ZHCSN01B December   2022  – February 2024 BQ25628 , BQ25629

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位 (POR)
      2. 8.3.2  通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3  通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 D+/D– 检测设置输入电流限值 (BQ25629)
        4. 8.3.3.4 ILIM 引脚（仅限 BQ25628）
        5. 8.3.3.5 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        6. 8.3.3.6 转换器上电
      4. 8.3.4  电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5  电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 OTG 模式下的冷/热温度窗口
          4. 8.3.5.4.4 JEITA 充电率调节
          5. 8.3.5.4.5 TS_BIAS 引脚
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6  USB On-The-Go (OTG)
        1. 8.3.6.1 升压 OTG 模式
        2. 8.3.6.2 旁路 OTG 模式
        3. 8.3.6.3 PMID 电压指示器 (PMID_GD)
      7. 8.3.7  用于监测的集成 12 位 ADC
      8. 8.3.8  状态输出（STAT、INT）
        1. 8.3.8.1 中断和状态、标志和屏蔽位
        2. 8.3.8.2 充电状态指示灯 (STAT)
        3. 8.3.8.3 主机中断 (INT)
      9. 8.3.9  BATFET 控制
        1. 8.3.9.1 关断模式
        2. 8.3.9.2 运输模式
        3. 8.3.9.3 系统电源复位
      10. 8.3.10 保护功能
        1. 8.3.10.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.10.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.10.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.2.1 输入过压
          2. 8.3.10.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.10.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.10.2.4 系统短路
          5. 8.3.10.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.10.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
          7. 8.3.10.2.7 PMID OVP 和 VBUS 过流
        3. 8.3.10.3 升压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.3.1 升压模式过压保护
          2. 8.3.10.3.2 升压模式占空比保护
          3. 8.3.10.3.3 升压模式 PMID 欠压保护
          4. 8.3.10.3.4 升压模式电池欠压
          5. 8.3.10.3.5 升压转换器逐周期电流限制
          6. 8.3.10.3.6 升压模式 SYS 短路
        4. 8.3.10.4 旁路模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.4.1 旁路模式过压保护
          2. 8.3.10.4.2 旁路模式电池 OCP
          3. 8.3.10.4.3 旁路模式反向电流保护
          4. 8.3.10.4.4 旁路模式电池欠压
          5. 8.3.10.4.5 旁路模式 SYS 短路
          6. 8.3.10.4.6 旁路模式 REGN 故障
        5. 8.3.10.5 热调节和热关断
          1. 8.3.10.5.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.10.5.2 升压模式下的过热保护
          3. 8.3.10.5.3 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25628 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.3.3 D+/D– 检测设置输入电流限值 (BQ25629)

REGN LDO 通电后，适配器已被鉴定为良好源，且 AUTO_INDET_EN 位 = 1（默认为 POR），BQ25629 通过 D+/D– 线运行输入源检测，以检测 USB 电池充电规范 1.2 (BC1.2) 输入源 (CDP/SDP/DCP) 和非标准适配器。每次插入 VBUS 时，检测算法都会自动运行，并根据表 8-2 更新 IINDPM。如果 AUTO_INDET_EN = 0，则检测算法不运行，IINDPM 保持不变。通过将 FORCE_INDET 设置为 1，主机可以强制检测算法运行和更新 IINDPM。

USB BC1.2 能够识别标准下行端口 (SDP)、充电下行端口 (CDP) 和专用充电端口 (DCP)。当 500ms 的数据接触检测 (DCD) 计时器到期时，将应用非标准适配器检测来设置输入电流限值。

二次检测用于区分两种类型的充电端口（CDP 和 DCP）。在大多数情况下，CDP 要求便携式设备（如智能手机、平板电脑）在 CDP 插入后的 2.5 秒内发回枚举。否则，即使 D+/D– 检测指示 CDP，端口也会恢复为 SDP。

输入源类型检测完成后，以下寄存器将发生更改：

  1. 更改输入电流限值 (IINDPM) 寄存器以设置电流限值
  2. VBUS_STAT 位更新为指示检测到的输入源类型

检测完成后，主机可以对 IINDPM 寄存器进行覆写操作，以便在需要时更改输入电流限值。


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图 8-1 D+/D– 检测流程

如果检测到 DCP (VBUS_STAT = 011)，并且 EN_DCP_BIAS 设置为 1，则 BQ25629 会在 D+ 上打开 VD+D-_0p6V_SRC。在 VBUS_STAT = 011 时将 EN_DCP_BIAS 设置为 0 可禁用 D+ 引脚上的 VD+D-_0p6V_SRC，在 VBUS_STAT = 011 时将 EN_DCP_BIAS 设置为 1 可启用 D+ 引脚上的 VD+D-_0p6V_SRC。EN_HIZ 位的优先级高于 EN_DCP_BIAS。

非标准检测用于根据适配器在 D+/D- 引脚上的独特分压器来区分特定于供应商的适配器。比较器会检测施加在每个引脚上的电压，并根据表 8-1 确定输入电流限值。

表 8-1 非标准适配器检测
非标准适配器 D+ 阈值 D– 阈值 输入电流限值 (A)
分压器 1 VD+ 位于 VD+D-_2p0 范围内 VD– 位于 VD+D-_2p8 范围内 1
分压器 2 VD+ 位于 VD+D-_2p8 范围内 VD- 位于 VD+D-_2p0 范围内 2.1
分压器 3 VD+ 位于 VD+D-_2p8 范围内 VD– 位于 VD+D-_2p8 范围内 2.4
表 8-2 来自 D+/D– 检测的输入电流限值设置
D+/D– 检测 输入电流限值 (IINLIM) VBUS_STAT
USB SDP (USB500) 500mA 0x1
USB CDP 1.5A 0x2
USB DCP 1.5A 0x3
分压器 1 1A 0x5
分压器 2 2.1 A 0x5
分压器 3 2.4 A 0x5
未知的 5V 适配器 500mA 0x4
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