ZHCSN01B December 2022 – February 2024 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
典型的 TS 电阻器网络如下图所示。
RT1 和 RT2 的值取决于热敏电阻在 0ºC 和 60ºC 时的阻值(RTH0degC 和 RTH60degC)以及相应的电压阈值 VTS_0degC 和 VTS_60degC(以 REGN 的百分比表示,值介于 0 和 1 之间)。为了实现更精确的热敏电阻曲线拟合,请使用 VTS_COLD 在 0ºC 时的上升阈值以及 VTS_HOT 在 60ºC 时的下降阈值,不考虑 TS_TH1_TH2_TH3 和 TS_TH4_TH5_TH6 的实际寄存器设置。
假设电池包上有一个 103AT NTC 热敏电阻,RT1 的计算结果是 5.32kΩ,RT2 的计算结果是 30.1kΩ。
如果热敏电阻从 TS_BIAS 偏置,则应当对照 ITS_BIAS_FAULT 来检查最大电流。在热敏电阻处于 0Ω 阻抗的最坏情况下(非常热),偏置电流为:
当 RT1 为 5.30kΩ 时,最大 IBIAS 为 0.94mA,远低于最小 ITS_BIAS_FAULT 阈值。103AT NTC 热敏电阻是建议的热敏电阻,具有 10kΩ 标称阻抗。使用阻抗较低的热敏电阻将更改 R1 的值,并可能产生超过 TS_BIAS 引脚故障阈值的偏置电流。TS_STAT[2:0] 设置为 111。