源路径管理
VSYS_MIN 最小系统稳压电压 VBAT = 3.2V < SYS_MIN = 3.5V，ISYS = 0A 3.5 3.65 V
VSYS_OVP 系统过压阈值 VREG = 4.35V，充电禁用，ISYS = 0A 4.7 V
RON_RBFET 阻断 FET 导通电阻 (BQ25618E) 35 mΩ
RON_RBFET 阻断 FET 导通电阻 (BQ25619E) 45 mΩ
RON_HSFET 高侧开关 FET 导通电阻 (BQ25618E) 55 mΩ
RON_HSFET 高侧开关 FET 导通电阻 (BQ25619E) 62 mΩ
RON_LSFET 低侧开关 FET 导通电阻 (BQ25618E) 60 mΩ
RON_LSFET 低侧开关 FET 导通电阻 (BQ25619E) 71 mΩ
VBATFET_FWD 补充模式下的 BATFET 正向电压 BAT 放电电流 10mA，转换器正在运行 30 mV
电池充电器
VREG_RANGE 典型充电电压调节范围 3.5 4.52 V
VREG_STEP 典型充电电压步长 4.3V < VREG < 4.52V 10 mV
VREG_ACC 充电电压精度 VREG = 4.2V，TJ = –40°C - 85°C 4.179 4.2 4.221 V
VREG = 4.35V，TJ = –40°C - 85°C 4.329 4.35 4.371 V
VREG = 4.45V，TJ = –40°C - 85°C 4.428 4.45 4.472 V
ICHG_RANGE  典型充电电流调节范围 0 1.5 A
ICHG_STEP  典型充电电流调节步长 20 mA
ICHG_ACC  快速充电电流调节精度 ICHG = 0.24A，VBAT = 3.1V 或 3.8V，TJ = –40°C - 85°C 0.216 0.24 0.264 A
ICHG = 0.72A，VBAT = 3.1V 或 3.8V，TJ = –40°C - 85°C 0.6768 0.72 0.7632 A
ICHG = 1.50A，VBAT = 3.1V 或 3.8V，TJ = –40°C - 85°C 1.41 1.5 1.59 A
IPRECHG_RANGE  典型预充电电流范围 20 260 mA
IPRECHG_STEP  典型预充电电流步长 20 mA
IPRECHG_ACC 预充电电流精度 VBAT = 2.6V，IPRECHG = 40mA 28 40 52 mA
VBAT = 2.6V，IPRECHG = 120mA 84 120 156 mA
ITERM_RANGE  典型终止电流范围 20 260 mA
ITERM_STEP  典型终止电流阶跃 20 mA
ITERM_ACC  终止电流精度 ITERM = 40mA，ICHG > 260mA，VREG = 4.35V，TJ = 0°C - 85°C 30 40 50 mA
ITERM = 20mA，ICHG < 260mA，VREG = 4.35V，TJ = 0°C - 85°C  10 20 30 mA
VBAT_SHORTZ 开始预充电的电池短路电压上升阈值 VBAT 上升 2.13 2.25 2.35 V
VBAT_SHORT 停止预充电的电池短路电压下降阈值 VBAT 下降 1.85 2 2.15 V
IBAT_SHORT 电池短路涓流充电电流 VBAT < VBAT_SHORTZ 15 25 30 mA
VBATLOWV 开始快速充电的电池 LOWV 上升阈值 VBAT 上升 3 3.12 3.24 V
停止快速充电的电池 LOWV 下降阈值 VBAT 下降 2.7 2.8 2.9 V
VRECHG  电池充电阈值 VRECHG = 0，VBAT 下降（默认值） 90 120 150 mV
VRECHG = 1，VBAT 下降 185 210 245 mV
ISYS_LOAD SYSOVP 期间的系统放电负载电流 30 mA
RON_BATFET 电池 FET 导通电阻 TJ = –40°C - 85°C 19.5 26 mΩ
TJ = –40°C - 125°C 19.5 30 mΩ
电池过压保护
VBAT_OVP 电池过压上升阈值 VBAT 上升，以 VREG 的百分比表示 103 104 105 %
电池过压下降阈值 VBAT 下降，以 VREG 的百分比表示 101 102 103 %
输入电压/电流调节
VINDPM_RANGE 典型输入电压调节范围 3.9 5.4 V
VINDPM_STEP 典型输入电压调节步长 100 mV
VINDPM_ACC  典型输入电压调节精度 4.365 4.5 4.635 V
VINDPM_TRACK  用于跟踪电池电压的 VINDPM 阈值 VBAT = 4.35V，VINDPM_BAT_TRACK = VBAT + 200mV 4.45 4.55 4.74 V
IINDPM_RANGE 典型输入电流调节范围 0.1 3.2 A
IINDPM_STEP 典型输入电流调节步长 100 mA
IINDPM_ACC 输入电流调节精度 IINDPM = 500mA (TJ = -40°C - 85°C) 450 465 500 mA
IINDPM_ACC 输入电流调节精度 IINDPM = 900mA (TJ = -40°C - 85°C) 750 835 900 mA
IINDPM_ACC 输入电流调节精度 IINDPM = 1500mA (TJ = -40°C - 85°C) 1300 1390 1500 mA
热调节和热关断
TREG 结温调节精度 TREG = 90°C 90 °C
TREG = 110°C 110 °C
TSHUT 热关断上升阈值 温度升高 150 °C
热关断下降阈值 温度降低 130 °C
充电模式热敏电阻比较器
VT1_RISE% TS 引脚电压上升阈值，高于该电压时充电暂停。 以 REGN 的百分比表示（0°C，带 103AT） 72.4 73.3 74.2 %
VT1_FALL% TS 引脚电压下降阈值。低于该电压时，重新启用充电至 ICHG 和 VREG 的 20%。
 		 以占 REGN 的百分比表示 71.5 72 72.5 %
VT2_RISE%  TS 引脚电压上升阈值，高于该电压时重新充电至 ICHG 和 VREG 的 20%。  以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 5°C（带 103AT） 70.25 70.75 71.25 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 10°C（带 103AT） 67.75 68.25 68.75 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 15°C（带 103AT） 64.75 65.25 65.75 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 20°C（带 103AT） 61.75 62.25 62.75 %
VT2_FALL% TS 引脚电压下降阈值。低于该电压时重新充电至 ICHG 和 VREG。  以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 5°C（带 103AT） 68.7 69.2 69.7 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 10°C（带 103AT） 66.45 66.95 67.45 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 15°C（带 103AT） 63.7 64.2 64.7 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 20°C（带 103AT） 60.7 61.2 61.7 %
VT3_FALL% TS 引脚电压下降阈值。低于该电压时充电至 ICHG 和 4.1V。  以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 40°C（带 103AT） 47.75 48.25 48.75 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 45°C（带 103AT） 44.25 44.75 45.25 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 50°C（带 103AT） 40.2 40.7 41.2 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 55°C（带 103AT） 37.2 37.7 38.2 %
VT3_RISE% TS 引脚电压上升阈值。高于该电压时重新充电至 ICHG 和 VREG。  以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 40°C（带 103AT） 48.8 49.3 49.8 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 45°C（带 103AT） 45.3 45.8 46.3 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 50°C（带 103AT） 41.3 41.8 42.3 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 55°C（带 103AT） 38.5 39 39.5 %
VT5_FALL% TS 引脚电压下降阈值，低于该电压时充电暂停。  以 REGN 的百分比表示（60°C，带 103AT） 33.7 34.2 35.1 %
VT5_RISE% TS 引脚电压上升阈值。高于该电压时重新充电至 ICHG 和 4.1V。  以占 REGN 的百分比表示 35 35.5 36 %
开关转换器
FSW PWM 开关频率 振荡器频率 1.32 1.5 1.68 MHz
DMAX 最大 PWM 占空比 97 %
REGN LDO
VREGN REGN LDO 输出电压 VVBUS = 5V，IREGN = 20mA 4.58 4.7 4.8 V
VVBUS = 9V，IREGN = 20mA 5.6 6 6.5 V
IREGN REGN LDO 电流限制 VVBUS = 5V，VREGN = 3.8V 50 mA
I2C 接口（SCL、SDA）
VIH 输入高阈值电平，SDA 和 SCL 上拉电源轨 1.8V 1.3 V
VIL 输入低阈值电平 上拉电源轨 1.8V 0.4 V
VOL 输出低阈值电平 灌电流 = 5mA 0.4 V
IBIAS 高电平漏电流 上拉电源轨 1.8V 1 µA
VIH_SDA 输入高阈值电平，SDA 上拉电源轨 1.8V 1.3 V
VIL_SDA 输入低阈值电平 上拉电源轨 1.8V 0.4 V
VOL_SDA 输出低阈值电平 灌电流 = 5mA 0.4 V
IBIAS_SDA 高电平漏电流 上拉电源轨 1.8V 1 µA
VIH_SCL 输入高阈值电平，SDA 上拉电源轨 1.8V 1.3 V
VIL_SCL 输入低阈值电平 上拉电源轨 1.8V 0.4 V
VOL_SCL 输出低阈值电平 灌电流 = 5mA 0.4 V
IBIAS_SCL 高电平漏电流 上拉电源轨 1.8V 1 µA
逻辑输入引脚
VIH 输入高阈值电平（/CE、PSEL） 1.3 V
VIL  输入低阈值电平（/CE、PSEL） 0.4 V
IIN_BIAS  高电平漏电流（/CE、PSEL） 上拉电源轨 1.8V 1 µA
逻辑输出引脚
VOL 输出低阈值电平（/INT、STAT、/PG） 灌电流 = 5mA 0.4 V
IOUT_BIAS 高电平漏电流（/INT、STAT、/PG） 上拉电源轨 1.8V 1 µA
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