ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
要设置充电电流，请使用图 9-21、表 9-23 和表 9-24 中列出的数据格式编写一个 16 位的 ChargeCurrent() 命令 (REG0x03/02h())。
该充电器具有 10mΩ 检测电阻，可提供 64mA 至 8.128A 的充电电流范围，步进分辨率为 64mA。POR 后，当自动唤醒未激活时，ChargeCurrent() 为 0A。导致 CHRG_OK 为低电平的任何条件（ACOV 除外）都会将 ChargeCurrent() 复位为零。CELL_BATPRESZ 变为低电平（移除电池）会将 ChargeCurrent() 寄存器复位为 0A。
在 ACOC、TSHUT、电源路径闭锁 (REG0x30[1]) 和 SYSOVP 中，充电电流不会复位。
建议在 SRP 和 SRN 之间使用一个 0.1µF 的电容器进行差模滤波；在 SRN 和接地之间使用一个可选的 0.1µF 电容器，并在 SRP 和接地之间使用一个可选的 0.1µF 电容器，来进行共模滤波。同时，SRP 上的电容不应高于 0.1µF，以便正确检测 SRP 和 SRN 两端的电压，来实现逐周期电流检测。
SRP 和 SRN 引脚用于检测 RSR（默认值为 10mΩ）两端的压降。但是，也可以使用其他值的电阻。对于更大的检测电阻，会提供更大的检测电压和更高的调节精度；但会以更高的导通损耗为代价。建议电流检测电阻值不超过 20mΩ。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| 保留 | 充电电流，位 6 | 充电电流，位 5 | 充电电流，位 4 | 充电电流，位 3 | 充电电流，位 2 | ||
| R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | ||
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| 充电电流，位 1 | 充电电流，位 0 | 保留 | 保留 | ||||
| 读/写 | R/W | R/W | R/W | ||||
| 说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值 |
| I2C 03h | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-5 | 保留 | 读/写 | 000b | 未使用。1 = 无效写入。 |
| 4 | 充电电流，位 6 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充电器电流。 1 = 增加 4096mA 的充电器电流。 |
| 3 | 充电电流，位 5 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充电器电流。 1 = 增加 2048mA 的充电器电流。 |
| 2 | 充电电流，位 4 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充电器电流。 1 = 增加 1024mA 的充电器电流。 |
| 1 | 充电电流，位 3 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充电器电流。 1 = 增加 512mA 的充电器电流。 |
| 0 | 充电电流，位 2 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充电器电流。 1 = 增加 256mA 的充电器电流。 |
| I2C 02h | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | 充电电流，位 1 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充电器电流。 1 = 增加 128mA 的充电器电流。 |
| 6 | 充电电流，位 0 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mA 的充电器电流。 1 = 增加 64mA 的充电器电流。 |
| 5-0 | 保留 | R/W | 000000b | 未使用。忽略值。 |