ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VINPUT_OP | 输入电压工作范围 | 3.5 | 26 | V | ||
| 调节精度 | ||||||
| 最大系统电压调节 | ||||||
| VSYSMAX_RNG | 系统电压调节，在 VSYS 上测量（禁用充电） | 1.024 | 19.2 | V | ||
| VSYSMAX_ACC | 系统电压调节精度（禁用充电） | REG0x05/04() = 0x41A0H (16.800V) | VSRN + 160mV | V | ||
| -2% | 2% | |||||
| REG0x05/04() = 0x3138H (12.600V) | VSRN + 160mV | V | ||||
| -2% | 2% | |||||
| REG0x05/04() = 0x20D0H (8.400V) | VSRN + 160mV | V | ||||
| –3% | 3% | |||||
| REG0x05/04() = 0x1068H (4.200V) | VSRN + 160mV | V | ||||
| –3% | 3% | |||||
| 最小系统电压调节 | ||||||
| VSYSMIN_RNG | 系统电压调节，在 VSYS 上测量 | 1.024 | 19.2 | V | ||
| VSYSMIN_REG_ACC | 最小系统电压调节精度（VBAT 低于 REG0x0D/0C() 设置） | REG0x0D/0C() = 0x3000H | 12.288 | V | ||
| -2% | 2% | |||||
| REG0x0D/0C() = 0x2400H | 9.216 | V | ||||
| -2% | 2% | |||||
| REG0x0D/0C() = 0x1800H | 6.144 | V | ||||
| –3% | 3% | |||||
| REG0x0D/0C() = 0x0E00H | 3.584 | V | ||||
| –3% | 3% | |||||
| 充电电压调节 | ||||||
| VBAT_RNG | 电池电压调节 | 1.024 | 19.2 | V | ||
| VBAT_REG_ACC | 电池电压调节精度（充电启用）（0°C 至 85°C） | REG0x05/04() = 0x41A0H | 16.8 | V | ||
| –0.5% | 0.5% | |||||
| REG0x05/04() = 0x3138H | 12.6 | V | ||||
| –0.5% | 0.5% | |||||
| REG0x05/04() = 0x20D0H | 8.4 | V | ||||
| –0.6% | 0.6% | |||||
| REG0x05/04() = 0x1068H | 4.2 | V | ||||
| –1.1% | 1.2% | |||||
| 快速充电中的充电电流调节 | ||||||
| VIREG_CHG_RNG | 充电电流调节差分电压范围 | VIREG_CHG = VSRP –VSRN | 0 | 81.28 | mV | |
| ICHRG_REG_ACC | 充电电流调节精度 10mΩ 检测电阻，VBAT 高于 REG0x0D/0C() 设置（0°C 至 85°C） | REG0x03/02() = 0x1000H | 4096 | mA | ||
| –3% | 2% | |||||
| REG0x03/02() = 0x0800H | 2048 | mA | ||||
| –4% | 3% | |||||
| REG0x03/02() = 0x0400H | 1024 | mA | ||||
| -5% | 6% | |||||
| REG0x03/02() = 0x0200H | 512 | mA | ||||
| –12% | 12% | |||||
| LDO 模式下的充电电流调节 | ||||||
| ICLAMP | 预充电电流钳位 | 2 至 4 节串联电池 | 384 | mA | ||
| 单节电池，VSRN < 3V | 384 | mA | ||||
| 单节电池，3V < VSRN < VSYSMIN | 2 | A | ||||
| IPRECHRG_REG_ACC | 使用 10mΩ SRP/SRN 串联电阻、VBAT 低于 REG0x0D/0C() 设置（0°C 至 85°C）时的预充电电流调节精度 | REG0x03/02() = 0x0180H | 384 | mA | ||
| 2S-4S | -15% | 15% | ||||
| 1S | –25% | 25% | ||||
| REG0x03/02() = 0x0100H | 256 | mA | ||||
| 2S-4S | -20% | 20% | ||||
| 1S | -35% | 35% | ||||
| REG0x03/02() = 0x00C0H | 192 | mA | ||||
| 2S-4S | –25% | 25% | ||||
| 1S | -50% | 50% | ||||
| REG0x03/02() = 0x0080H | 128 | mA | ||||
| 2S-4S | –30% | 30% | ||||
| ILEAK_SRP_SRN | SRP、SRN 漏电流失配（0°C 至 85°C） | –12 | 10 | µA | ||
| 输入电流调节 | ||||||
| VIREG_DPM_RNG | 输入电流调节差分电压范围 | VIREG_DPM = VACP – VACN | 0.5 | 64 | mV | |
| IDPM_REG_ACC | 使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻时的输入电流调节精度（-40°C 至 105°C） | REG0x0F/0E() = 0x5000H | 3800 | 3900 | 4000 | mA |
| REG0x0F/0E() = 0x3C00H | 2800 | 2900 | 3000 | mA | ||
| REG0x0F/0E() = 0x1E00H | 1300 | 1400 | 1500 | mA | ||
| REG0x0F/0E() = 0x0A00H | 300 | 400 | 500 | mA | ||
| ILEAK_ACP_ACN | ACP、ACN 漏电流失配（-40°C 至 105°C） | –16 | 10 | µA | ||
| VIREG_DPM_RNG_ILIM | 输入电流调节的电压范围（ILIM_HIZ 引脚） | 1.15 | 4 | V | ||
| IDPM_REG_ACC_ILIM | ILIM_HIZ 引脚上的输入电流调节精度 VILIM_HIZ = 1V + 40 × IDPM × RAC，使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻 | VILIM_HIZ = 2.6V | 3800 | 4000 | 4200 | mA |
| VILIM_HIZ = 2.2V | 2800 | 3000 | 3200 | mA | ||
| VILIM_HIZ = 1.6V | 1300 | 1500 | 1700 | mA | ||
| VILIM_HIZ = 1.2V | 300 | 500 | 700 | mA | ||
| ILEAK_ILIM | ILIM_HIZ 引脚漏电流 | -1 | 1 | µA | ||
| 输入电压调节 | ||||||
| VIREG_DPM_RNG | 输入电压调节范围 | VBUS 上的电压 | 3.2 | 19.52 | V | |
| VDPM_REG_ACC | 输入电压调节精度 | REG0x0B/0A()=0x3C80H | 18688 | mV | ||
| –3% | 2% | |||||
| REG0x0B/0A()=0x1E00H | 10880 | mV | ||||
| –4% | 2.5% | |||||
| REG0x0B/0A()=0x0500H | 4480 | mV | ||||
| -5% | 5% | |||||
| OTG 电流调节 | ||||||
| VIOTG_REG_RNG | OTG 输出电流调节差分电压范围 | VIOTG_REG = VACP – VACN | 0 | 81.28 | mV | |
| IOTG_ACC | 使用 50mA LSB 和 10mΩ ACP/ACN 串联电阻时的 OTG 输出电流调节精度 | REG0x09/08() = 0x3C00H | 2800 | 3000 | 3200 | mA |
| REG0x09/08() = 0x1E00H | 1300 | 1500 | 1700 | mA | ||
| REG0x09/08() = 0x0A00H | 300 | 500 | 700 | mA | ||
| OTG 电压调节 | ||||||
| VOTG_REG_RNG | OTG 电压调节范围 | VBUS 上的电压 | 3 | 20.8 | V | |
| VOTG_REG_ACC | OTG 电压调节精度 | REG0x07/06() = 0x23F8H REG0x34[2] = 0 | 20.002 | V | ||
| -2% | 2% | |||||
| REG0x07/06() = 0x1710H REG0x34[2] = 1 | 12.004 | V | ||||
| -2% | 2% | |||||
| REG0x07/06() = 0x099CH REG0x34[2] = 1 | 5.002 | V | ||||
| –3% | 3% | |||||
| 基准和缓冲器 | ||||||
| REGN 稳压器 | ||||||
| VREGN_REG | REGN 稳压器电压 (0mA – 60mA) | VVBUS = 10V | 5.7 | 6 | 6.3 | V |
| VDROPOUT | 压降模式下的 REGN 电压 | VVBUS = 5V，ILOAD = 20mA | 3.8 | 4.3 | 4.6 | V |
| IREGN_LIM_Charging | 启用转换器时的 REGN 电流限制 | VVBUS = 10V，强制 VREGN =4V | 50 | 65 | mA | |
| CREGN | 需要 REGN 输出电容器来实现稳定性 | ILOAD = 100µA 至 50mA | 2.2 | µF | ||
| CVDDA | 需要 REGN 输出电容器来实现稳定性 | ILOAD = 100µA 至 50mA | 1 | µF | ||
| 静态电流 | ||||||
| IBAT_BATFET_ON | 由电池供电的系统。BATFET 开启。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1 + IBTST1 + IACP + IACN + IVBUS + IVSYS | VBAT = 18V，REG0x01[7] = 1，在低功耗模式下 | 22 | 45 | µA | |
| VBAT = 18V，REG0x01[7] = 1，REG0x31[5] = 1，REGN 关闭 | 125 | 195 | µA | |||
| VBAT = 18V，REG0x01[7] = 0，REG0x31[4] = 0，REGN 开启，DIS_PSYS | 880 | 1170 | µA | |||
| VBAT = 18V，REG0x01[7] = 0，REG0x31[4] = 1，REGN 开启，EN_PSYS | 980 | 1270 | µA | |||
| IAC_SW_LIGHT_buck | 降压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST + ISW2 + IBTST2 | VIN = 20V，VBAT = 12.6V，3s，REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg = 4nC | 2.2 | mA | ||
| IAC_SW_LIGHT_boost | 升压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST2 + ISW2 + IBTST2 | VIN = 5V，VBAT = 8.4V，2s，REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg = 4nC | 2.7 | mA | ||
| IAC_SW_LIGHT_buckboost | 降压/升压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST1 + ISW2 + IBTST2 | VIN = 12V，VBAT = 12V，REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg = 4nC | 2.4 | mA | ||
| IOTG_STANDBY | OTG 模式下 PFM 期间的静态电流 IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST2 + ISW2 + IBTST2 | VBAT = 8.4V，VBUS = 5V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC | 3 | mA | ||
| VBAT = 8.4V，VBUS = 12V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC | 4.2 | mA | ||||
| VBAT = 8.4V，VBUS = 20V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC | 6.2 | mA | ||||
| VACP/N_OP | 输入共模范围 | ACP/ACN 上的电压 | 3.8 | 26 | V | |
| VIADPT_CLAMP | IADPT 输出钳位电压 | 3.1 | 3.2 | 3.3 | V | |
| IIADPT | IADPT 输出电流 | 1 | mA | |||
| AIADPT | 输入电流检测增益 | V(IADPT) / V(ACP-ACN)，REG0x00[4] = 0 | 20 | V/V | ||
| V(IADPT) / V(ACP-ACN)，REG0x00[4] = 1 | 40 | V/V | ||||
| VIADPT_ACC | 输入电流监控器精度 | V(ACP-ACN) = 40.96mV | -2% | 2% | ||
| V(ACP-ACN) = 20.48mV | –3% | 3% | ||||
| V(ACP-ACN) =10.24mV | –6% | 6% | ||||
| V(ACP-ACN) = 5.12mV | -10% | 10% | ||||
| CIADPT_MAX | IADPT 引脚的最大电容 | 100 | pF | |||
| VSRP/N_OP | 电池共模范围 | SRP/SRN 上的电压 | 2.5 | 18 | V | |
| VIBAT_CLAMP | IBAT 输出钳位电压 | 3.05 | 3.2 | 3.3 | V | |
| IIBAT | IBAT 输出电流 | 1 | mA | |||
| AIBAT | IBAT 引脚上的充电和放电电流检测增益 | V(IBAT) / V(SRN-SRP)，REG0x00[3] = 0， | 8 | V/V | ||
| V(IBAT) / V(SRN-SRP)，REG0x00[3] = 1， | 16 | V/V | ||||
| IIBAT_CHG_ACC | IBAT 引脚上的充电和放电电流监控器精度 | V(SRN-SRP) = 40.96mV | -2% | 2% | ||
| V(SRN-SRP) = 20.48mV | –4% | 4% | ||||
| V(SRN-SRP) =10.24mV | –7% | 7% | ||||
| V(SRN-SRP) = 5.12mV | -15% | 15% | ||||
| CIBAT_MAX | IBAT 引脚处的最大电容 | 100 | pF | |||
| 系统功率检测放大器 | ||||||
| VPSYS | PSYS 输出电压范围 | 0 | 3.3 | V | ||
| IPSYS | PSYS 输出电流 | 0 | 160 | µA | ||
| APSYS | PSYS 系统增益 | V(PSYS) / (P(IN) +P(BAT))，REG0x31[1] = 1 | 1 | µA/W | ||
| VPSYS_ACC | PSYS 增益精度 (REG0x31[1] = 1) | 仅适用于系统电源 = 19.5V / 45W、TA = -40°C 至 85°C 的适配器 | –4% | 4% | ||
| 仅适用于系统电源 = 11V / 44W、TA = -40°C 至 85°C 的电池 | –3% | 3% | ||||
| VPSYS_CLAMP | PSYS 钳位电压 | 3 | 3.3 | V | ||
| 比较器 | ||||||
| VBUS 欠压锁定比较器 | ||||||
| VVBUS_UVLOZ | VBUS 欠压上升阈值 | VBUS 上升 | 2.30 | 2.55 | 2.80 | V |
| VVBUS_UVLO | VBUS 欠压下降阈值 | VBUS 下降 | 2.18 | 2.40 | 2.62 | V |
| VVBUS_UVLO_HYST | VBUS 欠压迟滞 | 150 | mV | |||
| VVBUS_CONVEN | VBUS 转换器使能上升阈值 | VBUS 上升 | 3.2 | 3.5 | 3.9 | V |
| VVBUS_CONVENZ | VBUS 转换器使能下降阈值 | VBUS 下降 | 2.9 | 3.2 | 3.5 | V |
| VVBUS_CONVEN_HYST | VBUS 转换器使能迟滞 | 400 | mV | |||
| 电池欠压锁定比较器 | ||||||
| VVBAT_UVLOZ | VBAT 欠压上升阈值 | VSRN 上升 | 2.35 | 2.55 | 2.75 | V |
| VVBAT_UVLO | VBAT 欠压下降阈值 | VSRN 下降 | 2.2 | 2.4 | 2.6 | V |
| VVBAT_UVLO_HYST | VBAT 欠压迟滞 | 150 | mV | |||
| VVBAT_OTGEN | VBAT OTG 使能上升阈值 | VSRN 上升 | 3.25 | 3.55 | 3.85 | V |
| VVBAT_OTGENZ | VBAT OTG 使能下降阈值 | VSRN 下降 | 2.2 | 2.4 | 2.6 | V |
| VVBAT_OTGEN_HYST | VBAT OTG 使能迟滞 | 1100 | mV | |||
| VBUS 欠压比较器（OTG 模式） | ||||||
| VVBUS_OTG_UV | VBUS 欠压下降阈值 | 以 REG0x07/06() 的百分比表示 | 85 | % | ||
| tVBUS_OTG_UV | VBUS 欠压抗尖峰脉冲时间 | 7 | ms | |||
| VBUS 过压比较器（OTG 模式） | ||||||
| VVBUS_OTG_OV | VBUS 过压上升阈值 | 以 REG0x07/06() 的百分比表示 | 110 | % | ||
| tVBUS_OTG_OV | VBUS 过压抗尖峰脉冲时间 | 10 | ms | |||
| 预充电到快速充电转换 | ||||||
| VBAT_SYSMIN_RISE | LDO 模式至快速充电模式阈值，VSRN 上升 | 以 0x0D/0C() 的百分比表示 | 98 | 100 | 102 | % |
| VBAT_SYSMIN_FALL | LDO 模式至快速充电模式阈值，VSRN 下降 | 以 0x0D/0C() 的百分比表示 | 97.5 | % | ||
| VBAT_SYSMIN_HYST | 快速充电模式至 LDO 模式阈值迟滞 | 以 0x0D/0C() 的百分比表示 | 2.5 | % | ||
| 电池 LOWV 比较器（1S 的预充电至快速充电阈值） | ||||||
| VBATLV_FALL | BATLOWV 下降阈值 | 1s | 2.8 | V | ||
| VBATLV_RISE | BATLOWV 上升阈值 | 3 | V | |||
| VBATLV_RHYST | BATLOWV 迟滞 | 200 | mV | |||
| 输入过压比较器 (ACOVP) | ||||||
| VACOV_RISE | VBUS 过压上升阈值 | VBUS 上升 | 25 | 26 | 27 | V |
| VACOV_FALL | VBUS 欠压下降阈值 | VBUS 下降 | 23.5 | 24.5 | 25 | V |
| VACOV_HYST | VBUS 过压迟滞 | 1.5 | V | |||
| tACOV_RISE_DEG | VBUS 抗尖峰脉冲过压上升 | VBUS 转换器上升到停止转换器 | 100 | µs | ||
| tACOV_FALL_DEG | VBUS 抗尖峰脉冲过压下降 | VBUS 转换器下降以启动转换器 | 1 | ms | ||
| 输入过流比较器 (ACOC) | ||||||
| VACOC | ACP 至 ACN 上升阈值，基准为REG0x37[7:4] 中的 ILIM2 | 输入检测电阻两端的电压上升，REG0x32[2] = 1 | 1.8 | 2 | 2.2 | |
| VACOC_FLOOR | 在 ACP 和 ACN 之间进行测量 | 将 IDPM 设置为最小值 | 44 | 50 | 56 | mV |
| VACOC_CEILING | 在 ACP 和 ACN 之间进行测量 | 将 IDPM 设置为最大值 | 172 | 180 | 188 | mV |
| tACOC_DEG_RISE | 上升抗尖峰脉冲时间 | 触发 ACOC 的抗尖峰脉冲时间 | 250 | µs | ||
| tACOC_RELAX | 放松时间 | 转换器再次启动之前的放松时间 | 250 | ms | ||
| 系统过压比较器 (SYSOVP) | ||||||
| VSYSOVP_RISE | 关闭转换器的系统过压上升阈值 | 1s | 4.85 | 5 | 5.1 | V |
| 2s | 11.7 | 12 | 12.2 | V | ||
| 3s，4s | 19 | 19.5 | 20 | V | ||
| VSYSOVP_FALL | 系统欠压下降阈值 | 1s | 4.8 | V | ||
| 2s | 11.5 | V | ||||
| 3s，4s | 19 | V | ||||
| ISYSOVP | 触发 SYSOVP 停止开关时的放电电流 | 在 SYS 上 | 20 | mA | ||
| BAT 过压比较器 (BATOVP) | ||||||
| VBATOVP_RISE | 过压上升阈值占 REG0x05/04() 中 VBAT_REG 的百分比 | 1s，4.2V | 102.5 | 104 | 106 | % |
| 2s - 4s | 102.5 | 104 | 105 | % | ||
| VBATOVP_FALL | 过压下降阈值占 REG0x05/04() 中 VBAT_REG 的百分比 | 1s | 100 | 102 | 104 | % |
| 2s - 4s | 100 | 102 | 103 | % | ||
| VBATOVP_HYST | 过压迟滞占 REG0x05/04() 中 VBAT_REG 的百分比 | 1s | 2 | % | ||
| 2s - 4s | 2 | % | ||||
| IBATOVP | BATOVP 期间的放电电流 | 在 VSYS 引脚上 | 20 | mA | ||
| tBATOVP_RISE | 关闭 BATDRV 以禁用充电的过压上升抗尖峰脉冲 | 20 | ms | |||
| 转换器过流比较器 (Q2) | ||||||
| VOCP_limit_Q2 | 转换器过流限制 | REG0x32[5] = 1 | 150 | mV | ||
| REG0x32[5] = 0 | 210 | mV | ||||
| VOCP_limit_SYSSHORT_Q2 | 系统短路或 SRN < 2.4V | REG0x32[5] = 1 | 45 | mV | ||
| REG0x32[5] = 0 | 60 | mV | ||||
| 转换器过流比较器 (ACX) | ||||||
| VOCP_limit_ACX | 转换器过流限制 | REG0x32[4] = 1 | 150 | mV | ||
| REG0x32[4] = 0 | 280 | mV | ||||
| VOCP_limit_SYSSHORT_ACX | 系统短路或 SRN < 2.4V | REG0x32[4] = 1 | 90 | mV | ||
| REG0x32[4] = 0 | 150 | mV | ||||
| 热关断比较器 | ||||||
| TSHUT_RISE | 热关断上升温度 | 温度升高 | 155 | °C | ||
| TSHUTF_FALL | 热关断下降温度 | 温度降低 | 135 | °C | ||
| TSHUT_HYS | 热关断迟滞 | 20 | °C | |||
| tSHUT_RDEG | 热抗尖峰脉冲关断上升 | 100 | µs | |||
| tSHUT_FHYS | 热抗尖峰脉冲关断下降 | 12 | ms | |||
| VSYS PROCHOT 比较器 | ||||||
| VSYS_TH1 | VSYS_TH1 比较器下降阈值 | REG0x36[7:4] = 0111，2s - 4s | 6.6 | V | ||
| REG0x36[7:4] = 0100，1s | 3.5 | V | ||||
| VSYS_TH2 | VSYS_TH2 比较器下降阈值 | REG0x36[3:2] = 10，2s - 4s | 6.5 | V | ||
| REG0x36[3:2] = 10，1s | 3.5 | V | ||||
| tSYS_PRO_falling_DEG | 用于节流的 VSYS 下降抗尖峰脉冲 | 4 | µs | |||
| ICRIT PROCHOT 比较器 | ||||||
| VICRIT_PRO | 用于节流的输入电流上升阈值以比 ILIM2 (REG0x37[7:3]) 高 10% 表示 | 仅当 ILIM2 设置高于 2A 时 | 105 | 110 | 117 | % |
| INOM PROCHOT 比较器 | ||||||
| VINOM_PRO | INOM 上升阈值以比 IIN (REG0x0F/0E()) 高 10% 表示 | 105 | 110 | 116 | % | |
| IDCHG PROCHOT 比较器 | ||||||
| VIDCHG_PRO | IDSCHG 6A 节流的 IDCHG 阈值 | REG0x39[7:2] = 001100 | 6272 | mA | ||
| 95 | 103 | % | ||||
| 独立比较器 | ||||||
| VINDEP_CMP | 独立比较器阈值 | REG0x30[7] = 1，CMPIN 下降 | 1.17 | 1.2 | 1.23 | V |
| REG0x30[7] = 0，CMPIN 下降 | 2.27 | 2.3 | 2.33 | V | ||
| VINDEP_CMP_HYS | 独立比较器迟滞 | REG0x30[7] = 0，CMPIN 下降 | 100 | mV | ||
| 功率 MOSFET 驱动器 | ||||||
| PWM 振荡器和斜坡 | ||||||
| FSW | PWM 开关频率 | REG0x01[1] = 0 | 1020 | 1200 | 1380 | kHz |
| REG0x01[1] = 1 | 680 | 800 | 920 | kHz | ||
| BATFET 栅极驱动器 (BATDRV) | ||||||
| VBATDRV_ON | BATFET 上的栅极驱动电压 | 8.5 | 10 | 11.5 | V | |
| VBATDRV_DIODE | 理想二极管运行期间 BATFET 上的漏源电压 | 30 | mV | |||
| RBATDRV_ON | 通过向 BATDRV 提供 10µA 电流进行测量 | 2.5 | 4 | 6 | kΩ | |
| RBATDRV_OFF | 通过从 BATDRV 灌入 10µA 电流进行测量 | 1.2 | 2.1 | kΩ | ||
| PWM 高侧驱动器 (HIDRV Q1) | ||||||
| RDS_HI_ON_Q1 | 高侧驱动器 (HSD) 导通电阻 | VBTST1 - VSW1 = 5V | 6 | Ω | ||
| RDS_HI_OFF_Q1 | 高侧驱动器关断电阻 | VBTST1 - VSW1 = 5V | 1.3 | 2.2 | Ω | |
| VBTST1_REFRESH | 自举刷新比较器下降阈值电压 | 当请求低侧刷新脉冲时 VBTST1 - VSW1 | 3.2 | 3.7 | 4.6 | V |
| PWM 高侧驱动器 (HIDRV Q4) | ||||||
| RDS_HI_ON_Q4 | 高侧驱动器 (HSD) 导通电阻 | VBTST2 - VSW2 = 5V | 6 | Ω | ||
| RDS_HI_OFF_Q4 | 高侧驱动器关断电阻 | VBTST2 - VSW2 = 5V | 1.5 | 2.4 | Ω | |
| VBTST2_REFRESH | 自举刷新比较器下降阈值电压 | 当请求低侧刷新脉冲时 VBTST2 - VSW2 | 3.1 | 3.7 | 4.5 | V |
| PWM 低侧驱动器 (LODRV Q2) | ||||||
| RDS_LO_ON_Q2 | 低侧驱动器 (LSD) 导通电阻 | VBTST1 - VSW1 = 5.5V | 6 | Ω | ||
| RDS_LO_OFF_Q2 | 低侧驱动器关断电阻 | VBTST1 - VSW1 = 5.5V | 1.7 | 2.6 | Ω | |
| PWM 低侧驱动器 (LODRV Q3) | ||||||
| RDS_LO_ON_Q3 | 低侧驱动器 (LSD) 导通电阻 | VBTST2 - VSW2 = 5.5V | 7.6 | Ω | ||
| RDS_LO_OFF_Q3 | 低侧驱动器关断电阻 | VBTST2 - VSW2 = 5.5V | 2.9 | 4.6 | Ω | |
| 充电使能期间的内部软启动 | ||||||
| SSSTEP_DAC | 软启动步长 | 64 | mA | |||
| SSSTEP_DAC | 软启动步长时间 | 8 | µs | |||
| 集成 BTST 二极管 (D1) | ||||||
| VF_D1 | 正向偏置电压 | 25°C 时 IF = 20mA | 0.8 | V | ||
| VR_D1 | 反向击穿电压 | 25°C 时 IR = 2µA | 20 | V | ||
| 集成 BTST 二极管 (D2) | ||||||
| VF_D2 | 正向偏置电压 | 25°C 时 IF = 20mA | 0.8 | V | ||
| VR_D2 | 反向击穿电压 | 25°C 时 IR = 2µA | 20 | V | ||
| 接口 | ||||||
| 逻辑输入（SDA、SCL、OTG/VAP） | ||||||
| VIN_ LO | 输入低阈值 | I2C | 0.4 | V | ||
| VIN_ HI | 输入高阈值 | I2C | 1.3 | V | ||
| 逻辑输出开漏（SDA、CHRG_OK、CMPOUT） | ||||||
| VOUT_LO | 输出饱和电压 | 5mA 漏极电流 | 0.4 | V | ||
| VOUT_ LEAK | 漏电流 | V = 7V | -1 | 1 | µA | |
| 逻辑输出开漏 SDA | ||||||
| VOUT_ LO_SDA | 输出饱和电压 | 5mA 漏极电流 | 0.4 | V | ||
| VOUT_ LEAK_SDA | 漏电流 | V = 7V | -1 | 1 | µA | |
| 逻辑输出开漏 CHRG_OK | ||||||
| VOUT_ LO_CHRG_OK | 输出饱和电压 | 5mA 漏极电流 | 0.4 | V | ||
| VOUT_ LEAK _CHRG_OK | 漏电流 | V = 7V | -1 | 1 | µA | |
| 逻辑输出开漏 CMPOUT | ||||||
| VOUT_ LO_CMPOUT | 输出饱和电压 | 5mA 漏极电流 | 0.4 | V | ||
| VOUT_ LEAK _CMPOUT | 漏电流 | V = 7V | -1 | 1 | µA | |
| 逻辑输出开漏 (PROCHOT) | ||||||
| VOUT_ LO_PROCHOT | 输出饱和电压 | 50Ω 上拉至 1.05V/5mA | 300 | mV | ||
| VOUT_ LEAK_PROCHOT | 漏电流 | V = 5.5V | -1 | 1 | µA | |
| 模拟输入 (ILIM_HIZ) | ||||||
| VHIZ_ LO | 退出 HIZ 模式的电压 | ILIM_HIZ 引脚上升 | 0.8 | V | ||
| VHIZ_ HIGH | 启用 HIZ 模式的电压 | ILIM_HIZ 引脚下降 | 0.4 | V | ||
| 模拟输入 (CELL_BATPRESZ) | ||||||
| VCELL_4S | 4S | REGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示 | 68.4 | 75 | % | |
| VCELL_3S | 3S | REGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示 | 51.7 | 55 | 65 | % |
| VCELL_2S | 2S | REGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示 | 35 | 40 | 49.1 | % |
| VCELL_1S | 1S | REGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示 | 18.4 | 25 | 31.6 | % |
| VCELL_BATPRESZ_RISE | 存在电池 | CELL_BATPRESZ 上升 | 18 | % | ||
| VCELL_BATPRESZ_FALL | 电池被移除 | CELL_BATPRESZ 下降 | 15 | % | ||