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ZHCSMZ9C September 2022 – February 2024 BQ25620 , BQ25622

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RYK|18
- MPQF634

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

8.6.2 BQ25620 寄存器

表 8-7 列出了 BQ25620 寄存器的存储器映射寄存器。表 8-7中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 8-7 BQ25620 寄存器

地址	首字母缩写词	寄存器名称	部分
2h	REG0x02_Charge_Current_Limit	充电电流限制	转到
4h	REG0x04_Charge_Voltage_Limit	充电电压限值	转到
6h	REG0x06_Input_Current_Limit	输入电流限值	转到
8h	REG0x08_Input_Voltage_Limit	输入电压限值	转到
Ah	REG0x0A_IOTG_regulation	IOTG 调节	转到
Ch	REG0x0C_VOTG_regulation	VOTG 调节	转到
Eh	REG0x0E_Minimal_System_Voltage	最小系统电压	转到
10h	REG0x10_Pre-charge_Control	预充电控制	转到
12h	REG0x12_Termination_Control	端接控制	转到
14h	REG0x14_Charge_Control_0	充电控制 0	转到
15h	REG0x15_Charge_Timer_Control	充电计时器控制	转到
16h	REG0x16_Charger_Control_1	充电器控制 1	转到
17h	REG0x17_Charger_Control_2	充电器控制 2	转到
18h	REG0x18_Charger_Control_3	充电器控制 3	转到
19h	REG0x19_Charger_Control_4	充电器控制 4	转到
1Ah	REG0x1A_NTC_Control_0	NTC 控制 0	转到
1Bh	REG0x1B_NTC_Control_1	NTC 控制 1	转到
1Ch	REG0x1C_NTC_Control_2	NTC 控制 2	转到
1Dh	REG0x1D_Charger_Status_0	充电器状态 0	转到
1Eh	REG0x1E_Charger_Status_1	充电器状态 1	转到
1Fh	REG0x1F_FAULT_Status_0	故障状态 0	转到
20h	REG0x20_Charger_Flag_0	充电器标志 0	转到
21h	REG0x21_Charger_Flag_1	充电器标志 1	转到
22h	REG0x22_FAULT_Flag_0	故障标志 0	转到
23h	REG0x23_Charger_Mask_0	充电器屏蔽 0	转到
24h	REG0x24_Charger_Mask_1	充电器屏蔽 1	转到
25h	REG0x25_FAULT_Mask_0	故障屏蔽 0	转到
26h	REG0x26_ADC_Control	ADC 控制	转到
27h	REG0x27_ADC_Function_Disable_0	ADC 功能禁用 0	转到
28h	REG0x28_IBUS_ADC	IBUS ADC	转到
2Ah	REG0x2A_IBAT_ADC	IBAT ADC	转到
2Ch	REG0x2C_VBUS_ADC	VBUS ADC	转到
2Eh	REG0x2E_VPMID_ADC	VPMID ADC	转到
30h	REG0x30_VBAT_ADC	VBAT ADC	转到
32h	REG0x32_VSYS_ADC	VSYS ADC	转到
34h	REG0x34_TS_ADC	TS ADC	转到
36h	REG0x36_TDIE_ADC	TDIE ADC	转到
38h	REG0x38_Part_Information	器件信息	转到

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 8-8 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 8-8 BQ25620 访问类型代码

访问类型	代码	说明
读取类型
R	R	读取
写入类型
W	W	写入
复位或默认值
-n		复位后的值或默认值

8.6.2.1 REG0x02_Charge_Current_Limit 寄存器（地址 = 2h）[复位 = 0340h]

图 8-17 展示了 REG0x02_Charge_Current_Limit，表 8-9 中对此进行了介绍。

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充电电流限制

图 8-17 REG0x02_Charge_Current_Limit 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED				ICHG
R-0h				R/W-Dh

7	6	5	4	3	2	1	0
ICHG		RESERVED
R/W-Dh		R-0h

表 8-9 REG0x02_Charge_Current_Limit 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:12	RESERVED	R	0h	保留
11:6	ICHG	R/W	Dh	充电电流调节限值：该 16 位寄存器遵循小端惯例。 ICHG[5:2] 位于 REG0x03[3:0]，ICHG[1:0] 位于 REG0x02[7:6]。 POR：1040mA (Dh) 范围：80mA-3520mA (1h-2Ch) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：80mA (1h) 注意：当 Q4_FULLON=1 时，该寄存器的最小值为 160mA
5:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.2 REG0x04_Charge_Voltage_Limit 寄存器（地址 = 4h）[复位 = 0D20h]

图 8-18 展示了 REG0x04_Charge_Voltage_Limit，表 8-10 中对此进行了介绍。

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充电电压限值

图 8-18 REG0x04_Charge_Voltage_Limit 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED				VREG
R-0h				R/W-1A4h

7	6	5	4	3	2	1	0
VREG					RESERVED
R/W-1A4h					R-0h

表 8-10 REG0x04_Charge_Voltage_Limit 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:12	RESERVED	R	0h	保留
11:3	VREG	R/W	1A4h	电池电压调节限值：该 16 位寄存器遵循小端惯例。VREG[8:5] 位于 REG0x05[3:0]，VREG[4:0] 位于 REG0x04[7:3]。 POR：4200mV (1A4h) 范围：3500mV-4800mV (15Eh-1E0h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：10mV
2:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.3 REG0x06_Input_Current_Limit 寄存器（地址 = 6h）[复位 = 0A00h]

图 8-19 展示了 REG0x06_Input_Current_Limit，表 8-11 中对此进行了介绍。

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输入电流限值

图 8-19 REG0x06_Input_Current_Limit 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED				IINDPM
R-0h				R/W-A0h

7	6	5	4	3	2	1	0
IINDPM				RESERVED
R/W-A0h				R-0h

表 8-11 REG0x06_Input_Current_Limit 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:12	RESERVED	R	0h	保留
11:4	IINDPM	R/W	A0h	输入电流调节限值：该 16 位寄存器遵循小端惯例。IINDPM[7:4] 位于 REG0x07[3:0]，IINDPM[3:0] 位于 REG0x06[7:4]。BQ25620：基于 D+/D- 检测结果： USB SDP = 500mA USB CDP = 1.5A USB DCP = 1.5A USB HVDCP = 1.5A 未知适配器 = 500mA 非标准适配器 = 1A/2.1A/2.4A POR：3200mA (A0h) 范围：100mA-3200mA (5h-A0h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：20mA 移除适配器后，IINDPM 会复位为其 POR 值 3.2A。
3:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.4 REG0x08_Input_Voltage_Limit 寄存器（地址 = 8h）[复位 = 0E60h]

图 8-20 展示了 REG0x08_Input_Voltage_Limit，表 8-12 中对此进行了介绍。

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输入电压限值

图 8-20 REG0x08_Input_Voltage_Limit 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED		VINDPM
R-0h		R/W-73h

7	6	5	4	3	2	1	0
VINDPM			RESERVED
R/W-73h			R-0h

表 8-12 REG0x08_Input_Voltage_Limit 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:14	RESERVED	R	0h	保留
13:5	VINDPM	R/W	73h	绝对输入电压调节限值：该 16 位寄存器遵循小端惯例。 VINDPM[8:3] 位于 REG0x09[5:0]，VINDPM[2:0] 位于 REG0x08[7:5]。 POR：4600mV (73h) 范围：3800mV-16800mV (5Fh-1A4h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：40mV
4:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.5 REG0x0A_IOTG_regulation 寄存器（地址 = Ah）[复位 = 0320h]

图 8-21 展示了 REG0x0A_IOTG_regulation，表 8-13 中对此进行了介绍。

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IOTG 调节

图 8-21 REG0x0A_IOTG_regulation 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED				IOTG
R-0h				R/W-32h

7	6	5	4	3	2	1	0
IOTG				RESERVED
R/W-32h				R-0h

表 8-13 REG0x0A_IOTG_regulation 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:12	RESERVED	R	0h	保留
11:4	IOTG	R/W	32h	OTG 模式电流调节限值：该 16 位寄存器遵循小端惯例。 IOTG[7:4] 位于 REG0x0B[3:0]，IOTG[3:0] 位于 REG0x0A[7:4]。 POR：1000mA (32h) 范围：100mA-2400mA (5h-78h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：20mA
3:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.6 REG0x0C_VOTG_regulation 寄存器（地址 = Ch）[复位 = 0FC0h]

图 8-22 展示了 REG0x0C_VOTG_regulation，表 8-14 中对此进行了介绍。

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VOTG 调节

图 8-22 REG0x0C_VOTG_regulation 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED			VOTG
R-0h			R/W-3Fh

7	6	5	4	3	2	1	0
VOTG		RESERVED
R/W-3Fh		R-0h

表 8-14 REG0x0C_VOTG_regulation 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:13	RESERVED	R	0h	保留
12:6	VOTG	R/W	3Fh	OTG 模式调节电压：该 16 位寄存器遵循小端惯例。VOTG[6:2] 位于 REG0x0D[4:0]，VOTG[1:0] 位于 REG0x0C[7:6]。 POR：5040mV (3Fh) 范围：3840mV-9600mV (30h-78h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：80mV
5:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.7 REG0x0E_Minimal_System_Voltage 寄存器（地址 = Eh）[复位 = 0B00h]

图 8-23 展示了 REG0x0E_Minimal_System_Voltage，表 8-15 中对此进行了介绍。

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最小系统电压

图 8-23 REG0x0E_Minimal_System_Voltage 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED				VSYSMIN
R-0h				R/W-2Ch

7	6	5	4	3	2	1	0
VSYSMIN		RESERVED
R/W-2Ch		R-0h

表 8-15 REG0x0E_Minimal_System_Voltage 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:12	RESERVED	R	0h	保留
11:6	VSYSMIN	R/W	2Ch	最小系统电压：该 16 位寄存器遵循小端惯例。VSYSMIN[5:2] 位于 REG0x0F[3:0]，VSYSMIN[1:0] 位于 REG0x0E[7:6]。 POR：3520mV (2Ch) 范围：2560mV-3840mV (20h-30h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：80mV
5:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.8 REG0x10_Pre-charge_Control 寄存器（地址 = 10h）[复位 = 0050h]

图 8-24 展示了 REG0x10_Pre-charge_Control，表 8-16 中对此进行了介绍。

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预充电控制

图 8-24 REG0x10_Pre-charge_Control 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED							IPRECHG
R-0h							R/W-5h

7	6	5	4	3	2	1	0
IPRECHG				RESERVED
R/W-5h				R-0h

表 8-16 REG0x10_Pre-charge_Control 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:9	RESERVED	R	0h	保留
8:4	IPRECHG	R/W	5h	预充电电流调节限值：该 16 位寄存器遵循小端惯例。 IPRECHG[4] 位于 REG0x11[0]，IPRECHG[3:0] 位于 REG0x10[7:4] POR：100mA (5h) 范围：20mA-620mA (1h-1Fh) 钳位至低电平位步长：20mA (1h) 注意：当 Q4_FULLON=1 时，该寄存器的最小值为 80mA
3:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.9 REG0x12_Termination_Control 寄存器（地址 = 12h）[复位 = 0030h]

图 8-25 展示了 REG0x12_Termination_Control，表 8-17 中对此进行了介绍。

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端接控制

图 8-25 REG0x12_Termination_Control 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED							ITERM
R-0h							R/W-6h

7	6	5	4	3	2	1	0
ITERM					RESERVED
R/W-6h					R-0h

表 8-17 REG0x12_Termination_Control 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:9	RESERVED	R	0h	保留
8:3	ITERM	R/W	6h	终止电流阈值：该 16 位寄存器遵循小端惯例。 ITERM[5] 位于 REG0x13[0]，ITERM[4:0] 位于 REG0x12[7:3]。 POR：60mA (6h) 范围：10mA-620mA (1h-3Eh) 钳位至低电平位步长：10mA (1h) 注意：当 Q4_FULLON=1 时，该寄存器的最小值为 120mA，因此在这种情况下复位值变为 120mA
2:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.10 REG0x14_Charge_Control_0 寄存器（地址 = 14h）[复位 = 06h]

图 8-26 展示了 REG0x14_Charge_Control_0，表 8-18 中对此进行了介绍。

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充电控制 0

图 8-26 REG0x14_Charge_Control_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
Q1_FULLON	Q4_FULLON	ITRICKLE	TOPOFF_TMR		EN_TERM	VINDPM_BAT_TRACK	VRECHG
R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h		R/W-1h	R/W-1h	R/W-0h

表 8-18 REG0x14_Charge_Control_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	Q1_FULLON	R/W	0h	无论 IINDPM 设置怎样，强制将 RBFET (Q1) 置于低电阻状态 (26mΩ)。 0h = RBFET RDSON 由 IINDPM 设置确定（默认值） 1h = RBFET RDSON 始终为 26mΩ
6	Q4_FULLON	R/W	0h	无论 ICHG 设置怎样，强制将 BATFET (Q4) 置于低电阻状态 (15mΩ)。（仅在 VBAT > VSYSMIN 时适用。否则 BATFET 以线性模式运行。） 0h = BATFET RDSON 由充电电流确定（默认值） 1h = BATFET RDSON 始终为 15mΩ
5	ITRICKLE	R/W	0h	涓流充电电流设置： 0b = 20mA（默认值） 1b = 80mA
4:3	TOPOFF_TMR	R/W	0h	充电完成计时器控制： 0h = 禁用（默认值） 1h = 17 分钟 2h = 35 分钟 3h = 52 分钟
2	EN_TERM	R/W	1h	启用终止 0h = 禁用 1h = 启用（默认值）
1	VINDPM_BAT_TRACK	R/W	1h	设置 VINDPM 以跟踪 BAT 电压。实际 VINDPM 是 VINDPM 寄存器值和 VBAT + VINDPM_BAT_TRACK 中的较高者。 0h = 禁用功能（VINDPM 由寄存器设置） 1h = VBAT + 400mV（默认值）
0	VRECHG	R/W	0h	电池充电阈值偏移（低于 VREG） 0h = 100mV（默认值） 1h = 200mV

8.6.2.11 REG0x15_Charge_Timer_Control 寄存器（地址 = 15h）[复位 = 5Ch]

图 8-27 展示了 REG0x15_Charge_Timer_Control，表 8-19 中对此进行了介绍。

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充电计时器控制

图 8-27 REG0x15_Charge_Timer_Control 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DIS_STAT	EN_AUTO_INDET	FORCE_INDET	EN_DCP_BIAS	TMR2X_EN	EN_SAFETY_TMRS	PRECHG_TMR	CHG_TMR
R/W-0h	R/W-1h	R/W-0h	R/W-1h	R/W-1h	R/W-1h	R/W-0h	R/W-0h

表 8-19 REG0x15_Charge_Timer_Control 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	DIS_STAT	R/W	0h	禁用 STAT 引脚输出 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
6	EN_AUTO_INDET	R/W	1h	自动 D+/D- 检测使能 0h = 插入 VBUS 时禁用 DPDM 检测 1h = 插入 VBUS 时启用 DPDM 检测（默认值）
5	FORCE_INDET	R/W	0h	强制 D+/D- 检测 0h = 不强制 DPDM 检测（默认值） 1h = 强制 DPDM 算法，当 DPDM 检测完成时，该位复位为 0
4	EN_DCP_BIAS	R/W	1h	只要 BC1.2 检测算法检测到 DCP (VBUS_STAT = 011b)，就启用 D+ 引脚上的 600mV 偏置 0h = 禁用 D+ 引脚上的 600mV 偏置 1h = 如果检测到 DCP，则启用 D+ 引脚上的 600mV 偏置
3	TMR2X_EN	R/W	1h	2x 充电计时器控制 0h = 在输入 DPM 或热调节期间，涓流充电、预充电和快速充电计时器不会减慢 2 倍。 1h = 在输入 DPM 或热调节期间，涓流充电、预充电和快速充电计时器会减慢 2 倍（默认值）
2	EN_SAFETY_TMRS	R/W	1h	启用快速充电、预充电和涓流充电计时器 0h = 禁用 1h = 启用（默认值）
1	PRECHG_TMR	R/W	0h	预充电安全计时器设置 0h = 2.5 小时（默认值） 1h = 0.62 小时
0	CHG_TMR	R/W	0h	快速充电安全计时器设置 0h = 14.5 小时（默认值） 1h = 28 小时

8.6.2.12 REG0x16_Charger_Control_1 寄存器（地址 = 16h）[复位 = A1h]

图 8-28 展示了 REG0x16_Charger_Control_1，表 8-20 中对此进行了介绍。

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充电器控制 1

图 8-28 REG0x16_Charger_Control_1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
EN_AUTO_IBATDIS	FORCE_IBATDIS	EN_CHG	EN_HIZ	FORCE_PMID_DIS	WD_RST	看门狗
R/W-1h	R/W-0h	R/W-1h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-1h

表 8-20 REG0x16_Charger_Control_1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	EN_AUTO_IBATDIS	R/W	1h	在电池 OVP 故障期间启用电池自动放电 0h = 在触发电池 OVP 期间，充电器不在 BAT 上施加放电电流 1h = 在触发电池 OVP 期间，充电器会在 BAT 上施加放电电流（默认值）
6	FORCE_IBATDIS	R/W	0h	强制电池放电电流（约 30mA） 0h = 空闲（默认值） 1h = 强制充电器在 BAT 上施加放电电流
5	EN_CHG	R/W	1h	充电器使能配置 0h = 充电禁用 1h = 充电启用（默认值）
4	EN_HIZ	R/W	0h	启用 HIZ 模式。 0h = 禁用（默认值） 1h = 启用
3	FORCE_PMID_DIS	R/W	0h	强制 PMID 放电电流（约 30mA） 0h = 禁用（默认值） 1h = 启用
2	WD_RST	R/W	0h	I2C 看门狗计时器复位 0h = 正常（默认值） 1h = 复位（计时器复位后该位返回 0）
1:0	看门狗	R/W	1h	看门狗计时器设置 0h = 禁用 1h = 50s（默认值） 2h = 100s 3h = 200s

8.6.2.13 REG0x17_Charger_Control_2 寄存器（地址 = 17h）[复位 = 4Fh]

图 8-29 展示了 REG0x17_Charger_Control_2，表 8-21 中对此进行了介绍。

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充电器控制 2

图 8-29 REG0x17_Charger_Control_2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
REG_RST	TREG	SET_CONV_FREQ		SET_CONV_STRN		RESERVED	VBUS_OVP
R/W-0h	R/W-1h	R/W-0h		R/W-3h		R-0h	R/W-1h

表 8-21 REG0x17_Charger_Control_2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	REG_RST	R/W	0h	复位完成后，将寄存器复位为默认值，将计时器值复位为 0。 0h = 未复位（默认值） 1h = 复位
6	TREG	R/W	1h	热调节阈值。 0h = 60C 1h = 120C（默认值）
5:4	SET_CONV_FREQ	R/W	0h	调整转换器的开关频率 0h = 标称值，1.5MHz（默认值） 1h = -10%，1.35MHz 2h = +10%，1.65MHz 3h = 保留
3:2	SET_CONV_STRN	R/W	3h	调整转换器的高侧和低侧驱动强度，以在效率与 EMI 之间进行调整。 0h = 弱 1h = 正常 2h = 保留 3h = 强
1	RESERVED	R	0h	保留
0	VBUS_OVP	R/W	1h	设置 VBUS 过压保护阈值 0h = 6.3V 1h = 18.5V

8.6.2.14 REG0x18_Charger_Control_3 寄存器（地址 = 18h）[复位 = 04h]

图 8-30 展示了 REG0x18_Charger_Control_3，表 8-22 中对此进行了介绍。

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充电器控制 3

图 8-30 REG0x18_Charger_Control_3 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	EN_OTG	PFM_OTG_DIS	PFM_FWD_DIS	BATFET_CTRL_WVBUS	BATFET_DLY	BATFET_CTRL
R-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-1h	R/W-0h

表 8-22 REG0x18_Charger_Control_3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	EN_OTG	R/W	0h	OTG 模式控制 0b = OTG 禁用（默认值） 1b = OTG 启用
5	PFM_OTG_DIS	R/W	0h	在 OTG 升压模式下禁用 PFM 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
4	PFM_FWD_DIS	R/W	0h	在正向降压模式下禁用 PFM 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
3	BATFET_CTRL_WVBUS	R/W	0h	可选择关闭 BATFET 或在适配器存在的情况下进行系统电源复位。 0h = 0x0 1h = 0x1
2	BATFET_DLY	R/W	1h	BATFET_CTRL [1:0] 位采取操作所增加的延迟时间 0h = 增加 25 ms 延迟时间 1h = 增加 12.5s 延迟时间（默认值）
1:0	BATFET_CTRL	R/W	0h	BATFET 控制 BATFET 用以强制器件进入不同模式的控制逻辑。 0h = 正常（默认值） 1h = 关断模式 2h = 运输模式 3h = 系统电源复位

8.6.2.15 REG0x19_Charger_Control_4 寄存器（地址 = 19h）[复位 = C0h]

图 8-31 展示了 REG0x19_Charger_Control_4，表 8-23 中对此进行了介绍。

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充电器控制 4

图 8-31 REG0x19_Charger_Control_4 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
IBAT_PK		VBAT_UVLO	VBAT_OTG_MIN	EN_9V	EN_12V_or_EN_EXTILIM	CHG_RATE
R/W-3h		R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h

表 8-23 REG0x19_Charger_Control_4 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:6	IBAT_PK	R/W	3h	电池放电峰值电流保护阈值设置 0h = 1.5A 1h = 3A 2h = 6A 3h = 12A（默认值）
5	VBAT_UVLO	R/W	0h	选择 VBAT_UVLO 下降阈值和 VBAT_SHORT 阈值 0h = VBAT_UVLO 2.2V、VBAT_SHORT 2.05V（默认值） 1h = VBAT_UVLO 1.8V、VBAT_SHORT 1.85V
4	VBAT_OTG_MIN	R/W	0h	选择最小电池电压以启动 OTG 模式 0h = 3V 上升/2.8V 下降（默认值） 1h = 2.6V 上升/2.4V 下降
3	EN_9V	R/W	0h	BQ25620：启用 9V 适配器检测主机必须设置 EN_12V=EN_9V=0，然后设置 EN_12V 和 EN_9V 以开始检测。 9V 检测成功后，如果 EN_9V 设置为 0，充电器将启动 12V 检测（如果 EN_12V=1），或释放 D+/D- 偏置并返回 DCP（如果 EN_12V=0）。0b = 禁用（默认值） 1b = 启用 BQ25622：保留，默认为 0
2	EN_12V_or_EN_EXTILIM	R/W	0h	BQ25620：启用 12V 适配器检测如果 EN_12V = EN_9V = 1，充电器首先尝试 12V 协商。如果检测到 12V 电压，则充电器跳过 9V 协商。主机必须设置 EN_12V = EN_9V = 0，然后正确设置 EN_12V 和 EN_9V 以启动协商。在 12V 协商成功后，如果 EN_12V 设置为 0 且 EN_9V 保持为 1，则充电器启动 9V 协商。 0b = 禁用（默认值） 1b = 启用 BQ25622：启用外部 ILIM 引脚输入电流调节 0b = 禁用 1b = 启用（默认值）
1:0	CHG_RATE	R/W	0h	快速充电阶段的充电率定义。充电电流折返值等于 ICHG 寄存器设置乘以折返比，然后除以充电率。 0h = 1C（默认值） 1h = 2C 2h = 4C 3h = 6C

8.6.2.16 REG0x1A_NTC_Control_0 寄存器（地址 = 1Ah）[复位 = 3Dh]

图 8-32 展示了 REG0x1A_NTC_Control_0，表 8-24 中对此进行了介绍。

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NTC 控制 0

图 8-32 REG0x1A_NTC_Control_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TS_IGNORE	TS_TH_OTG_HOT		TS_TH_OTG_COLD	TS_ISET_WARM		TS_ISET_COOL
R/W-0h	R/W-1h		R/W-1h	R/W-3h		R/W-1h

表 8-24 REG0x1A_NTC_Control_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	TS_IGNORE	R/W	0h	忽略 TS 反馈：充电器认为 TS 始终良好以允许充电和 OTG 模式，TS_STAT 报告 TS_NORMAL 条件。 0h = 不忽略（默认值） 1h = 忽略
6:5	TS_TH_OTG_HOT	R/W	1h	OTG 模式 TS_HOT 上升温度阈值，用以在使用 103AT NTC 热敏电阻、RT1=5.24kΩ 和 RT2=30.31kΩ 时从正常运行状态转换到挂起的 OTG 模式。 0h = 55°C 1h = 60°C（默认值） 2h = 65°C 3h = 禁用
4	TS_TH_OTG_COLD	R/W	1h	OTG 模式 TS_COLD 下降温度阈值，用以在使用 103AT NTC 热敏电阻、RT1=5.24kΩ 和 RT2=30.31kΩ 时从正常运行状态转换到挂起的 OTG 模式。 0h = -20°C 1h = -10°C（默认值）
3:2	TS_ISET_WARM	R/W	3h	TS_WARM 电流设置 0h = 充电暂停 1h = 将 ICHG 设置为 20% 2h = 将 ICHG 设置为 40% 3h = ICHG 不变（默认值）
1:0	TS_ISET_COOL	R/W	1h	TS_COOL 电流设置 0h = 充电暂停 1h = 将 ICHG 设置为 20%（默认值） 2h = 将 ICHG 设置为 40% 3h = ICHG 不变

8.6.2.17 REG0x1B_NTC_Control_1 寄存器（地址 = 1Bh）[复位 = 25h]

图 8-33 展示了 REG0x1B_NTC_Control_1，表 8-25 中对此进行了介绍。

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NTC 控制 1

图 8-33 REG0x1B_NTC_Control_1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TS_TH1_TH2_TH3			TS_TH4_TH5_TH6			TS_VSET_WARM
R/W-1h			R/W-1h			R/W-1h

表 8-25 REG0x1B_NTC_Control_1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:5	TS_TH1_TH2_TH3	R/W	1h	使用 103AT NTC 热敏电阻、RT1=5.24kΩ 且 RT2=30.31kΩ 时的 TH1、TH2 和 TH3 比较器下降温度阈值。 0h = TH1 为 0°C，TH2 为 5°C，TH3 为 15°C 1h = TH1 为 0°C，TH2 为 10°C，TH3 为 15°C（默认值） 2h = TH1 为 0°C，TH2 为 15°C，TH3 为 20°C 3h = TH1 为 0°C，TH2 为 20°C，TH3 20°C 4h = TH1 为 -5°C，TH2 为 5°C，TH3 为 15°C 5h = TH1 为 -5°C，TH2 为 10°C，TH3 为 15°C 6h = TH1 为 -5°C，TH2 为 10°C，TH3 为 20°C 7h = TH1 为 0°C，TH2 为 10°C，TH3 为 20°C
4:2	TS_TH4_TH5_TH6	R/W	1h	使用 103AT NTC 热敏电阻、RT1=5.24kΩ 且 RT2=30.31kΩ 时的 TH4、TH5 和 TH6 比较器上升温度阈值。 0h = TH4 为 35°C，TH5 为 40°C，TH6 为 60°C 1h = TH4 为 35°C，TH5 为 45°C，TH6 为 60°C（默认值） 2h = TH4 为 35°C，TH5 为 50°C，TH6 为 60°C 3h = TH4 为 40°C，TH5 为 55°C，TH6 为 60°C 4h = TH4 为 35°C，TH5 为 40°C，TH6 为 50°C 5h = TH4 为 35°C，TH5 为 45°C，TH6 为 50°C 6h = TH4 为 40°C，TH5 为 45°C，TH6 为 60°C 7h = TH4 为 40°C，TH5 为 50°C，TH6 为 60°C
1:0	TS_VSET_WARM	R/W	1h	TS_WARM 电压设置 0h = 将 VREG 设置为 VREG-300mV 1h = 将 VREG 设置为 VREG-200mV（默认值） 2h = 将 VREG 设置为 VREG-100mV 3h = VREG 不变

8.6.2.18 REG0x1C_NTC_Control_2 寄存器（地址 = 1Ch）[复位 = 3Fh]

图 8-34 展示了 REG0x1C_NTC_Control_2，表 8-26 中对此进行了介绍。

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NTC 控制 2

图 8-34 REG0x1C_NTC_Control_2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	TS_VSET_SYM	TS_VSET_PREWARM		TS_ISET_PREWARM		TS_ISET_PRECOOL
R-0h	R/W-0h	R/W-3h		R/W-3h		R/W-3h

表 8-26 REG0x1C_NTC_Control_2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	RESERVED
6	TS_VSET_SYM	R/W	0h	当该位设置为 0 时，TS_PRECOOL 和 TS_COOL 的电压调节保持不变。当该位设置为 1 时，TS_PRECOOL 使用 TS_PREWARM 的 TS_VSET_PREWARM 设置，TS_COOL 使用 TS_WARM 的 TS_VSET_WARM 设置。 0h = VREG 不变（默认值） 1h = TS_COOLx 与 TS_WARMx 匹配
5:4	TS_VSET_PREWARM	R/W	3h	TS_PREWARM (TH4 - TH5) 的高级温度曲线电压设置 0h = 将 VREG 设置为 VREG-300mV 1h = 将 VREG 设置为 VREG-200mV 2h = 将 VREG 设置为 VREG-100mV 3h = VREG 不变（默认值）
3:2	TS_ISET_PREWARM	R/W	3h	TS_PREWARM 区域 (TH4 - TH5) 的高级温度曲线电流设置 0h = 充电暂停 1h = 将 ICHG 设置为 20% 2h = 将 ICHG 设置为 40% 3h = ICHG 不变（默认值）
1:0	TS_ISET_PRECOOL	R/W	3h	TS_PRECOOL 区域 (TH2 - TH3) 的高级温度曲线电流设置 0h = 充电暂停 1h = 将 ICHG 设置为 20% 2h = 将 ICHG 设置为 40% 3h = ICHG 不变（默认值）

8.6.2.19 REG0x1D_Charger_Status_0 寄存器（地址 = 1Dh）[复位 = 00h]

图 8-35 展示了 REG0x1D_Charger_Status_0，表 8-27 中对此进行了介绍。

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充电器状态 0

图 8-35 REG0x1D_Charger_Status_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	ADC_DONE_STAT	TREG_STAT	VSYS_STAT	IINDPM_STAT	VINDPM_STAT	SAFETY_TMR_STAT	WD_STAT
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h

表 8-27 REG0x1D_Charger_Status_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	ADC_DONE_STAT	R	0h	ADC 转换状态（仅限单次触发模式）注意：始终在连续模式下读取 0 0h = 转换未完成 1h = 转换完成
5	TREG_STAT	R	0h	IC 热调节状态 0h = 正常 1h = 器件处于热调节状态
4	VSYS_STAT	R	0h	VSYS 调节状态（正向模式） 0h = 未处于 VSYSMIN 调节状态 (BAT>VSYSMIN) 1h = 处于 VSYSMIN 调节状态 (BAT<VSYSMIN)
3	IINDPM_STAT	R	0h	在正向模式下，指示 IINDPM 调节已激活或 ILIM 引脚调节已激活在 OTG 模式下，指示 IOTG 调节已激活 0h = 正常 1h = 处于 IINDPM/ILIM 调节或 IOTG 调节状态
2	VINDPM_STAT	R	0h	VINDPM 状态（正向模式）或 VOTG 状态（OTG 模式、备用模式） 0h = 正常 1h = 处于 VINDPM 调节或 VOTG 调节状态
1	SAFETY_TMR_STAT	R	0h	快速充电、涓流充电和预充电计时器状态 0h = 正常 1h = 安全计时器到期
0	WD_STAT	R	0h	I2C 看门狗计时器状态 0h = 正常 1h = 看门狗计时器已到期

8.6.2.20 REG0x1E_Charger_Status_1 寄存器（地址 = 1Eh）[复位 = 00h]

图 8-36 展示了 REG0x1E_Charger_Status_1，表 8-28 中对此进行了介绍。

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充电器状态 1

图 8-36 REG0x1E_Charger_Status_1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED			CHG_STAT		VBUS_STAT
R-0h			R-0h		R-0h

表 8-28 REG0x1E_Charger_Status_1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:5	RESERVED	R	0h	保留
4:3	CHG_STAT	R	0h	充电状态位 0h = 未充电或充电终止 1h = 涓流充电、预充电或快速充电（CC 模式） 2h = 恒压充电（CV 模式） 3h = 充电完成计时器激活充电
2:0	VBUS_STAT	R	0h	VBUS 状态位 BQ25620： 000b = 无合格适配器，或 EN_AUTO_INDET = 0。 001b = USB SDP 适配器 (500mA) 010b = USB CDP 适配器 (1.5A) 011b = USB DCP 适配器 (1.5A) 100b = 未知适配器 (500mA) 101b = 非标准适配器 (1A/2.1A/2.4A) 110b = HVDCP 适配器 (1.5A) 111b = 处于升压 OTG 模式 BQ25622： 100b = 未知适配器（默认 IINDPM 设置）

8.6.2.21 REG0x1F_FAULT_Status_0 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 00h]

图 8-37 展示了 REG0x1F_FAULT_Status_0，表 8-29 中对此进行了介绍。

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故障状态 0

图 8-37 REG0x1F_FAULT_Status_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
VBUS_FAULT_STAT	BAT_FAULT_STAT	SYS_FAULT_STAT	OTG_FAULT_STAT	TSHUT_STAT	TS_STAT
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h

表 8-29 REG0x1F_FAULT_Status_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	VBUS_FAULT_STAT	R	0h	VBUS 故障状态，VBUS OVP 和睡眠比较器 0h = 正常 1h = 器件因过压保护或睡眠比较器而未切换
6	BAT_FAULT_STAT	R	0h	BAT 故障状态，IBAT OCP 和 VBAT OVP 0h = 正常 1h = 器件处于电池过流保护或电池过压保护状态
5	SYS_FAULT_STAT	R	0h	VSYS 欠压和过压状态 0h = 正常 1h = SYS 处于 SYS 短路或过压状态
4	OTG_FAULT_STAT	R	0h	在升压 OTG 期间，在 PMID 或 VBUS 上检测到反向电流、欠压或过压故障 0h = 正常 1h = 在 OTG 期间，发生反向电流故障或 PMID/VBUS 发生过压或欠压情况
3	TSHUT_STAT	R	0h	IC 温度关断状态 0h = 正常 1h = 器件处于热关断保护状态
2:0	TS_STAT	R	0h	TS 温度区域。 0h = TS_NORMAL 1h = TS_COLD 或 TS_OTG_COLD 或 TS 电阻器串电源轨不可用。 2h = TS_HOT 或 TS_OTG_HOT 3h = TS_COOL 4h = TS_WARM 5h = TS_PRECOOL 6h = TS_PREWARM 7h = TS 引脚偏置基准故障

8.6.2.22 REG0x20_Charger_Flag_0 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 00h]

图 8-38 展示了 REG0x20_Charger_Flag_0，表 8-30 中对此进行了介绍。

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充电器标志 0

图 8-38 REG0x20_Charger_Flag_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	ADC_DONE_FLAG	TREG_FLAG	VSYS_FLAG	IINDPM_FLAG	VINDPM_FLAG	SAFETY_TMR_FLAG	WD_FLAG
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h

表 8-30 REG0x20_Charger_Flag_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	ADC_DONE_FLAG	R	0h	ADC 转换标志（仅限单次触发模式） 0h = 转换未完成 1h = 转换已完成
5	TREG_FLAG	R	0h	IC 热调节标志 0h = 正常 1h = 检测到 TREG 信号上升阈值
4	VSYS_FLAG	R	0h	VSYS 最小值调节标志 0h = 正常 1h = 已进入或已存在 VSYS 最小值调节
3	IINDPM_FLAG	R	0h	表示已进入 IINDPM 调节环路、ILIM 引脚调节环路或 IOTG 调节环路。 0h = 正常 1h = 检测到 IINDPM、ILIM 或 IOTG 调节信号上升沿
2	VINDPM_FLAG	R	0h	VINDPM 或 VOTG 标志 0h = 正常 1h = 检测到 VINDPM 或 VOTG 调节信号上升沿
1	SAFETY_TMR_FLAG	R	0h	快速充电、涓流充电和预充电计时器标志 0h = 正常 1h = 检测到快速充电计时器到期上升沿
0	WD_FLAG	R	0h	I2C 看门狗计时器标志 0h = 正常 1h = 检测到看门狗计时器信号上升沿

8.6.2.23 REG0x21_Charger_Flag_1 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 00h]

图 8-39 展示了 REG0x21_Charger_Flag_1，表 8-31 中对此进行了介绍。

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充电器标志 1

图 8-39 REG0x21_Charger_Flag_1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED				CHG_FLAG	RESERVED		VBUS_FLAG
R-0h				R-0h	R-0h		R-0h

表 8-31 REG0x21_Charger_Flag_1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:4	RESERVED	R	0h	保留
3	CHG_FLAG	R	0h	充电状态标志 0h = 正常 1h = 充电状态已更改
2:1	RESERVED	R	0h	保留
0	VBUS_FLAG	R	0h	VBUS 状态标志 0h = 正常 1h = VBUS 状态已更改

8.6.2.24 REG0x22_FAULT_Flag_0 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 00h]

图 8-40 展示了 REG0x22_FAULT_Flag_0，表 8-32 中对此进行了介绍。

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故障标志 0

图 8-40 REG0x22_FAULT_Flag_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
VBUS_FAULT_FLAG	BAT_FAULT_FLAG	SYS_FAULT_FLAG	OTG_FAULT_FLAG	TSHUT_FLAG	RESERVED		TS_FLAG
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h		R-0h

表 8-32 REG0x22_FAULT_Flag_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	VBUS_FAULT_FLAG	R	0h	VBUS 过压或睡眠标志 0h = 正常 1h = 已进入 VBUS OVP 或睡眠状态
6	BAT_FAULT_FLAG	R	0h	IBAT 过流和 VBAT 过压标志 0h = 正常 1h = 已进入电池放电 OCP 或 VBAT OVP
5	SYS_FAULT_FLAG	R	0h	VSYS 过压和 SYS 短路标志 0h = 正常 1h = 由于系统过压或 SYS 短路故障而停止开关
4	OTG_FAULT_FLAG	R	0h	OTG PMID 和 VBUS 反向电流、欠压和过压标志 0h = 正常 1h = 因反向电流故障、PMID 欠压或过压故障而停止 OTG
3	TSHUT_FLAG	R	0h	IC 热关断标志 0h = 正常 1h = 检测到 TS 关断信号上升阈值
2:1	RESERVED	R	0h	保留
0	TS_FLAG	R	0h	TS 状态标志 0h = 正常 1h = 检测到 TS 状态发生变化

8.6.2.25 REG0x23_Charger_Mask_0 寄存器（地址 = 23h）[复位 = 00h]

图 8-41 展示了 REG0x23_Charger_Mask_0，表 8-33 中对此进行了介绍。

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充电器屏蔽 0

图 8-41 REG0x23_Charger_Mask_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	ADC_DONE_MASK	TREG_MASK	VSYS_MASK	IINDPM_MASK	VINDPM_MASK	SAFETY_TMR_MASK	WD_MASK
R-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h

表 8-33 REG0x23_Charger_Mask_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	ADC_DONE_MASK	R/W	0h	ADC 转换屏蔽标志（仅限单次触发模式） 0h = ADC 转换完成会产生 INT 脉冲 1h = ADC 转换完成不会产生 INT 脉冲
5	TREG_MASK	R/W	0h	IC 热调节屏蔽标志 0h = 进入 TREG 会产生 INT 1h = 进入 TREG 不会产生 INT
4	VSYS_MASK	R/W	0h	VSYS 最小值调节屏蔽标志 0h = 进入或退出 VSYSMIN 调节会产生 INT 脉冲 1h = 进入或退出 VSYSMIN 调节不会产生 INT 脉冲
3	IINDPM_MASK	R/W	0h	IINDPM、ILIM 或 IOTG 屏蔽 0h = 进入 IINDPM、ILIM 或 IOTG 会产生 INT 脉冲 1h = 进入 IINDPM、ILIM 或 IOTG 不会产生 INT 脉冲
2	VINDPM_MASK	R/W	0h	VINDPM 或 VOTG 屏蔽 0h = 进入 VINDPM 或 VOTG 会产生 INT 脉冲 1h = 进入 VINDPM 或 VOTG 不会产生 INT 脉冲
1	SAFETY_TMR_MASK	R/W	0h	快速充电、涓流充电和预充电计时器屏蔽标志 0h = 快速充电、涓流充电或预充电计时器到期会产生 INT 1h = 快速充电、涓流充电或预充电计时器到期不会产生 INT
0	WD_MASK	R/W	0h	I2C 看门狗计时器屏蔽 0h = 看门狗计时器到期会产生 INT 脉冲 1h = I2C 看门狗计时器到期不会产生 INT 脉冲

8.6.2.26 REG0x24_Charger_Mask_1 寄存器（地址 = 24h）[复位 = 00h]

图 8-42 展示了 REG0x24_Charger_Mask_1，表 8-34 中对此进行了介绍。

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充电器屏蔽 1

图 8-42 REG0x24_Charger_Mask_1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED				CHG_MASK	RESERVED		VBUS_MASK
R-0h				R/W-0h	R-0h		R/W-0h

表 8-34 REG0x24_Charger_Mask_1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:4	RESERVED	R	0h	保留
3	CHG_MASK	R/W	0h	充电状态屏蔽标志 0h = 充电状态变化会产生 INT 1h = 充电状态变化不会产生 INT
2:1	RESERVED	R	0h	保留
0	VBUS_MASK	R/W	0h	VBUS 状态屏蔽标志 0h = VBUS 状态变化会产生 INT 1h = VBUS 状态变化不会产生 INT

8.6.2.27 REG0x25_FAULT_Mask_0 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 00h]

图 8-43 展示了 REG0x25_FAULT_Mask_0，表 8-35 中对此进行了介绍。

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故障屏蔽 0

图 8-43 REG0x25_FAULT_Mask_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
VBUS_FAULT_MASK	BAT_FAULT_MASK	SYS_FAULT_MASK	OTG_FAULT_MASK	TSHUT_MASK	RESERVED		TS_MASK
R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R-0h		R/W-0h

表 8-35 REG0x25_FAULT_Mask_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	VBUS_FAULT_MASK	R/W	0h	VBUS 过压和睡眠比较器屏蔽标志 0h = 进入 VBUS OVP 或睡眠状态会产生 INT 1h = 进入 VBUS OVP 或睡眠状态不会产生 INT
6	BAT_FAULT_MASK	R/W	0h	IBAT 过流和 VBAT 过压屏蔽标志 0h = IBAT OCP 故障或 VBAT OVP 故障会产生 INT 1h = IBAT OCP 故障或 VBAT OVP 故障都不会产生 INT
5	SYS_FAULT_MASK	R/W	0h	SYS 过压和 SYS 短路屏蔽 0h = 系统过压或 SYS 短路故障会产生 INT 1h = 系统过压或 SYS 短路故障都不会产生 INT
4	OTG_FAULT_MASK	R/W	0h	OTG VBUS 和 PMID 反向电流、欠压和过压屏蔽 0h = OTG VBUS 或 PMID 反向电流、欠压故障或过压故障会产生 INT 1h = 反向电流故障、OTG PMID 或 VBUS 欠压和过压故障都不会产生 INT
3	TSHUT_MASK	R/W	0h	IC 热关断屏蔽标志 0h = TSHUT 会产生 INT 1h = TSHUT 不会产生 INT
2:1	RESERVED	R	0h
0	TS_MASK	R/W	0h	温度充电曲线中断屏蔽 0h = TS 温度区域的变化会产生 INT 1h = TS 温度区域的变化不会产生 INT

8.6.2.28 REG0x26_ADC_Control 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 30h]

图 8-44 展示了 REG0x26_ADC_Control，表 8-36 中对此进行了介绍。

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ADC 控制

图 8-44 REG0x26_ADC_Control 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
ADC_EN	ADC_RATE	ADC_SAMPLE		ADC_AVG	ADC_AVG_INIT	RESERVED
R/W-0h	R/W-0h	R/W-3h		R/W-0h	R/W-0h	R-0h

表 8-36 REG0x26_ADC_Control 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	ADC_EN	R/W	0h	ADC 控制寄存器 POR 至全 0，之后始终保持最后一次测量，并且永远不会清除。 0h = 禁用（默认值） 1h = 启用
6	ADC_RATE	R/W	0h	ADC 转换率控制 0h = 连续转换（默认值） 1h = 单次转换
5:4	ADC_SAMPLE	R/W	3h	ADC 采样速度 0h = 12 位有效分辨率 1h = 11 位有效分辨率 2h = 10 位有效分辨率 3h = 9 位有效分辨率（默认值）
3	ADC_AVG	R/W	0h	ADC 平均值控制 0h = 单个值（默认值） 1h = 运行平均值
2	ADC_AVG_INIT	R/W	0h	ADC 平均初始值控制 0h = 使用现有寄存器值开始计算平均值（默认值） 1h = 使用新的 ADC 转换开始计算平均值
1:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.29 REG0x27_ADC_Function_Disable_0 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 00h]

图 8-45 展示了 REG0x27_ADC_Function_Disable_0，表 8-37 中对此进行了介绍。

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ADC 功能禁用 0

图 8-45 REG0x27_ADC_Function_Disable_0 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
IBUS_ADC_DIS	IBAT_ADC_DIS	VBUS_ADC_DIS	VBAT_ADC_DIS	VSYS_ADC_DIS	TS_ADC_DIS	TDIE_ADC_DIS	VPMID_ADC_DIS
R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h

表 8-37 REG0x27_ADC_Function_Disable_0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	IBUS_ADC_DIS	R/W	0h	IBUS ADC 控制 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
6	IBAT_ADC_DIS	R/W	0h	IBAT ADC 控制 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
5	VBUS_ADC_DIS	R/W	0h	VBUS ADC 控制 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
4	VBAT_ADC_DIS	R/W	0h	VBAT ADC 控制 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
3	VSYS_ADC_DIS	R/W	0h	VSYS ADC 控制 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
2	TS_ADC_DIS	R/W	0h	TS ADC 控制 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
1	TDIE_ADC_DIS	R/W	0h	TDIE ADC 控制 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用
0	VPMID_ADC_DIS	R/W	0h	VPMID ADC 控制 0h = 启用（默认值） 1h = 禁用

8.6.2.30 REG0x28_IBUS_ADC 寄存器（地址 = 28h）[复位 = 0000h]

图 8-46 展示了 REG0x28_IBUS_ADC，表 8-38 中对此进行了介绍。

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IBUS ADC

图 8-46 REG0x28_IBUS_ADC 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
IBUS_ADC
R-0h

7	6	5	4	3	2	1	0
IBUS_ADC							RESERVED
R-0h							R-0h

表 8-38 REG0x28_IBUS_ADC 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:1	IBUS_ADC	R	0h	用二进制补码报告的 IBUS ADC 读数。当电流从 VBUS 流向 PMID 时，IBUS ADC 报告正值，当电流从 PMID 流向 VBUS 时，IBUS ADC 报告负值。 POR：0mA (0h) 格式：二进制补码范围：-4000mA-4000mA (7830h-7FFFh)，(0h-7D0h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：2mA
0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.31 REG0x2A_IBAT_ADC 寄存器（地址 = 2Ah）[复位 = 0000h]

图 8-47 展示了 REG0x2A_IBAT_ADC，表 8-39 中对此进行了介绍。

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IBAT ADC

图 8-47 REG0x2A_IBAT_ADC 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
IBAT_ADC
R-0h

7	6	5	4	3	2	1	0
IBAT_ADC						RESERVED
R-0h						R-0h

表 8-39 REG0x2A_IBAT_ADC 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:2	IBAT_ADC	R	0h	用二进制补码报告的 IBAT ADC 读数。 IBAT ADC 报告的电池充电电流为正值，电池放电电流为负值。当 EN_CHG=0 时，IBAT ADC 复位为零。 POR：0mA (0h) 格式：二进制补码范围：-7500mA-4000mA (38ADh-3FFFh)，(0h-3E8h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：4mA 在正向模式下 IBAT ADC 电流只能为正或零，在仅电池模式下只能为负或零。如果在 ADC 测量期间电池电流的极性从充电变为放电或反之，转换将中止，并且寄存器会报告代码 0x8000（IBAT_ADC 字段为代码 0x2000）
1:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.32 REG0x2C_VBUS_ADC 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 0000h]

图 8-48 展示了 REG0x2C_VBUS_ADC，表 8-40 中对此进行了介绍。

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VBUS ADC

图 8-48 REG0x2C_VBUS_ADC 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED	VBUS_ADC
R-0h	R-0h

7	6	5	4	3	2	1	0
VBUS_ADC						RESERVED
R-0h						R-0h

表 8-40 REG0x2C_VBUS_ADC 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	RESERVED	R	0h	保留
14:2	VBUS_ADC	R	0h	VBUS ADC 读数 POR：0mV (0h) 范围：0mV-18000mV (0h-11B6h) 钳位至高电平位步长：3.97mV
1:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.33 REG0x2E_VPMID_ADC 寄存器（地址 = 2Eh）[复位 = 0000h]

图 8-49 展示了 REG0x2E_VPMID_ADC，表 8-41 中对此进行了介绍。

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VPMID ADC

图 8-49 REG0x2E_VPMID_ADC 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED	VPMID_ADC
R-0h	R-0h

7	6	5	4	3	2	1	0
VPMID_ADC						RESERVED
R-0h						R-0h

表 8-41 REG0x2E_VPMID_ADC 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	RESERVED	R	0h	保留
14:2	VPMID_ADC	R	0h	VPMID ADC 读数 POR：0mV (0h) 范围：0mV-18000mV (0h-11B6h) 钳位至高电平位步长：3.97mV
1:0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.34 REG0x30_VBAT_ADC 寄存器（地址 = 30h）[复位 = 0000h]

图 8-50 展示了 REG0x30_VBAT_ADC，表 8-42 中对此进行了介绍。

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VBAT ADC

图 8-50 REG0x30_VBAT_ADC 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED			VBAT_ADC
R-0h			R-0h

7	6	5	4	3	2	1	0
VBAT_ADC							RESERVED
R-0h							R-0h

表 8-42 REG0x30_VBAT_ADC 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:13	RESERVED	R	0h	保留
12:1	VBAT_ADC	R	0h	VBAT ADC 读数 POR：0mV (0h) 范围：0mV-5572mV (0h-AF0h) 钳位至高电平位步长：1.99mV
0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.35 REG0x32_VSYS_ADC 寄存器（地址 = 32h）[复位 = 0000h]

图 8-51 展示了 REG0x32_VSYS_ADC，表 8-43 中对此进行了介绍。

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VSYS ADC

图 8-51 REG0x32_VSYS_ADC 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED			VSYS_ADC
R-0h			R-0h

7	6	5	4	3	2	1	0
VSYS_ADC							RESERVED
R-0h							R-0h

表 8-43 REG0x32_VSYS_ADC 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:13	RESERVED	R	0h	保留
12:1	VSYS_ADC	R	0h	VSYS ADC 读数 POR：0mV (0h) 范围：0mV-5572mV (0h-AF0h) 钳位至高电平位步长：1.99mV
0	RESERVED	R	0h	保留

8.6.2.36 REG0x34_TS_ADC 寄存器（地址 = 34h）[复位 = 0000h]

图 8-52 展示了 REG0x34_TS_ADC，表 8-44 中对此进行了介绍。

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TS ADC

图 8-52 REG0x34_TS_ADC 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED				TS_ADC
R-0h				R-0h

7	6	5	4	3	2	1	0
TS_ADC
R-0h

表 8-44 REG0x34_TS_ADC 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:12	RESERVED	R	0h	保留
11:0	TS_ADC	R	0h	TS 引脚电压形式的 TS ADC 读数，以偏置基准的百分比表示。TS 引脚偏置基准激活时有效。 POR：0%(0h) 范围：0% - 98.3103% (0h-3FFh) 钳位至高电平位步长：0.0961%

8.6.2.37 REG0x36_TDIE_ADC 寄存器（地址 = 36h）[复位 = 0000h]

图 8-53 展示了 REG0x36_TDIE_ADC，表 8-45 中对此进行了介绍。

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TDIE ADC

图 8-53 REG0x36_TDIE_ADC 寄存器

15	14	13	12	11	10	9	8
RESERVED				TDIE_ADC
R-0h				R-0h

7	6	5	4	3	2	1	0
TDIE_ADC
R-0h

表 8-45 REG0x36_TDIE_ADC 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15:12	RESERVED	R	0h	保留
11:0	TDIE_ADC	R	0h	用二进制补码报告的 TDIE ADC 读数。 POR：0°C(0h) 格式：二进制补码范围：-40°C - 140°C (FB0h-118h) 钳位至低电平钳位至高电平位步长：0.5°C

8.6.2.38 REG0x38_Part_Information 寄存器（地址 = 38h）[复位 = 02h]

图 8-54 展示了 REG0x38_Part_Information，表 8-46 中对此进行了介绍。

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器件信息

图 8-54 REG0x38_Part_Information 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		PN			DEV_REV
R-0h		R-0h			R-2h

表 8-46 REG0x38_Part_Information 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:6	RESERVED	R	0h	保留
5:3	PN	R	0h	器件型号保留所有其他选项 0h = BQ25620 1h = BQ25622
2:0	DEV_REV	R	2h	器件修正