ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
对于防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路（参阅节 12.2）非常重要。以下是正确布局的 PCB 布局优先级列表。
| 规则 | 元件 | 功能 | 影响 | 指南 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | PCB 层堆叠 | 热性能、效率、信号完整性 | 建议使用多层 PCB。至少分配一个接地层。BQ257XXEVM 使用 4 层 PCB（顶层、接地层、信号层和底层）。 | |
| 2 | CBUS、RAC、Q1、Q2 | 输入环路 | 高频噪声，纹波 | VBUS 电容器、RAC、Q1 和 Q2 构成一个小环路 1。最好将它们放在同一侧。用大面积的铜连接它们以减少寄生电阻。将部分 CBUS 移到 PCB 的另一侧，以实现高密度设计。在 Q1 和 Q2 功率级之前的 RAC 之后，建议将 10nF + 1nF（0402 封装）去耦电容器尽可能靠近 IC 放置，以便对开关环路高频噪声进行去耦。 |
| 3 | RAC、Q1、L1、Q4 | 电流路径 | 效率 | 从 VBUS 到 VSYS 通过 RAC、Q1、L1、Q4 的电流路径具有低阻抗。请留意过孔电阻是否不在同一侧。对于 1oz 铜厚度的 10mil 过孔，过孔数量可估算为 1A 至 2A/过孔。 |
| 4 | CSYS、Q3、Q4 | 输出环路 | 高频噪声，纹波 | VSYS 电容器 Q3 和 Q4 构成一个小环路 2。最好将它们放在同一侧。用大面积的铜连接它们以减少寄生电阻。将部分 CSYS 移到 PCB 的另一侧，以实现高密度设计。 |
| 5 | QBAT、RSR | 电流路径 | 效率、电池电压检测 | 将 QBAT 和 RSR 放置在电池端子附近。从 VBAT 到 VSYS 通过 RSR 和 QBAT 的电流路径具有低阻抗。请留意过孔电阻是否不在同一侧。该器件通过电池端子附近的 SRN 检测电池电压。 |
| 6 | Q1、Q2、L1、Q3、Q4 | 功率级 | 热性能、效率 | 将 Q1、Q2、L1、Q3 和 Q4 彼此相邻放置。留出足够的铜面积来散热。建议铜面积为焊盘尺寸的 2 到 4 倍。多个散热过孔可用于将更多铜层连接在一起并散发更多热量。 |
| 7 | RAC、RSR | 电流检测 | 调节精度 | 对 RAC 和 RSR 电流检测电阻使用开尔文检测技术。将电流检测走线连接到焊盘的中心，并将电流检测走线用作差分对。 |
| 8 | 小电容 | IC 旁路电容器 | 噪声、抖动、纹波 | 将 VBUS 电容、VCC 电容、REGN 电容靠近 IC 放置。 |
| 9 | BST 电容器 | HS 栅极驱动 | 高频噪声，纹波 | 将 HS MOSFET 升压自举电路电容器放置在靠近 IC 的位置并位于 PCB 板的同一侧。建议电容器 SW1/2 节点使用宽铜多边形连接到功率级，建议电容器 BST1/2 节点使用至少 8mil 的迹线连接到 IC BST1/2 引脚。 |
| 10 | 接地分区 | 测量精度、调节精度、抖动、纹波 | 优先选择单独的模拟接地 (AGND) 和电源接地 (PGND)。PGND 应用于所有功率级相关的接地网。AGND 应用于所有检测、补偿和控制网络接地，例如 ACP/ACN/COMP1/COMP2/CMPIN/CMPOUT/IADPT/IBAT/PSYS。将所有模拟接地端连接到专用的低阻抗覆铜平面，该覆铜平面连接到 IC 外露焊盘下方的电源接地端。如果可能，请使用专用的 COMP1、COMP2 AGND 布线。使用电源板作为单一接地连接点，将模拟接地和电源接地连接在一起。 |