在 BQ25628 和 BQ25629 中，附件器件可连接到充电器 PMID 引脚，从而通过 Q1 直接路径从适配器获取电源或从电池升压模式获取电源。在 PMID 引脚和附件输入端之间可放置一个可选的外部 PMOS FET，以便在过流和过压情况下断开电源路径。这个外部 PMOS FET 由 PMID_GD 通过逆变器进行驱动。PMID_GD 高电平会打开逆变器，以便将 PMOS FET 栅极拉至低电平来使 PMOS FET 导通，而 PMID_GD 低电平会使 PMOS FET 关断。

适配器插入后，当 VBUS 升至高于 V_BAT 但低于 V_{PMID_OVP} 时，PMID_GD 从低电平变为高电平，并会通过不良源检测。如果适配器电压大于 V_{PMID_OVP} 但小于 V_{VBUS_OVP}，则会将 PMID_GD 驱动为低电平，但如果满足所有其他条件，则会为电池充电。在此状态下，外部 PMOS FET 将保持关断状态以保护附件免受过压故障的影响。

移除适配器后，PMID_GD 会在电池升压模式启动之前变为低电平。在电池升压模式下，该器件会将 PMID 电压调节为 VOTG 寄存器设置，作为附件器件的稳定电源。当 PMID 电压上升到高于 V_{OTG_UVPZ}时，PMID_GOOD 从低电平变为高电平。一旦 PMID 电压超出此范围，PMID_GOOD 会变为低电平以断开附件器件与 PMID 的连接。在升压模式期间，任何退出升压模式的条件也会将 PMID_GD 从高电平驱动至低电平。请参阅节 8.3.6.1，查看这些条件的列表。

如果器件进入旁路 OTG 模式，则当启用 HSFET (Q2) 后，PMID_GD 会从低电平变为高电平。在旁路 OTG 模式期间，任何退出条件也会将 PMID_GD 从高电平驱动至低电平。请参阅节 8.3.6.2，查看这些条件的列表。