输入电容器应具有足够的额定纹波电流以吸收输入开关纹波电流。在降压模式下，当占空比为 0.5 时，最坏情况下的 RMS 纹波电流是充电电流的一半（加上有任何系统负载时的系统电流）。如果转换器不以 50% 的占空比运行，则最坏情况下的电容器 RMS 电流发生在占空比最接近 50% 的位置，可通过方程式 5 估算得出：

方程式 5.

X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容是输入去耦电容的首选，应放置在 R_AC 电流检测的前面，并尽可能靠近功率级半桥 MOSFET。功率级半桥之前 R_AC 后的电容应限制为 10nF + 1nF，请参见图 10-2。这是因为，如果 R_AC 后的电容过大，可能会滤除 R_AC 电流检测纹波信息。电容器的额定电压必须高于正常输入电压电平，19V 至 20V 输入电压下最好使用 25V 额定电压或更高的电容器。表 10-1 给出了最小输入有效电容建议。

陶瓷电容器 (MLCC) 显示了直流偏置效应。在陶瓷电容器上施加直流偏置电压时，这种效应可减小有效电容，就像是在充电器的输入电容器上一样。这种影响可能会导致显著的电容压降，尤其是对于高输入电压和小型电容器封装。请参阅制造商的数据表，了解施加直流偏置电压时的降额性能。为了在运行点获得所需的有效电容值，也许有必要选择一个更高的额定电压或者标称电容值。考虑到 25V 0603 封装 MLCC 电容在 19V 至 20V 输入电压下降额，建议的实际电容配置也可在表 10-1 中找到。钽电容器 (POSCAP) 可避免直流偏置效应和温度变化影响，推荐用于功率更高的 90W 至 130W 应用。