ZHCSTZ0 November 2023 BQ25756E
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
静态电流 | ||||||
IQ_BAT | BATFET 开启时的静态电池电流 (ISRN + ISRP) | VBAT = 28V,VAC = 0V,ADC_EN = 0,TJ < 105°C | 17 | µA | ||
VBAT = 28V,VAC = 0V,ADC_EN = 1,TJ < 105°C | 500 | 700 | µA | |||
IQ_VAC | 静态输入电流 (IVAC) | 不进行开关 | 0.75 | 1 | mA | |
IQ_REV | 反向模式下的静态电池电流 (ISRN + ISRP) | 不进行开关 | 0.75 | 1 | mA | |
VAC/BAT 上电 | ||||||
VVAC_OP | VAC 工作范围 | 4.2 | 36 | V | ||
VVAC_OK | VAC 转换器启用阈值 | VAC 上升,无电池 | 4.2 | V | ||
VVAC_OKZ | VAC 转换器禁用阈值 | VAC 下降,无电池 | 3.5 | V | ||
VREF_ACUV | 进入 VAC_UVP 的 ACUV 比较器阈值 | VACUV 下降 | 1.095 | 1.1 | 1.106 | V |
VREF_ACUV_HYS | ACUV 比较器阈值迟滞 | VACUV 上升 | 50 | mV | ||
VVAC_INT_OV | 进入 VAC_OVP 的 VAC 内部阈值 | IN 上升 | 36 | V | ||
VVAC_INT_OVZ | 退出 VAC_OVP 的 VAC 内部阈值 | IN 下降 | 33 | V | ||
VREF_ACOV | 进入 VAC_OVP 的 ACOV 比较器阈值 | VACOV 上升 | 1.184 | 1.2 | 1.206 | V |
VREF_ACOV_HYS | ACOV 比较器阈值迟滞 | VACOV 下降 | 50 | mV | ||
充电电压调节 | ||||||
VVFB_RANGE | 反馈电压范围 | 1.504 | 1.566 | V | ||
VVFB_STEP | 典型反馈电压阶跃 | 2 | mV | |||
VVFB_NOM | 标称反馈电压 | VFB_REG = 0x10 | 1.536 | V | ||
VVFB_ACC | 反馈电压调节精度 | TJ = 0°C 至 85°C | -0.5 | 0.5 | % | |
TJ = -40°C 至 125°C | –0.7 | 0.7 | % | |||
RFBG | FBG 到 PGND 的电阻 | IFBG = 1mA | 33 | 55 | Ω | |
快速充电电流调节 | ||||||
ICHG_REG_RANGE | 充电电流调节范围 | 0.4 | 20 | A | ||
ICHG_REG_STEP | 充电电流调节阶跃 | 50 | mA | |||
ICHG_REG_ACC | I2C 设置充电电流调节精度 | RBAT_SNS = 5mΩ,VBAT = 12V、36V。ICHG_REG = 0x012C | 15 | A | ||
-3 | 3 | % | ||||
RBAT_SNS = 5mΩ,VBAT = 12V、36V。ICHG_REG = 0x0064 | 5 | A | ||||
-3 | 3 | % | ||||
RBAT_SNS = 5mΩ,VBAT = 12V、36V。ICHG_REG = 0x0028 | 2 | A | ||||
-5 | 5 | % | ||||
KICHG | 硬件充电电流限制设置系数(ICHG 引脚上每 kΩ 充电电流的安培数) | RBAT_SNS = 5mΩ,RICHG = 10kΩ、5kΩ 和 3.33kΩ | 48 | 50 | 52 | A x kΩ |
VREF_ICHG | ICHG 引脚处于调节状态时的 ICHG 引脚电压 | 2.0 | V | |||
预充电电流调节 | ||||||
IBAT_SHORT | 锂离子电池的涓流充电电流精度 | VFB < VBAT_SHORT | 150 | mA | ||
IPRECHG_RANGE | 预充电电流调节范围 | VFB < VBAT_LOWV * VVFB_REG | 0.25 | 10 | A | |
IPRECHG_STEP | 典型的预充电 SRP 至 SRN 调节电压阶跃 | VFB < VBAT_LOWV * VVFB_REG | 50 | mA | ||
IPRECHG_ACC | I2C 设置预充电电流精度 | RBAT_SNS = 5mΩ,VFB < VBAT_LOWV * VVFB_REG。IPRECHG = 0x003C | 3.0 | A | ||
-4 | 4 | % | ||||
RBAT_SNS = 5mΩ,VFB < VBAT_LOWV * VVFB_REG。IPRECHG[1:0] = 0x0014 | 1.0 | A | ||||
-10 | 10 | % | ||||
RBAT_SNS = 5mΩ,VFB < VBAT_LOWV * VVFB_REG。IPRECHG[1:0] = 0x000A | 0.50 | A | ||||
–30 | 30 | % | ||||
KIPRECHG | 硬件预充电电流限制设置系数(ICHG 引脚上每 kΩ 预充电电流的安培数) | RBAT_SNS = 5mΩ,VFB < VBAT_LOWV * VVFB_REG,RICHG = 10kΩ、5kΩ 和 3.33kΩ | 8.5 | 10 | 10.5 | A x kΩ |
VREF_IPRECHG | IPRECHG 处于调节状态时的 ICHG 引脚电压 | VFB < VBAT_LOWV * VVFB_REG | 388 | 400 | 412 | mV |
充电终止 | ||||||
ITERM_RANGE | 终止电流范围 | VFB = VVFB_REG | 0.25 | 10 | A | |
ITERM_STEP | 典型的终止 SRP 至 SRN 电压阶跃 | VFB = VVFB_REG | 50 | mA | ||
ITERM_ACC | 终止电流精度 | RBAT_SNS = 5mΩ,VBAT = 12V、36V。ITERM = 0x001E | 1.5 | A | ||
–7 | 7 | % | ||||
RBAT_SNS = 5mΩ,VBAT = 12V、36V。ITERM = 0x000A | 0.50 | A | ||||
-20 | 20 | % | ||||
RBAT_SNS = 5mΩ,VBAT = 12V、36V。ITERM = 0x0005 | 0.250 | A | ||||
-50 | 50 | % | ||||
KITERM | 硬件终止电流限制设置系数(ICHG 引脚上每 kΩ 终止电流的安培数) | RBAT_SNS = 5mΩ,VFB = VVFB_REG,RICHG = 10kΩ、5kΩ 和 3.33kΩ | 3.5 | 5 | 5.5 | A x kΩ |
VREF_ITERM | 通过 ICHG 引脚检测到 ITERM 时的 ICHG 引脚电压 | VBAT = 12V、36V。 |
188 | 200 | 212 | mV |
电池电压比较器 | ||||||
VBAT_SHORT | 涓流充电至预充电转换 | VSRN 上升 | 2.8 | 3 | 3.2 | V |
预充电至涓流充电转换 | VSRN 下降 | 2.2 | 2.4 | 2.6 | V | |
VBAT_LOWV | 预充电至快速充电转换 | VFB 上升(以 VFB_REG 的百分比表示),VBAT_LOWV[2:0] = 3 | 69.0 | 71.7 | 73.8 | % |
VFB 上升(以 VFB_REG 的百分比表示),VBAT_LOWV[2:0] = 2 | 64.3 | 66.7 | 69.0 | % | ||
VFB 上升(以 VFB_REG 的百分比表示),VBAT_LOWV[2:0] = 1 | 52 | 55 | 58 | % | ||
VFB 上升(以 VFB_REG 的百分比表示),VBAT_LOWV[2:0] = 0 | 27 | 30 | 33 | % | ||
VBAT_LOWV_HYS | BAT_LOWV 迟滞 | 5 | % | |||
VRECHG | 锂离子和磷酸铁锂电池的电池充电阈值 | VFB 下降(以 VFB_REG 的百分比表示),VRECHG[1:0] = 3 | 97.6 | % | ||
VFB 下降(以 VFB_REG 的百分比表示),VRECHG[1:0] = 2 | 95.2 | % | ||||
VFB 下降(以 VFB_REG 的百分比表示),VRECHG[1:0] = 1 | 94.3 | % | ||||
VFB 下降(以 VFB_REG 的百分比表示),VRECHG[1:0] = 0 | 93.0 | % | ||||
输入电流调节 | ||||||
IIREG_DPM_ACC | 正向模式下的 I2C 设置输入电流调节精度 | RAC_SNS = 2mΩ,IAC_DPM = 0x00A0 | 20 | A | ||
-3 | 3 | % | ||||
RAC_SNS = 2mΩ,IAC_DPM = 0x0050 | 10 | A | ||||
-4 | 4 | % | ||||
RAC_SNS = 2mΩ,IAC_DPM = 0x0028 | 5.0 | A | ||||
–7 | 7 | % | ||||
KILIM | 硬件输入电流限制设置系数(ILIM_HIZ 引脚上每 kΩ 输入电流的安培数) | RAC_SNS = 2mΩ,RILIM = 5kΩ、2.5kΩ 和 1.67kΩ | 48 | 50 | 52 | A x kΩ |
VREF_ILIM_HIZ | ILIM_HIZ 引脚处于调节状态时的 ILIM_HIZ 引脚电压 | 2.0 | V | |||
VIH_ILIM_HIZ | 进入高阻态模式的 ILIM_HIZ 输入高电平阈值 | VILIM_HIZ 上升 | 3.7 | V | ||
输入电压调节 | ||||||
VVREG_DPM_RANGE | 输入电压 DPM 调节范围 | 4.2 | 36 | V | ||
VVREG_DPM_ACC | 正向模式下的 I2C 设置输入电压调节精度 | VAC_DPM = 0x04E2 | 25 | V | ||
-2 | 2 | % | ||||
VAC_DPM = 0x03B6 | 19 | V | ||||
-2 | 2 | % | ||||
VACUV_DPM | 处于 VDPM 调节状态时的 ACUV 引脚电压 | 1.198 | 1.210 | 1.222 | V | |
反向模式电压调节 | ||||||
VREV_RANGE | 反向模式下的 VAC 电压调节范围 | 3.3 | 36 | V | ||
VREV_ACC | 反向模式下的 VAC 电压调节精度 | VAC_REV = 0x02EE | 15 | V | ||
-2 | 2 | % | ||||
VAC_REV = 0x00FA | 5 | V | ||||
-2 | 2 | % | ||||
反向模式电流调节 | ||||||
IIREV_ACC | 反向模式下的输入电流调节精度 | RAC_SNS = 2mΩ,IAC_REV = 0x00A0 | 20 | A | ||
-3.5 | 3.5 | % | ||||
RAC_SNS = 2mΩ,IAC_REV = 0x0028 | 5.0 | A | ||||
-5.5 | 5.5 | % | ||||
充电模式电池包 NTC 监控器 | ||||||
VT1_RISE | TS 引脚电压上升 T1 阈值,高于该电压时充电暂停。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_T1 = 0°C(带 103AT) | 72.75 | 73.25 | 73.85 | % |
VT1_FALL | TS 引脚电压下降 T1 阈值,低于该电压时重新启用充电。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_T1 = 0°C(带 103AT) | 71.5 | 72 | 72.5 | % |
VT2_RISE | TS 引脚电压上升 T2 阈值,高于该电压时重新充电至降低的 ICHG | 以 REGN 的百分比表示,TS_T2 = 10°C(带 103AT) | 67.75 | 68.25 | 68.75 | % |
VT2_FALL | TS 引脚电压下降 T2 阈值。低于该电压时重新充电至正常状态 | 以 REGN 的百分比表示,TS_T2 = 5°C(带 103AT) | 69.1 | 69.8 | 70.5 | % |
VT2_FALL | TS 引脚电压下降 T2 阈值。低于该电压时重新充电至正常状态 | 以 REGN 的百分比表示,TS_T2 = 10°C(带 103AT) | 66.45 | 66.95 | 67.45 | % |
VT3_FALL | TS 引脚电压下降 T3 阈值,低于该电压时充电至 ICHG 和降低的 VFB_REG | 以 REGN 的百分比表示,TS_T3 = 40°C(带 103AT) | 47.9 | 48.4 | 48.9 | % |
VT3_FALL | TS 引脚电压下降 T3 阈值,低于该电压时充电至 ICHG 和降低的 VFB_REG | 以 REGN 的百分比表示,TS_T3 = 45°C(带 103AT) | 44.25 | 44.75 | 45.25 | % |
VT3_RISE | TS 引脚电压上升 T3 阈值。高于该电压时重新充电至正常状态。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_T3 = 40°C(带 103AT) | 49.2 | 49.7 | 50.2 | % |
VT3_RISE | TS 引脚电压上升 T3 阈值。高于该电压时重新充电至正常状态。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_T3 = 45°C(带 103AT) | 45.55 | 46.05 | 46.55 | % |
VT5_FALL | TS 引脚电压下降 T5 阈值,低于该电压时充电暂停 | 以 REGN 的百分比表示,TS_T5 = 60°C(带 103AT) | 33.875 | 34.375 | 34.875 | % |
VT5_RISE | TS 引脚电压上升 T5 阈值。高于该电压时重新充电至 ICHG 和降低的 VFB_REG | 以 REGN 的百分比表示,TS_T5 = 60°C(带 103AT) | 35 | 35.5 | 36 | % |
反向模式电池包 NTC 监控器 | ||||||
VBCOLD_RISE | TS 引脚电压上升 TCOLD 阈值。高于该电压时反向模式暂停 | 以 REGN 的百分比表示(BCOLD = –20°C,带 103AT) | 79.45 | 80.0 | 80.55 | % |
VBCOLD_RISE | TS 引脚电压上升 TCOLD 阈值。高于该电压时反向模式暂停 | 以 REGN 的百分比表示(BCOLD = –10°C,带 103AT) | 76.65 | 77.15 | 77.65 | % |
VBCOLD_FALL | TCOLD 比较器下降阈值。 | 以 REGN 的百分比表示(–20°C,带 103AT) | 78.2 | 78.7 | 79.2 | % |
VBCOLD_FALL | TCOLD 比较器下降阈值。 | 以 REGN 的百分比表示(–10°C,带 103AT) | 75.5 | 75.6 | 76.5 | % |
VBHOT_FALL | TS 引脚电压下降 THOT 阈值。低于该电压时反向模式暂停 | 以 REGN 的百分比表示(BHOT = 55°C,带 103AT) | 37.2 | 37.7 | 38.2 | % |
VBHOT_FALL | TS 引脚电压下降 THOT 阈值。低于该电压时反向模式暂停 | 以 REGN 的百分比表示(BHOT = 60°C,带 103AT) | 33.875 | 34.375 | 34.875 | % |
VBHOT_FALL | TS 引脚电压下降 THOT 阈值。低于该电压时反向模式暂停 | 以 REGN 的百分比表示(BHOT 65°C,带 103AT) | 30.75 | 31.25 | 31.75 | % |
VBHOT_RISE | TS 引脚电压上升 THOT 阈值。高于该电压时允许进入反向模式 | 以 REGN 的百分比表示(BHOT = 55°C,带 103AT) | 38.5 | 39.0 | 39.95 | % |
VBHOT_RISE | TS 引脚电压上升 THOT 阈值。高于该电压时允许进入反向模式 | 以 REGN 的百分比表示(BHOT = 60°C,带 103AT) | 35 | 35.5 | 36 | % |
VBHOT_RISE | TS 引脚电压上升 THOT 阈值。高于该电压时允许进入反向模式 | 以 REGN 的百分比表示(BHOT 65°C,带 103AT) | 32.0 | 32.5 | 33.0 | % |
电池充电器保护 | ||||||
VBAT_OV | 电池过压阈值 | VFB 上升,以 VFB_REG 的百分比表示 | 102.5 | 104 | 105.5 | % |
VBAT_OVZ | 电池过压下降阈值 | VFB 下降,以 VFB_REG 的百分比表示 | 100.5 | 102 | 103.5 | % |
VICHG_OC | 电池充电过流阈值 | VSRP - VSRN 上升 | 120 | 170 | mV | |
热关断 | ||||||
TSHUT | 热关断上升阈值 | 温度升高 | 150 | °C | ||
热关断下降阈值 | 温度降低 | 135 | °C | |||
REGN 稳压器和栅极驱动电源 (DRV_SUP) | ||||||
VREGN | REGN LDO 输出电压 | IREGN = 20mA | 4.8 | 5 | 5.2 | V |
VAC = 5V,IREGN = 20mA | 4.35 | 4.6 | V | |||
IREGN | REGN LDO 电流限制 | VREGN = 4.5V | 70 | mA | ||
VREGN_OK | 允许开关的 REGN 正常阈值 | REGN 上升 | 3.55 | V | ||
VDRV_UVPZ | 允许开关的 DRV_SUP 欠压阈值 | DRV_SUP 上升 | 3.7 | V | ||
VDRV_OVP | 禁用开关的 DRV_SUP 过压阈值 | DRV_SUP 上升 | 12.8 | 13.2 | 13.6 | V |
电源路径管理器 | ||||||
IAC_LOAD | VAC 放电负载电流 | 16 | mA | |||
IBAT_LOAD | 电池 (SRN) 放电负载电流 | 16 | mA | |||
开关频率和同步 | ||||||
fSW | 开关频率 | RFSW_SYNC = 133kΩ | 212 | 250 | 288 | kHz |
RFSW_SYNC = 50kΩ | 425 | 500 | 575 | kHz | ||
VIH_SYNC | FSW_SYNC 输入高电平阈值 | 1.3 | V | |||
VIL_SYNC | FSW_SYNC 输入低电平阈值 | 0.4 | V | |||
PWSYNC | FSW_SYNC 输入脉冲宽度 | 80 | ns | |||
PWM 驱动器 | ||||||
RHIDRV1_ON | 降压侧高侧导通电阻 | VBTST1 - VSW1 = 5V | 3.4 | Ω | ||
RHIDRV1_OFF | 降压侧高侧关断电阻 | VBTST1 - VSW1 = 5V | 1.0 | Ω | ||
VBTST1_REFRESH | 自举刷新比较器阈值电压 | BTST1 下降,当请求低侧刷新脉冲时 VBTST1 - VSW1 | 2.7 | 3.1 | 3.9 | V |
RLODRV1_ON | 降压侧低侧导通电阻 | VREGN = 5V | 3.4 | Ω | ||
RLODRV1_OFF | 降压侧低侧关断电阻 | VREGN = 5V | 1.0 | Ω | ||
tDT1 | 降压侧死区时间,两个边沿 | 45 | ns | |||
RHIDRV2_ON | 升压侧高侧导通电阻 | VBTST2 - VSW2 = 5V | 3.4 | Ω | ||
RHIDRV2_OFF | 升压侧高侧关断电阻 | VBTST2 - VSW2 = 5V | 1.0 | Ω | ||
VBTST2_REFRESH | 自举刷新比较器阈值电压 | BTST2 下降,当请求低侧刷新脉冲时 VBTST2 - VSW2 | 2.7 | 3.1 | 3.9 | V |
RLODRV2_ON | 升压侧低侧导通电阻 | VREGN = 5V | 3.4 | Ω | ||
RLODRV2_OFF | 升压侧低侧关断电阻 | VREGN = 5V | 1.0 | Ω | ||
tDT2 | 升压侧死区时间,两个边沿 | 45 | ns | |||
模数转换器 (ADC) | ||||||
tADC_CONV | 转换时间,每次测量 | ADC_SAMPLE[1:0] = 00 | 24 | ms | ||
ADC_SAMPLE[1:0] = 01 | 12 | ms | ||||
ADC_SAMPLE[1:0] = 10 | 6 | ms | ||||
ADCRES | 有效分辨率 | ADC_SAMPLE[1:0] = 00 | 14 | 15 | 位 | |
ADC_SAMPLE[1:0] = 01 | 13 | 14 | 位 | |||
ADC_SAMPLE[1:0] = 10 | 12 | 13 | 位 | |||
ADC 测量范围和 LSB | ||||||
IAC_ADC | 输入电流 ADC 读数(正或负) | 使用 2mΩ RAC_SNS 时的范围 | -50000 | 50000 | mA | |
使用 2mΩ RAC_SNS 时的 LSB | 2 | mA | ||||
VAC_ADC | 输入电压 ADC 读数 | 范围 | 0 | 36000 | mV | |
LSB | 2 | mV | ||||
VBAT_ADC | 电池电压 ADC 读数 | 范围 | 0 | 36000 | mV | |
LSB | 2 | mV | ||||
TSADC | TS 电压 ADC 读数,以 REGN 的百分比表示 | 范围 | 0 | 99.9 | % | |
LSB | 0.098 | % | ||||
VFB_ADC | FB 电压 ADC 读数 | 范围 | 0 | 2047 | mV | |
LSB | 1 | mV | ||||
I2C 接口(SCL、SDA) | ||||||
VIH | 输入高阈值电平 | 1.3 | V | |||
VIL | 输入低阈值电平 | 0.4 | V | |||
VOL | 输出低阈值电平 | 灌电流 = 5mA | 0.4 | V | ||
IIN_BIAS | 高电平漏电流 | 上拉电源轨 3.3V | 1 | µA | ||
逻辑 I/O 引脚(CE、PG、STAT1、STAT2) | ||||||
VIH | 输入高阈值电平 (CE) | 1.3 | V | |||
VOL | 输出低阈值电平(CE、PG、STAT1、STAT2) | 灌电流 = 5mA | 0.4 | V | ||
VIL | 输入低阈值电平 (CE) | 0.4 | V | |||
IOUT_BIAS | 高电平漏电流(CE、PG、STAT1、STAT2) | 上拉电源轨 3.3V | 1 | µA |