ZHCSN01B December   2022  – February 2024 BQ25628 , BQ25629

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位 (POR)
      2. 8.3.2  通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3  通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 D+/D– 检测设置输入电流限值 (BQ25629)
        4. 8.3.3.4 ILIM 引脚（仅限 BQ25628）
        5. 8.3.3.5 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        6. 8.3.3.6 转换器上电
      4. 8.3.4  电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5  电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 OTG 模式下的冷/热温度窗口
          4. 8.3.5.4.4 JEITA 充电率调节
          5. 8.3.5.4.5 TS_BIAS 引脚
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6  USB On-The-Go (OTG)
        1. 8.3.6.1 升压 OTG 模式
        2. 8.3.6.2 旁路 OTG 模式
        3. 8.3.6.3 PMID 电压指示器 (PMID_GD)
      7. 8.3.7  用于监测的集成 12 位 ADC
      8. 8.3.8  状态输出（STAT、INT）
        1. 8.3.8.1 中断和状态、标志和屏蔽位
        2. 8.3.8.2 充电状态指示灯 (STAT)
        3. 8.3.8.3 主机中断 (INT)
      9. 8.3.9  BATFET 控制
        1. 8.3.9.1 关断模式
        2. 8.3.9.2 运输模式
        3. 8.3.9.3 系统电源复位
      10. 8.3.10 保护功能
        1. 8.3.10.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.10.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.10.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.2.1 输入过压
          2. 8.3.10.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.10.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.10.2.4 系统短路
          5. 8.3.10.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.10.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
          7. 8.3.10.2.7 PMID OVP 和 VBUS 过流
        3. 8.3.10.3 升压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.3.1 升压模式过压保护
          2. 8.3.10.3.2 升压模式占空比保护
          3. 8.3.10.3.3 升压模式 PMID 欠压保护
          4. 8.3.10.3.4 升压模式电池欠压
          5. 8.3.10.3.5 升压转换器逐周期电流限制
          6. 8.3.10.3.6 升压模式 SYS 短路
        4. 8.3.10.4 旁路模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.4.1 旁路模式过压保护
          2. 8.3.10.4.2 旁路模式电池 OCP
          3. 8.3.10.4.3 旁路模式反向电流保护
          4. 8.3.10.4.4 旁路模式电池欠压
          5. 8.3.10.4.5 旁路模式 SYS 短路
          6. 8.3.10.4.6 旁路模式 REGN 故障
        5. 8.3.10.5 热调节和热关断
          1. 8.3.10.5.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.10.5.2 升压模式下的过热保护
          3. 8.3.10.5.3 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25628 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6 引脚配置和功能

GUID-20201030-CA0I-ZBKB-J8TG-3C0M706FXCQM-low.svg图 6-1 BQ25628 引脚排列，18 引脚 WQFN顶视图
GUID-20211019-SS0I-CQHZ-DNRZ-N58HMNX9CZPM-low.svg图 6-2 BQ25629 引脚排列，18 引脚 WQFN顶视图
表 6-1 引脚功能
名称 编号 类型(1) 说明
BQ25628 BQ25629
BTST 1 P 高侧开关 MOSFET 栅极驱动器电源 – 在 SW 和 BTST 之间连接一个 10V 或更高额定电压的 47nF 陶瓷电容器，作为驱动高侧开关 MOSFET (Q2) 的自举电容器。
REGN 2 P 充电器内部线性稳压器输出 – REGN 在内部连接到自举二极管的阳极。在 REGN 与电源接地端之间连接一个额定电压为 10V 或更高的 4.7μF 陶瓷电容器。该电容器应靠近 IC 放置。REGN LDO 输出用于内部 MOSFET 栅极驱动电压，以及偏置 BQ25629 中的外部 TS 引脚热敏电阻。
PMID_GD 3 DO 开漏高电平有效 PMID 正常状态指示器 – 通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨 REGN。高电平表示 PMID 输出电压正常。当升压模式输出电压过高或输出电流过大时，该信号可用于驱动外部 PMOS FET 以断开充电负载下的 PMID。
ILIM D- 4 AIO 输入电流限制设置输入引脚 – ILIM 引脚将输入电流限制设置为 IINREG = KILIM / RILIM，其中 RILIM 连接在 ILIM 引脚到 GND 之间。输入电流被限制在 ILIM 引脚和 IINDPM 寄存器位设置的两个值中的较低值。ILIM 引脚还可用于监测输入电流。输入电流与 ILIM 引脚上的电压成正比，可通过以下公式计算得出：IIN = (KILIM x VILIM) / (RILIM x 0.8)。当 EN_EXTILIM 位设置为 0 时，ILIM 引脚功能会被禁用。
USB 数据线对的负线 – 基于 D+/D- 的 USB 主机/充电端口检测。该检测包括 BC1.2 中的数据接触检测 (DCD)、初级检测和次级检测。
TS_BIAS D+ 5 P TS 电阻分压器的偏置 – 为 TS 电阻分压器提供偏置电压。
AIO USB 数据线对的正线 – 基于 D+/D- 的 USB 主机/充电端口检测。该检测包括 BC1.2 中的数据接触检测 (DCD)、初级检测和次级检测。
TS 6 AI 温度鉴定电压输入 – 连接负温度系数热敏电阻。使用从 TS 引脚偏置基准（BQ25629 中的 REGN、BQ25628 中的 TS_BIAS）先后连接到 TS 和 GND 的电阻分压器对温度窗口进行编程。当 TS 引脚电压超出范围时，充电暂停。建议使用 103AT-2 10kΩ 热敏电阻。
QON 7 DI BATFET 使能或系统电源复位控制输入 – 如果充电器处于运输模式，则该引脚上具有 tSM_EXIT 持续时间的逻辑低电平将强制器件退出运输模式。如果充电器未处于运输模式，则当 VVBUS < VVBUS_UVLO 或 BATFET_CTRL_WVBUS = 1 时，该引脚上具有 tQON_RST 持续时间的逻辑低电平将启动完全系统电源复位。QON 在关断模式下无效。该引脚有一个内部上拉电阻器用于保持默认的高电平逻辑。
BAT 8 P 电池充电电源连接 – 连接到电池包的正极端子。内部 BATFET 连接在 SYS 和 BAT 之间。
SYS 9 P 连接到系统的充电器输出电压 – 连接到系统的降压转换器输出连接点。内部 BATFET 连接在 SYS 和 BAT 之间。
STAT 10 DO 开漏充电状态输出 – 表示各种充电器操作。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。低电平表示正在充电。高电平表示充电完成或充电被禁用。当发生任何故障情况时，STAT 引脚以 1Hz 的频率闪烁。设置 DIS_STAT = 1 会禁用 STAT 引脚功能，从而导致该引脚被拉至高电平。如果未使用，则保持悬空。
INT 11 DO 开漏中断输出– 通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。INT 引脚向主机发送一个低电平有效的 256μs 脉冲以报告充电器器件状态和故障。
SDA 12 DIO I2C 接口数据 – 通过 10kΩ 电阻器将 SDA 连接到逻辑轨。
SCL 13 DI I2C 接口时钟 – 通过 10kΩ 电阻器将 SCL 连接到逻辑轨。
CE 14 DI 低电平有效充电使能引脚 – 当 EN_CHG 位为 1 且 CE 引脚为低电平时，会启用电池充电。必须将 CE 引脚拉至高电平或低电平，不要保持悬空。
GND 15 P 接地回路
SW 16 P 连接到输出电感器的开关节点 – SW 在内部连接到 N 沟道 HSFET 的源极和 N 沟道 LSFET 的漏极。在 SW 和 BTST 之间连接一个 47nF 自举电容器。
PMID 17 P HSFET 漏极连接 – PMID 在内部连接到反向阻断 MOSFET (RBFET) 的漏极和 HSFET 的漏极。
VBUS 18 P 充电器输入电压 – 内部 N 沟道反向阻断 MOSFET (RBFET) 连接在 VBUS 和 PMID 之间，确保 VBUS 位于源极上。
(1) AI = 模拟输入，AO = 模拟输出，AIO = 模拟输入/输出，DI = 数字输入，DO = 数字输出，DIO = 数字输入/输出，P = 电源
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