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ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RSN|32
- MPQF194B

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RSN|32
- QFND189E

订购信息

9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]

要设置最小系统电压，请使用图 9-17、表 9-29 和表 9-30 中列出的数据格式写入 16 位 MinSystemVoltage 寄存器命令 (REG0x3E())。此充电器提供 1.024V 至 16.128V 的最小系统电压范围，步进分辨率为 256mV。将忽略任何低于 1.024V 或高于 16.128V 的写入。POR 后，MinSystemVoltage 寄存器的值如下：1S 为 3.584V；2S 为 6.144V；3S 为 9.216V；4S 为 12.288V。

图 9-17 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]

15	14	13	12	11	10	9	8
保留		最小系统电压，第 5 位	最小系统电压，第 4 位	最小系统电压，第 3 位	最小系统电压，第 2 位	最小系统电压，第 1 位	最小系统电压，第 0 位
R/W		R/W	R/W	R/W	R/W	R/W	R/W
7	6	5	4	3	2	1	0
保留
读/写

说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值

表 9-29 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）字段描述

SMBus 位	字段	类型	复位	说明
15-14	保留	读/写	00b	未使用。1 = 无效写入。
13	最小系统电压，第 5 位	R/W	0b	0 = 增加 0mV 的系统电压。 1 = 增加 8192mV 的系统电压。
12	最小系统电压，第 4 位	R/W	0b	0 = 增加 0mV 的系统电压。 1 = 增加 4096mV 的系统电压。
11	最小系统电压，第 3 位	R/W	0b	0 = 增加 0mV 的系统电压。 1 = 增加 2048mV 的系统电压。
10	最小系统电压，第 2 位	R/W	0b	0 = 增加 0mV 的系统电压。 1 = 增加 1024mV 的系统电压。
9	最小系统电压，第 1 位	R/W	0b	0 = 增加 0mV 的系统电压。 1 = 增加 512mV 的系统电压。
8	最小系统电压，第 0 位	R/W	0b	0 = 增加 0mV 的系统电压。 1 = 增加 256mV 的系统电压。

表 9-30 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）字段描述

SMBus 位	字段	类型	复位	说明
7-0	保留	读/写	00000000b	未使用。忽略值。