在 VAP 模式运行期间，降压/升压充电器从电池输送能量，以便为输入去耦电容器 (VBUS) 充电，使其电压尽可能高（如 20V）。如果 SoC 和主板系统尖峰重合，则 2S1P 或 1S2P 系统的系统峰值功率脉冲可高达 100W。这些尖峰预计非常罕见，但还是有可能出现。在这些高功率尖峰期间，充电器应对电池进行补充（从充电器的输入去耦电容器汲取能量），以防止系统电压下降。VAP 允许 SoC 为 SoC 设置高得多的峰值功率级别，从而提供更好的涡轮性能。

按照以下步骤进入 VAP 运行模式：

1. 在 REG0x07/06() 中设置电压限制，为 VBUS 充电。
2. 在 REG0x09/08() 和 REG0x39[7:2] 中设置电流限制，为 VBUS 充电。
3. 在 REG0x0D[5:0] 中设置系统电压调节点，当输入电容补充电池时，VSYS_MIN 调节环路将在该调节点保持 VSYS。
4. 在 REG0x36[7:4] 中设置 PROCHOT_VSYS_TH1 阈值，触发 VAP 将 VBUS 放电。
5. 在 REG0x36[3:2] 中设置 PROCHOT_VSYS_TH2 阈值，将节流 SoC 的 /PROCHOT 低电平有效信号置为有效。
6. 启用 VAP 模式，方法是设置 REG0x34[5] = 0、REG0x35[4] = 0 并将 OTG/VAP 引脚拉至高电平。

要退出 VAP 模式，主机应写入 REG0x34[5] = 1 或将 OTG/VAP 引脚拉至低电平。

任何处于 VAP 模式的充电器常规故障条件都将复位 REG0x34[5] = 1，充电器将自动退出 VAP 模式。