ZHCSTZ0 November 2023 BQ25756E
PRODUCTION DATA
为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路非常重要。以下是正确布局的 PCB 布局优先级列表。
| 元件 | 功能 | 影响 | 指南 |
|---|---|---|---|
| 降压高侧 FET、降压低侧 FET、输入电容器 | 降压输入环路 | 高频噪声、纹波、效率 | 由于降压输入端的脉动电流，该路径形成高频开关环路。将元件放置在电路板的同一侧。最大限度地减小环路面积以减小寄生电感。最大限度地增加引线宽度以减小寄生电阻。将输入陶瓷电容器放置在靠近开关 FET 的位置。 |
| 升压低侧 FET、升压高侧 FET、输出电容器 | 升压输出环路 | 高频噪声、纹波、效率 | 由于升压输出端的脉动电流，该路径形成高频开关环路。将元件放置在电路板的同一侧。最大限度地减小环路面积以减小寄生电感。最大限度地增加引线宽度以减小寄生电阻。将输出陶瓷电容器放置在靠近开关 FET 的位置。 |
| 检测电阻、开关 FET、电感器 | 电流路径 | 效率 | 通过功率级和检测电阻器从输入到输出的电流路径具有低阻抗。请留意过孔电阻是否不在同一侧。对于 1oz 铜厚度的 10mil 过孔，过孔数量可估算出每个过孔 1A 至 2A。 |
| 开关 FET、电感器 | 功率级 | 热性能、效率 | 开关 FET 和电感器是功率损耗最高的元件。留出足够的铜面积来散热。多个散热过孔可用于将更多铜层连接在一起并散发更多热量。 |
| DRV_SUP、BTST1、BTST2 电容器 | 开关 FET 栅极驱动 | 高频噪声、寄生振铃、栅极驱动完整性 | DRV_SUP 电容器用于提供驱动低侧 FET 的电源。BTST 电容器用于驱动高侧 FET。建议将电容器尽可能靠近 IC 放置。 |
| LODRV1、LODRV2 | 低侧栅极驱动 | 高频噪声、寄生振铃、栅极驱动完整性 | LODRV1 和 LODRV2 提供栅极驱动电流以导通低侧 FET。LODRV1 和 LODRV2 返回至 PGND。由于电流采用阻抗最小的路径，因此建议使用靠近低侧栅极驱动引线的接地平面。最大限度地减小栅极驱动长度并争取实现至少 20mil 的栅极驱动引线宽度。 |
| HIDRV1、HIDRV2、SW1（引脚引线）、SW2（引脚引线） | 高侧栅极驱动 | 高频噪声、寄生振铃、栅极驱动完整性 | HIDRV1 和 HIDRV2 提供栅极驱动电流以导通高侧 FET。HIDRV1 和 HIDRV2 分别返回至 SW1 和 SW2。将 HIDRV1/SW1 和 HIDRV2/SW2 对彼此相邻布线，以减小栅极驱动寄生电感。最大限度地减小栅极驱动长度并争取实现至少 20mil 的栅极驱动引线宽度。 |
| 限流电阻器、FSW_SYNC 电阻器 | IC 可编程设置 | 调节精度、开关完整性 | 引脚电压决定输入电流限制、输出电流限制和开关频率的设置。这些引脚上的接地噪声可能会导致不准确。最大限度地减小从这些电阻器到 IC 接地引脚的接地回路。 |
| 输入（ACP、ACN）和输出（SRP、SRN）电流检测 | 电流调节 | 调节精度 | 对输入和输出电流检测电阻使用开尔文检测技术。将电流检测引线连接到焊盘的中心，并将电流检测引线作为差分对进行排布，使其远离开关节点。 |
| 输入 (ACUV) 和输出（FB、VO_SNS）电压检测 | 电压检测和调节 | 调节精度 | ACUV 分压器设置正向模式下的内部输入电压调节 (VACUV_DPM)。FB 分压器设置正向模式下的电池电压调节 (VFB_ACC)。将分压器点的顶部排布至目标调节位置。 避免在靠近大功率开关节点的位置布线。 |
| 旁路电容器 | 噪声滤波器 | 噪声抗扰度 | 容值最小的电容器要最靠近 IC 放置。 |