四个外部 N 沟道 MOSFET 用于电源路径传输。其中两个在 VAC 侧称为 ACFET，两个在 VBAT 侧称为 BATFET。

选择这些 MOSFET 的适当权衡取决于 SOA 特性。所有四个 FET 都遵循相同的趋势，因此可以在所有四个位置使用同一 FET。必须选择一个 MOSFET，它不仅能够在直流条件下电压为 V_DS 时提供接近 10A 的漏极电流，而且能够在 10μs 条件下电压为 30V V_DS 时提供不中断的 100A 漏极电流。此外，SOA 特性应使最大结温至少为 125°C。为此应用选择的 FET 是 AONS6276，可以承受从 VAC 到 VBAT 的高达 30V 的电压摆幅，反之亦然。