ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
要设置 OTG 输出电压限制,请使用图 9-27、表 9-35 和表 9-36 中列出的数据格式写入 REG0x07/06()。
DAC 在数字核心中被钳制在最小 3V 和最大 20.8V。任何低于最小值或高于最大值的寄存器写入都将被忽略。当 REG0x34[2] = 1 时,不存在 DAC 失调电压。当 REG0x34[2] = 0 时,DAC 偏移 1.28V
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
保留 | OTG 电压,第 11 位 | OTG 电压,第 10 位 | OTG 电压,第 9 位 | OTG 电压,第 8 位 | OTG 电压,第 7 位 | OTG 电压,第 6 位 | |
R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | |
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
OTG 电压,第 5 位 | OTG 电压,第 4 位 | OTG 电压,第 3 位 | OTG 电压,第 2 位 | OTG 电压,第 1 位 | OTG 电压,第 0 位 | 保留 | |
读/写 | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W |
说明:R/W = 读/写;R = 只读;-n = 复位后的值 |
I2C 07h | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7-6 | 保留 | 读/写 | 00b | 未使用。1 = 无效写入。 |
5 | OTG 电压,第 11 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 16656mV 的 OTG 电压。 |
4 | OTG 电压,第 10 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 8328mV 的 OTG 电压。 |
3 | OTG 电压,第 9 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 4164mV 的 OTG 电压。 |
2 | OTG 电压,第 8 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 2082mV 的 OTG 电压。 |
1 | OTG 电压,第 7 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 1041mV 的 OTG 电压。 |
0 | OTG 电压,第 6 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 521mV 的 OTG 电压。 |
I2C 06h | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7 | OTG 电压,第 5 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 260mV 的 OTG 电压。 |
6 | OTG 电压,第 4 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 130mV 的 OTG 电压。 |
5 | OTG 电压,第 3 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 65mV 的 OTG 电压。 |
4 | OTG 电压,第 2 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 33mV 的 OTG 电压。 |
3 | OTG 电压,第 1 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 16mV 的 OTG 电压。 |
2 | OTG 电压,第 0 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 电压。 1 = 增加 8.1mV 的 OTG 电压。 |
1-0 | 保留 | 读/写 | 00b | 未使用。忽略值。 |