ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
要设置输出充电电压,请使用图 9-22、表 9-25 和表 9-26 中列出的数据格式编写一个 16 位 ChargeVoltage 寄存器命令 (REG0x05/04())。该充电器的充电电压范围为 1.024V 至 19.200V,步进分辨率为 8mV。任何低于 1.024V 或高于 19.200V 的写入将会被忽略。
POR 时,REG0x05/04() 默认设置为 4200mV(持续 1s)、8400mV(持续 2s)、12600mV(持续 3s)或 16800mV(持续 4s)。在 CHRG_OK 变为高电平后,当主机将充电电流写入 REG0x03/02() 时,将开始充电,如果未对 REG0x05/04() 进行编程,则使用默认充电电压。如果电池不同于 4.2V/节,则主机必须在写入 REG0x03/02() 之前写入 REG0x05/04(),以实现正确的电池电压设置。将 REG0x05/04() 写为 0 将会根据 CELL_BATPRESZ 引脚将 REG0x05/04() 设置为默认值,并强制 REG0x03/02() 为零以禁用充电。
SRN 引脚可检测电池电压以进行电压调节,应尽可能靠近电池进行连接,并直接将去耦电容器(建议 0.1µF)放置在尽可能靠近器件的位置,以对高频噪声进行去耦。
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
保留 | 最大充电电压,第 11 位 | 最大充电电压,第 10 位 | 最大充电电压,第 9 位 | 最大充电电压,第 8 位 | 最大充电电压,第 7 位 | 最大充电电压,第 6 位 | 最大充电电压,第 5 位 |
R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W |
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
最大充电电压,第 4 位 | 最大充电电压,第 3 位 | 最大充电电压,第 2 位 | 最大充电电压,第 1 位 | 最大充电电压,第 1 位 | 保留 | ||
读/写 | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W |
说明:R/W = 读/写;R = 只读;-n = 复位后的值 |
I2C 05h | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7 | 保留 | R/W | 0b | 未使用。1 = 无效写入。 |
6 | 最大充电电压,第 11 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 16384mV 的充电器电压。 |
5 | 最大充电电压,第 10 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 8192mV 的充电器电压。 |
4 | 最大充电电压,第 9 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 4096mV 的充电器电压。 |
3 | 最大充电电压,第 8 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 2048mV 的充电器电压。 |
2 | 最大充电电压,第 7 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 1024mV 的充电器电压。 |
1 | 最大充电电压,第 6 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 512mV 的充电器电压。 |
0 | 最大充电电压,第 5 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 256mV 的充电器电压。 |
I2C 04h | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7 | 最大充电电压,第 4 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 128mV 的充电器电压。 |
6 | 最大充电电压,第 3 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 64mV 的充电器电压。 |
5 | 最大充电电压,第 2 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 32mV 的充电器电压。 |
4 | 最大充电电压,第 1 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 16mV 的充电器电压。 |
3 | 最大充电电压,第 0 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的充电器电压。 1 = 增加 8mV 的充电器电压。 |
2-0 | 保留 | 读/写 | 000b | 未使用。忽略值。 |