ZHCSSI5B December 2022 – March 2024 BQ25758
PRODUCTION DATA
该器件支持旁路模式,允许 VOUT = VAC(无需调节)并实现最高效率。在该运行模式下,降压和升压高侧 FET(Q1 和 Q4)均导通,而降压和升压低侧 FET(Q2 和 Q3)保持关断。输入功率直接通过功率级传递到输出。MOSFET 的开关损耗和电感器磁芯损耗被消除,从而提供最高的效率。可以通过将 EN_BYPASS 寄存器位设置为 1 来启用旁路模式。
当器件处于旁路模式时,流过 ROUT_SNS 的电流被监测并与 IOUT_REG 寄存器设置进行比较。如果输出电流超过寄存器设置,器件将自动退出旁路模式并进入高阻态模式(完全禁用功率级)。IBAT_OCP_STAT 位被设置,并且一个 INT 脉冲被置为有效以向主机发送信号。要从该故障中恢复,建议清除 EN_HIZ 位。