ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
要设置 OTG 输出电压限制，请使用图 9-21、表 9-37 和表 9-38 中列出的数据格式写入 REG0x3B()。
DAC 在数字核心中被钳制在最小 3V 和最大 20.8V。任何低于最小值或高于最大值的寄存器写入都将被忽略。当 REG0x32[2] = 1 时，不存在 DAC 失调电压。当 REG0x32[2] = 0 时，DAC 偏移 1.28V
| 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
| 保留 | OTG 电压，第 11 位 | OTG 电压，第 10 位 | OTG 电压，第 9 位 | OTG 电压，第 8 位 | OTG 电压，第 7 位 | OTG 电压，第 6 位 | |
| R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | |
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| OTG 电压，第 5 位 | OTG 电压，第 4 位 | OTG 电压，第 3 位 | OTG 电压，第 2 位 | OTG 电压，第 1 位 | OTG 电压，第 0 位 | 保留 | |
| 读/写 | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | |
| 说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值 |
| SMBus 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-14 | 保留 | 读/写 | 00b | 未使用。1 = 无效写入。 |
| 13 | OTG 电压，第 11 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 16656mV 的 OTG 电压。 |
| 12 | OTG 电压，第 10 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 8328mV 的 OTG 电压。 |
| 11 | OTG 电压，第 9 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 4164mV 的 OTG 电压。 |
| 10 | OTG 电压，第 8 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 2082mV 的 OTG 电压。 |
| 9 | OTG 电压，第 7 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 1041mV 的 OTG 电压。 |
| 8 | OTG 电压，第 6 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 521mV 的 OTG 电压。 |
| SMBus 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | OTG 电压，第 5 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 260mV 的 OTG 电压。 |
| 6 | OTG 电压，第 4 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 130mV 的 OTG 电压。 |
| 5 | OTG 电压，第 3 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 65mV 的 OTG 电压。 |
| 4 | OTG 电压，第 2 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 33mV 的 OTG 电压。 |
| 3 | OTG 电压，第 1 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 16mV 的 OTG 电压。 |
| 2 | OTG 电压，第 0 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 8.1mV 的 OTG 电压。 |
| 1-0 | 保留 | 读/写 | 00b | 未使用。忽略值。 |