ZHCSMZ9C September   2022  – February 2024 BQ25620 , BQ25622

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位 (POR)
      2. 8.3.2  通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3  通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 D+/D– 检测设置输入电流限值（仅限 BQ25620）
        4. 8.3.3.4 ILIM 引脚（仅限 BQ25622）
        5. 8.3.3.5 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        6. 8.3.3.6 转换器上电
      4. 8.3.4  电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5  电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 OTG 模式下的冷/热温度窗口
          4. 8.3.5.4.4 JEITA 充电率调节
          5. 8.3.5.4.5 TS_BIAS 引脚（仅限 BQ25622）
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6  USB On-The-Go (OTG)
        1. 8.3.6.1 升压 OTG 模式
      7. 8.3.7  用于监测的集成 12 位 ADC
      8. 8.3.8  状态输出（ PG、STAT、INT）
        1. 8.3.8.1 PG 引脚电源正常状态指示器
        2. 8.3.8.2 中断和状态、标志和屏蔽位
        3. 8.3.8.3 充电状态指示灯 (STAT)
        4. 8.3.8.4 主机中断 (INT)
      9. 8.3.9  BATFET 控制
        1. 8.3.9.1 关断模式
        2. 8.3.9.2 运输模式
        3. 8.3.9.3 系统电源复位
      10. 8.3.10 保护功能
        1. 8.3.10.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.10.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.10.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.2.1 输入过压
          2. 8.3.10.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.10.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.10.2.4 系统短路
          5. 8.3.10.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.10.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
        3. 8.3.10.3 升压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.3.1 升压模式过压保护
          2. 8.3.10.3.2 升压模式占空比保护
          3. 8.3.10.3.3 升压模式 PMID 欠压保护
          4. 8.3.10.3.4 升压模式电池欠压
          5. 8.3.10.3.5 升压转换器逐周期电流限制
          6. 8.3.10.3.6 升压模式 SYS 短路
        4. 8.3.10.4 热调节和热关断
          1. 8.3.10.4.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.10.4.2 升压模式下的过热保护
          3. 8.3.10.4.3 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25620 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.2.2.2 输入电容器

在设计输入电容时应确保能够提供足够的额定纹波电流以吸收输入开关纹波电流。当占空比为 0.5 时，最坏情况下的 RMS 纹波电流是充电电流的一半。如果转换器不以 50% 的占空比运行，则最坏情况下的电容器 RMS 电流 ICin 发生在占空比最接近 50% 的位置，并可使用方程式 5 估算得出。

方程式 5. GUID-5F9A1422-9980-4EC2-B823-A0D3A0264FEC-low.gif

X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容器是输入去耦电容器的首选，应尽可能靠近高侧 MOSFET 的漏极 (PMID) 和低侧 MOSFET 的源极 (GND) 放置。电容器的额定电压必须高于正常输入电压电平。对于 15V 输入电压，首选额定电压为 25V 或更高的电容器。一般充电电流为 3.5A 时，建议使用 10μF 的陶瓷电容器。
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